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退火处理后的 CsI:Pb晶体在 10~ 30K温度范围内观察到两类发光 :当激发波长为 410nm, 主要发光带在 464nm附近 ;而当激发波长为 360nm或 300nm,主发射带为 422nm。这两种发光带 的相对强度与退火时间的长短密切相关。讨论了 CsI:Pb晶体中不同的 Pb2+基聚集相的形成机制 和发光机理。 相似文献
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报道了一种适于模拟n沟道非晶IGZO薄膜晶体管(a-IGZO TFT)的直流I-V特性的分析模型。该模型充分考虑了深能级类受主态对自由电子的捕获,并将表面势的概念引入a-IGZO TFT结构。在分析器件能带结构和载流子输运的基础上,参考Si基MOSFET中表面势模型的分析方法,利用半导体-绝缘体界面电荷的泊松方程表达,并结合能带-电压关系,导出了器件饱和区和非饱和区的I-V解析表达式。通过Matlab编程模拟了a-IGZOTFT的转移特征曲线和输出特征曲线,对文献中实验数据进行拟合发现,提出的模型与实验数据均能很好地吻合。该模型结构简明,所包含的参数物理意义明确,有很强的实用性。 相似文献
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上好体育课的主要一环是如何调动学生上课的积极性,启发求知欲,满足学生在身心方面对体育知识和身体锻炼的需要。本文从认知心理学角度,探讨了体育课的组织与教法,把认知与教学统一起来,使教学与学生的生理、心理特征有机结合起来,丰富教法,提高教学水平。 相似文献
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Multisim11.0软件是专门用于电子电路仿真和设计的EDA工具,将EDA引入电子技术课程设计这一实践教学环节,是提高电子电路设计水平和设计能力的有效方法。本文通过数控直流稳压电源的设计、仿真,进一步阐明了Multisim仿真软件在电子技术课程设计中的重要性,能有效提高学生的自主学习和创新能力。 相似文献
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采用离轴菲涅耳数字全息干涉术实现了对电路板表面的连续弯曲形变测量。在电路板两端依次施加0.01mm至15mm位移载荷过程中,记录了1 501幅全息图。通过相邻两幅全息图数值重建的复振幅相位分布相减得到干涉相位差,根据相位差与离面位移的关系计算得到照明测量区域的离面位移,通过累加获得了施加1~15mm位移载荷时电路板表面的弯曲形变测量结果。由5块相同规格电路板上照明测量区域中同一电容中心点的离面位移,计算得到测量结果的A类不确定度不超过0.008mm,加载夹具引起的测量结果的B类不确定度为0.003 5mm,测量结果的合成不确定度不超过0.008 7mm。实验表明这种利用离轴菲涅耳数字全息干涉术测量物体大位移连续弯曲形变的方法具有良好的重复性和稳定性。 相似文献
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