用恒流MOS电压瞬态特性测定Si-SiO_2界面态分布

本文提出了一种快速测定Si-Si O_2界面态分布的方法.此方法是以恒定电流条件下的MOS深耗尽态和准静态电压瞬态特性为基础的.在此方法中:半导体的表面势(ψ_s)与MOS的栅压(V)之间有简单的函数关系;实验装置可以直接给出ψ_s-V曲线;一组MOS瞬态电压曲线可以直接给出MOS的平带电压(V_fb)及半导体的费米势(ψ_f),而不需知道半导体的掺杂浓度.     

通用薄膜双栅SOI MOSFET电流模型

本文利用薄膜双栅ＳＯＩ器件在阈值电压附近硅膜中的常电位近似，得到一个通用的薄膜双栅ＳＯＩ器件电流模型．数值模拟结果与实验值吻合较好．文中特别对其它模型所不适用的正背栅具有不同参数的双栅ＳＯＩ器件进行了源漏电流的模拟，并对结果进行了分析．     

硅基异质结n-SiOxNy/n-Si二极管的I-V特性分析

n-SiOxNy是硅上热生长的超薄绝缘SiOxNy薄膜在电、热应力作用下形成的一种具有双施主型掺杂的宽带隙(Eg=9eV)n-型半导体材料.随着施加电应力时的环境温度的增加,n-SiOxNy的形成效率显著增加.其形成时间的对数lnt随着应力电压、应力环境温度的增加而减小并呈近似的线性关系.n-SiOxNy中的双施主能级是一种施主型的双缺陷能级,当电应力引导的施主缺陷密度达到1.26×1020cm-3时,SiOxNy,绝缘薄膜呈现n型半导体导电特性.在n-Si或p-Si衬底上形成的硅基异质结n-SiOxNy/n-Si或n-SiOxNy/p-Si二极管的I-V特性具有饱和性质,在电压大于1V的电压区,I-V特性可以用1eV势垒的FN隧道机制来描述.当衬底Si的掺杂增加时,势垒高度下降.     

牛庄油田王68开发区压裂改造效果评价

胜利油田牛庄油区王６８开发区，自投入开发后，地层能量下降很快，产量大幅度递减。为稳定产量，根据油藏特点，采取了压裂改造措施，压裂效果明显。压裂后４３２天，不考虑递减情况，５口井已经累计增油１４３６８ｔ，采出程度提高了１３７％，区块的地质储量增加了１２×１０４