恒压应力下超薄栅nMOSFET软击穿后的衬底电流特性

研究了在恒压应力下超薄栅nMOSFET软击穿后的衬底电流特性.软击穿时间由衬底电流随时间的弛豫特性和器件输出特性测量时监测的衬底电流突变确定.发现软击穿时间的威布尔斜率和衬底特征击穿电流随温度的升高而增大.用类渗流模型模拟了软击穿后衬底电流与栅电压的关系.利用变频光泵效应讨论了超薄栅MOSFET低电压应力下衬底电流的来源,并解释了软击穿后衬底电流和栅电流之间的线性关系.     

直接隧穿应力下超薄栅氧化层中的多缺陷产生行为

基于一阶速率方程 ,讨论了恒定电压应力下应力电流的饱和行为 .通过对应力电流的拟合 ,发现存在三类缺陷产生的前身 .更进一步的统计实验显示 ,在缺陷产生时间常数、击穿时间以及应力电压之间存在着明确的关系 .这意味着缺陷产生时间常数能够被用于有效预测氧化层的寿命 .与常规的氧化层击穿实验相比 ,基于缺陷产生时间常数的预测更快、更有效     

超薄SiO2软击穿后I-V特性的饱和性质

利用电子速度饱和概念和比例差值方法(proportional difference operator,PDO)研究了超薄SiO2在第一次软击穿以后栅电流随着栅电压的变化所呈现的饱和性质.实验证明了第一次软击穿以后栅电流随着栅电压变化的PDO谱峰位、峰高与电子在第一次软击穿通道中运动的饱和速度及饱和电流密度相关.基于缺陷散射机制,得到的第一次软击穿通道的横截面积与文献报导的结果一致.     

直接隧穿应力下超薄栅氧化层中的多缺陷产生行为

基于一阶速率方程,讨论了恒定电压应力下应力电流的饱和行为.通过对应力电流的拟合,发现存在三类缺陷产生的前身.更进一步的统计实验显示,在缺陷产生时间常数、击穿时间以及应力电压之间存在着明确的关系.这意味着缺陷产生时间常数能够被用于有效预测氧化层的寿命.与常规的氧化层击穿实验相比,基于缺陷产生时间常数的预测更快、更有效.     

超薄栅氧化物pMOSFET器件在软击穿后的特性

研究了在软击穿后MOS晶体管特性的退化.在晶体管上加均匀的电压应力直到软击穿发生的过程中监控晶体管的参数.在软击穿后,输出特性和转移特性只有小的改变.在软击穿发生时,漏端的电流和域值电压的退化是连续变化的.但是,在软击穿时栅漏电流突然有大量的增加.对软击穿后的栅漏电流增量的分析表明,软击穿后的电流机制是FN隧穿,这是软击穿引起的氧化物的势垒高度降低造成的.     

全电流模型的比例差分特性

用比例差分算符 (PDO)方法研究了长沟 MOSFET在各个工作区域 (亚阈区和饱和区 )的比例差分特性 .利用 PDO方法研究全电流 Pao- Sah双积分模型 ,结果发现源漏电流的比例差分特性在所有的工作区域内都有谱峰特性 ,其峰值和峰位与 MOSFET的电学参数 (如有效迁移率、热电势和阈值电压等 )直接相关 .利用 PDO方法可以避免冗繁地计算双积分公式 ,并可以容易地提取出重要的 MOSFET电学参数     

利用FN振荡电流测量超薄栅MOS结构的栅氧化层厚度

给出了一种利用 FN振荡电流的极值测量超薄栅 MOS结构的栅氧化层厚度和电子在栅氧化层导带中的有效质量方法 .利用波的干涉方法来处理电子隧穿势垒的过程 ,方便地获得了出现极值时外加电压和栅氧化层厚度、势垒高度、电子的有效质量之间的关系 .这种方法的最大优点是精确和简便 ,并可方便地应用于任意形状的势垒和势阱     

Novel Oxide Trap Behavior in Ultra Thin Gate and Its Study by PDO Method

Oxide traps for stressed MOSFET' s have been extensively investigated in the pastdecades,and the trap generation mechanism was presented[1— 4] .When oxide film isthinner than approximately 7nm,some new phenomena,such as SILC and soft...     

Determination of Threshold Voltage and Mobility of MOSFET by Proportional Difference Operator

Proportional Difference Operator (PDO) method is proposed for the first time to determine the key parameters of a MOSFET, including the threshold voltage and carrier mobility.This methoc is applied to the transfer characteristic of a MOSFET first, and then the effect of gate voltage on carrier mobility is considered. The dependence of carrier mobility on the gate voltage is obtained.     

牛庄油田王68开发区压裂改造效果评价

胜利油田牛庄油区王６８开发区,自凤入开发后,地层能量下降很快,产是大幅度递减,为稳定产量,根据油藏特点,采取了压裂改造措施,压裂效果明显,压裂后４３２天,不考虑递减情况,５口井已经累计增油１４３６８ｔ,要出程度提高了１．３７％,区块的地计量增加了１２＊１０＾４ｔ。