腐殖酸对Re(Ⅶ)在高庙子膨润土中扩散的影响研究

腐殖酸是环境中普遍存在的一种有机物,它能通过络合作用和氧化还原反应影响放射性核素的迁移。本文通过贯穿扩散实验,在不同膨润土密度和不同腐殖酸接触时间下,研究了Re(Ⅶ)在高庙子膨润土中的扩散,得到了有效扩散系数De和容量因子α。结果显示,随着膨润土密度从1 600kg/m3增加至1 800kg/m3,De从1.8×10-11 m2/s减小至0.59×10-11 m2/s。随着腐殖酸接触时间由0d增加到60d,De由0.59×10-11 m2/s增大至0.83×10-11 m2/s。实验得到的α值均小于总孔隙率,说明在腐殖酸存在的条件下,Re(Ⅶ)可能仍以阴离子的形态在膨润土中扩散。     

中子导管末端中子束角发散分布规律研究

本文针对常被忽略的中子导管末端束流角发散现象,基于全反射光学几何原理推导了准确描述中子束角发散分布规律的理论公式,揭示了角发散分布不连续特性的本质是源于导管系统中空间间隔的影响。利用蒙特卡罗模拟软件建立计算模型,验证了公式的正确性。模拟结果发现,角发散分布的不连续性将引起使用光阑的光路系统样品处中子强度空间分布不均匀,甚至出现栅格暗纹效应。依据理论解析公式,提出了优化角发散分布从而减小或消除暗纹效应的方法。     

预应力钢丝生产新技术

预应力钢丝生产新技术马鞍山钢铁股份有限公司贺建平一、前言国内约有２６个预应力钢丝生产厂家。据统计，φ３．０～φ６．０ｍｍ预应钢丝的生产能力１２～２５万ｔ／ａ。预应力钢丝属国家提倡的高效钢材，一般可节省钢材约２０％～３０％，但生产过程中有铅淬火、酸洗、...     

半导体阵列微剂量探测器前端读出电路设计

根据三维Si SOI PIN像素微剂量探测器特性参数,设计了一种基于GF chrt018IC CMOS工艺的前端读出电路。该读出电路主要包括PMOS输入的电荷灵敏前前置放大器,有源整形滤波电路,电压比较器及基准电流源等,可实现对微剂量信号的放大、滤波降噪、甄别输出等功能。仿真测试表明:能量探测范围为5~500 fC,单通道功耗约为2 mW,总噪声性能为0.05 f C+1.6×10~(-3)fC/pF。     

分布式铝电解过程控制系统中的数据通讯

本文介绍由一台 IBM—PC/XT 微型机和五台 Z80——Ⅱ单板机构成的分布式铝电解过程控制与管理系统中的数据通讯网络.在分析了 Z80——SIO,IBM 异步通讯适配器和 MRDS——Ⅰ型数据收发器特性的基础上,设计了网络结构。网络通讯协议及其软件.成功地实现了一个分布式控制系统的通讯网络。     

中国液态锂铅包层材料研究进展

液态锂铅包层是国际上普遍关注和最有发展潜力的聚变堆包层概念设计之一,而包层材料是液态锂铅包层的核心问题之一.目前,液态锂铅包层普遍选用低活化铁素体/马氏体钢(RAFM钢)作为结构材料,液态锂铅作为中子倍增剂及氚增殖剂.另外,部分设计采用了耐高温、电绝缘流道插件作为功能材料,以降低磁流体动力学效应及提高冷却剂出口温度(高于700℃).为适应液态包层的发展需求,中国科学院等离子体物理研究所FDS团队联合国内外相关研究单位,进行了具有中国自主知识产权的中国低活化马氏体钢(CLAM钢)及液态锂铅包层功能材料研发,并开展了锂铅热对流及强迫对流回路的设计、研制及腐蚀实验研究,以研究液态金属锂铅的流动特性及其与结构和功能材料的相容性.同时建立了聚变堆材料数据库平台,为促进中国聚变堆液态包层及材料技术的研究和发展提供数据支持.     

^110Ag高自旋态及其旋称反转研究

该实验在中国原子能科学研究院的HI-13串列加速器上完成。通过重离子熔合蒸发反应^110Pd（^7Li，2p2n）^110Ag布居^110Ag的高自旋态，探测装置由14套HPGe-BGO反康谱仪组成。实验靶^110Pd的厚度为2．4mg／cm^2，并带有0．4mg／cm^2的Au衬。通过激发函数测量，选取^7Li束的最佳能量为49MeV。     

单粒子效应辐射模拟实验研究进展

应用质子直线加速器进行了静态随机存取存储器(SRAM)的单粒子效应模拟实验研究.采用金箔散射法降低质子束流,研制了弱流质子束测量系统,测量散射后的质子束流,实验测得SRAM质子单粒子翻转截面为10-14 cm2/bit量级.利用重离子加速器和锎源进行了SRAM的单粒子效应实验.研究其单粒子翻转截面与重离子线性能量传输(LET)值的关系,得到了单粒子翻转阈值和饱和截面.实验表明252Cf源单粒子翻转截面与串列加速器的重离子单粒子翻转截面一致,说明对于SRAM,可以用252Cf源替代重离子加速器测量单粒子翻转饱和截面.与中国原子能研究院、东北微电子研究所合作开展了国内首次重离子微束单粒子效应实验.建立了大规模集成电路重离子微束单粒子效应实验方法,找到了国产SRAM的单粒子翻转敏感区.应用14MeV强流中子发生器进行了SRAM单粒子效应实验,测得了64K位至4M位SRAM器件14MeV中子单粒子翻转截面.用α源进行SRAM单粒子效应辐照实验,模拟封装材料中的232Th和238U杂质发射出的α粒子导致的单粒子翻转.测量α粒子射入SRAM导致的单粒子翻转错误数,计算单粒子翻转截面和失效率,比较三种器件的抗单粒子翻转能力,为器件的选型提供依据.并开展了路由器的α粒子辐照实验,复演了路由器在自然环境中的出错情况,为路由器的设计改进提供了依据.     

27 ^178Os的高自旋态寿命测量

实验工作于2004年9月在HI-13串列加速器上完成。通过重离子熔合蒸发反应^29Si＋^154Sm布局^178Os核的高自旋态。实验中^154Sm靶的厚度为1．4mg／cm^2，衬底采用厚度为20mg／cm^2的铅衬，束流能量为155MeV。     

石墨炉原子吸收光谱法同时测定银铜

一、实验 1.装置 原子吸光分析装置,使用的是日立170-50型原子吸光分光光度计,日立GA-2型石墨原子化器。所得的吸收信号的记录按前已报导的方法,通过A/D变换器输入电子计算机。仪器的测定条件如下表。为了把银和铜的原子化时差增大,石墨炉通过调节器,慢慢地进行加热。光源是在通常的空阴极灯和背景校正用氘灯的位置上,装置银和铜的空心阴极灯,同位相点灯,使通过石墨炉的光用通常的一个分光器及检出器接收。