罩式炉退火T4级上限硬度镀锡原板生产工艺优化

通过对罩式炉退火制度进行优化，采用优化的辊面凸度曲线，在双机平整机上，使厚度小于0．25mm镀锡原板的干平整伸长率大于1．3％。利用退火制度和平整伸长率的合理组合，生产优质T4级上限硬度镀锡原板，首先在实验室条件下进行了模拟实验，试轧后投入批量生产，结果表明，镀锡原板的表面硬度达到HR30T63－65，板形良好，各项性能要求均满足用户需求。     

膜系统下的一种多目标优化算法

提出一种基于膜优化理论的多目标优化算法,该算法受膜计算的启发,结合膜结构、多重集和反应规则来求解多目标优化问题。为了增强算法的适应能力,采用了遗传算法中的交叉与变异机制,同时在膜中引入外部档案集,并采用非支配排序和拥挤距离方法对外部档案集进行更新操作来提高搜索解的多样性。仿真实验采用标准的KUR和ZDT系列多目标问题对所提出的算法进行测试,通过该算法得出的非支配解集能够较好地逼近真实的Pareto前沿,说明所提算法在求解多目标优化问题上具有可行性和有效性。     

Thickness Effect on Electronic Transport in Single Crystal La0.67 Ca0.33 MnO3 Thin Films

Lattice strain in thin films induced by film-sub-strate mismatchis one source for variant magnetic andresistive behaviors especiallyfor the manganite perovs-kites for which the lattice effects are wellestablished[1~5].It has been also reported that low-fi…     

定量问题求解专家系统——ESQPS

定量问题求解系统，是人工智能和专家系统研究领域的一个重要课题。本文介绍了ＥＳＱＰＳ－一个应用面向对象（ＯＯ）技术开发，可用于科学和工程技术领域中求解基本物理问题的专家系统，简述了该系统的知识表达和问题求解方法的设计思想和实现技术。     

MPS—数理问题自动求解系统

计算机自动问题求解系统是人工智能和专家系统研究领域中的一个重要课题．文中介绍ＭＰＳ—数理问题自动求解系统,一个应用人工智能技术开发的,可用于数学、物理领域中基本问题求解的专家系统．介绍了该系统知识库及问题求解方法的设计思想和实现原理．     

对计算机地质制图中若干问题的探讨

随着社会不断地发展,地质测绘行业也得到了很大的提升.人们了改变了传统的实地测绘,通过不断地研究,利用计算机对数据进行分析,并逐渐的形成了一种三维立体图形,对地质进行研究判断,这对煤矿计算机地质地图来说也不例外.虽然说计算机技术在不断地发展,但是在地质制图中还存在着一定的不足,基于此,本文对计算机地质制图进行了简单的研究,并对其中的不足制定了有效的解决对策.     

蜂窝V-BLAST系统中的功率平衡方法

有效的功率控制方法在蜂窝无线通信系统的设计中非常重要。该文提出了MIMO蜂窝系统中的功率平衡方法,并对此方法进行了性能仿真。结果表明,在接收天线数目多于发射天线数目的情况下,该文提出的功率平衡方法可以有效降低多天线系统接收端的BER值。     

多输入多输出天线蜂窝系统中的分布式功率控制方法

在蜂窝无线通信系统设计中,基于信号干扰比(SIR)测量的功率控制方法得到广泛的应用。该文提出多输入多输出(MIMO)天线蜂窝系统中的基于SIR测量的分布式功率控制(DPC)方法。该方法通过控制移动台或者基站的发射功率可以达到以下两个目标的其中之一：(1)最小化所有基站或者移动台的平均接收SIR中断概率;(2)在满足目标SIR要求的前提下最小化平均发射功率。数值仿真结果显示,该文提出的DPC方法在低的计算复杂度下,可以达到降低SIR中断概率和减小发射功率的目的。     

Ni(Pt) 锗硅化合物/Si1-xGex 接触电阻的测试

The electrical properties of Ni0.95Pt0.05-germanosilicide/Si1_xGex contacts on heavily doped p-type strained Sil-xGex layers as a function of composition and doping concentration for a given composition have been investigated. A four-terminal Kelvin-resistor structure has been fabricated by using the conventional com- plementary metal-oxide-semiconductor （CMOS） process to measure contact resistance. The results showed that the contact resistance of the Ni0.95Pt0.05-germanosilicide/Sil-xGex contacts slightly reduced with increasing the Ge fraction. The higher the doping concentration, the lower the contact resistivity. The contact resistance of the samples with doping concentration of 4×10^19 cm^-3 is nearly one order of magnitude lower than that of the sam- ples with doping concentration of 5 × 10^17 cm^-3. In addition, the influence of dopant segregation on the contact resistance for the lower doped samples is larger than that for the higher doped samples.     

GaN基450nm波长LD在阈值处的反常电学特性

精确表征了GaN基450nm 波长LD的电学 特性,表观测量的电学参量在阈值附近都出现了明显的突变。器件的(IdV/dI-I)曲线在阈值处突 然上跳。与此对应,其他电学参量在阈值处的突变也与以往观察到的窄带隙780nm 波长LD在阈值处的突变完全反向。表观特性的反常必定造成反常的结特性,利 用 ac－IV方法精确表征了器件的结特性,在阈值区各结电学参 量的突变趋势与以往报道的 窄带隙780nm波长LD也完全相反。光学实验表明,在阈值区内(约3mA)光功率增加 近1个量级。光特性的突然增加必定与电学特性的突变存在必然联系。所有这些反常的电学 特性是传统的激光器理论难以解释的,将促使LD理论的进一步发展。