Si1-xGex∶C缓冲层上Ge薄膜的CVD外延生长

用化学气相沉积方法，在Si(100)衬底上生长Si1-xGex∶C合金作为缓冲层，继而外延生长了Ge晶体薄膜. 根据AES测量结果可以认为，缓冲层包括由衬底中的Si原子扩散至表面与GeH4, C2H4反应而生成的Si1-xGex∶C外延层和由Si1-xGex∶C外延层中Ge原子向衬底方向扩散而形成的Si1-xGex层. 缓冲层上外延所得Ge晶体薄膜晶体取向较为单一，其厚度超过在Si上直接外延Ge薄膜的临界厚度，且薄膜中的电子迁移率与同等掺杂浓度(1.0E19cm-3)的体Ge材料的电子迁移率相当.     

InN材料及其应用

由于具有独特的本征特性,InN材料已经成为最近两年国际上最热门的研究材料之一。本文介绍了InN材料的基本性质,探讨了材料的生长技术和应用方向。最后给出了InN材料今后发展急需解决的问题以及未来的发展应用前景。     

黏附层以及退火气氛对Au/Si共晶体系中硅扩散的影响研究

采用真空蒸镀方法在Si衬底上制备了Si/Au、Si/Ni/Au和Si/Ti/Au结构多层膜,进行多种条件下的退火实验,研究了不同黏附层对Au/Si共晶体系中硅扩散的影响.实验结果表明,黏附层对硅的扩散起到阻挡作用,Ti层与Ni层作为阻挡层在较低温度下发生失效,退火气氛对阻挡层的失效具有显著影响.这表明Au/Si体系中扩散阻挡层失效的机制并不是直接的固相反应.文章提出势垒模型来解释扩散阻挡层的失效机制.     

InN薄膜的退火特性

对InN薄膜在氨气氛下的高温退火行为进行了研究.利用XRD,SEM和XPS对样品进行了分析.结果表明,InN薄膜的结晶质量和表面形貌并不随退火温度单调变化.由于高温退火时N原子的挥发,剩下的In原子在样品表面聚集形成In颗粒.当退火温度高于425℃时,In原子的脱吸附作用增加,从而导致样品表面的In颗粒在退火温度高于425℃时逐渐减少.XRD和SEM结果表明In颗粒密度最高的样品具有最差的结晶质量.这种现象可能是由于In颗粒隔离了其下面的InN与退火气氛的接触,同时,金属In和InN结构上的差异也可能在InN中导致了高密度的结构缺陷,从而降低了InN薄膜的结晶质量.     

InxGa1-xN合金薄膜In的表面分凝现象

用MOCVD方法在α-Al2O3(0001)衬底上外延生长了InxGa1-xN合金薄膜.测量结果显示:所制备的InxGa1-xN样品中In的组分随外延生长温度而改变,生长温度由620℃升高到740℃,In的组分由0.72降低到0.27.这是由于衬底温度越高,In进入InxGa1-xN薄膜而成键的效率越低.样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱均显示:在生长温度为620℃和690℃时所生长的InxGa1-xN样品中均存在明显的In的表面分凝现象;而生长温度升至740℃时所得到的InxGa1-xN样品中,In的表面分凝现象得到了有效抑制.保持生长温度不变而将反应气体的Ⅴ/Ⅲ比从14000增加到38000,In的表面分凝现象也明显减弱.由此可以认为,较高的生长温度使得In原子的表面迁移能力增强,In原子从InxGa1-xN表面解吸附的几率增大,而较高的Ⅴ/Ⅲ比则能增加N与In成键几率,从而有利于抑制In的表面分凝.     

应用改进的热场生长低位错SI-CaAs单晶

报道在国产JW一0002型高压单晶炉内设计了一种改进的LEC热场装置,改善了加热区的温度分布,使炉内覆盖剂B_2O_3的轴向温度梯度减少到30～60℃/cm,拉制的φ50mm,<100>晶向的SI—GaAs单晶,其位错密度低于5×10~3cm~(-2),局部无位错。     

半绝缘砷化镓单晶的整锭热退火

本文报道了整锭热退火对IEC-SI-GaAs单晶特性的影响.研究发现,在950℃温度和5小时条件下,对SI-GaAs单晶整锭热退火后,单晶的电阻率、迁移率、霍尔浓度、位错密度和电子陷阱El2浓度的分布均匀性有所改善,并且El2浓度和迁移率平均值经热退火后有所提高.     

硅锗基区异质结双极晶体管的研究进展

叙述了硅锗基区异质结双极晶体管的研究发展现状，分析了该晶体管的结构机理，特点及制造技术，并且阐述了该器的发展前景。     

轻掺铬SI-GaAs单晶生长及应用

本文报道了LEC-SI-GaAs单晶生长研究及其结果.结合材料应用,生长了一种轻掺铬SI-GaAs单晶.用这种单晶作衬底,经汽相外延,离子注入及分子束外延后制作器件,都取得了满意的结果.