一个适用于短沟HALO结构MOS器件的直接隧穿栅电流模型

对沟道长度从10μm到0.13μm,栅氧化层厚度为2.5nm的HALO结构nMOS器件的直接隧穿栅电流进行了研究,得到了一个适用于短沟道HALO结构MOS器件的直接隧穿栅电流模型.随着沟道尺寸的缩短,源/漏扩展区占据沟道的比例越来越大,源漏扩展区的影响不再可以忽略不计.文中考虑了源/漏扩展区对直接隧穿栅电流的影响,给出了适用于不同HALO掺杂剂量的超薄栅(2～4nm)短沟(0.13～0.25μm)nMOS器件的半经验直接隧穿栅电流模拟表达式.     

利用弛豫谱技术对界面陷阱密度和其能量分布的研究

基于界面陷阱的定义 ,通过分别对亚阈值摆幅漂移和亚阈区栅电压漂移采用弛豫谱技术有效地提取了1.9nm MOS结构中的界面陷阱密度和它的能量分布 .发现这两种方法提取的界面陷阱密度的能量分布是自洽的 ,同时也与文献报道的 DCIV等方法的结果是一致的 .与其它的提取方法相比 ,采用弛豫谱技术的这两种方法更加简单和方便 .     

用CCWT方法确定少子的体产生寿命及表面产生速度

在MOS由非平衡深耗尽态恢复到平衡反型态的过程中,如果MOS系统的总电荷是恒定的,则空间电荷区宽度的瞬态特性W(t)将提供少子的体产生寿命τ及表面产生速度S的信息;用指数衰减函数比较法可以直接由W-t曲线确定τ、S,省去了Zerbst方法的繁琐作图程序.     

超薄氧化层中的中性陷阱对隧穿电流的影响和应变诱导漏电流

用数值分析的方法讨论了中性陷阱对超薄场效应晶体管(MOSFET )隧穿电流的影响.中性陷阱引起势垒的变化在二氧化硅的导带中形成一个方形的势阱.对于不同的势垒变化,计算了电子隧穿氧化层厚度为4nm的超薄金属氧化物半导体结构的电流.结果表明,中性陷阱对隧穿电流的影响不能被忽略,中性陷阱的存在使隧穿电流增加,并且通过这个简单的模型能够理解应变诱导漏电流的产生机制.     

基于MOSFET比例差值特性的器件表征方法

利用比例差值方法给出了MOS器件的一种新特性——比例差值输出特性，该特性具有谱峰特征，其峰位、峰高与器件的特征参数相关．采用了一个分析模型来表征谱峰与器件特性参数关系，可以直接提取MOS器件特征参数．模型计算结果与实验数据保持了很好的一致性．实际测量中不同衬底条件和不同的比例差值常数对提取参数的影响也作了分析．     

MOSFET不同厚度薄栅老化中SILC的机制

通过对栅电流和栅电压漂移的测量，证明了均匀FN应力老化后栅氧化层中陷阱呈非均匀分布．不同厚度的栅氧化层产生SILC的机制不尽相同，薄栅以陷阱辅助隧穿为主，类Pool-Frankel机制在厚二氧化硅栅中起主导作用．     

一个超薄氧化物nMOSFET器件的直接隧穿电流经验公式

建立了一个直接隧穿电流的经验公式.将氧化层厚度作为可调参数,用这个经验公式可以很好地拟合超薄氧化物nMOSFET器件的直接隧穿电流.在拟合中所得到的氧化层厚度比用量子力学电压-电容方法模拟得到的氧化层厚度小,其偏差在0.3nm范围内.     

超压地层中随钻声波测井资料的解释和分析

声波和其它随钻测井方法的方便使用，使得在井场上对超压地层实时的探测和评价成为可能，并大大改善了钻井，固井和完井的工作效率，本文用墨西哥湾海地区超压地层中获得的一系列声波和基佗随钻井数据证实这一点，与正常的压实趋势相反，随钻测得的△ｔ值随深度增加而增大，并达到标超压地层的异常高值，该超压趋势和其它的随钻测蝇和钻井测量结果所证实，钻井后两周获得的电缆声波测井和中子密度孔隙度测井资料进一步证实了该趋势。     

0.275μm nMOST''''s中陷阱辅助隧穿电流对漏端LDD区DCIV谱峰的影响(英文)

应用 direct- currentcurrent voltage(DCIV)和电荷泵 (change pum ping)技术研究了 L DD n MOST’s在热电子应力下产生的界面陷阱 .测试和分析的结果显示 ,一股额外的漏端电流影响了 DCIV谱峰中表征漏区的 D峰 .这股电流主要是陷阱辅助隧穿电流 .