X70海洋管35 MPa外压数值仿真与试验研究

海洋管在工作时的抗外压强度是一个重要参数,对现场应用有重要影响,设计制造完成后必须对其抗外压强度进行试验研究。以深海高压模拟试验舱为基础设计了X70海洋管3 500 m水深的内压及外压试验方案,用ANSYS有限元仿真分析了试验试件在高压下的应力应变及堵头的强度。海洋管外压试验过程中的应力应变参数用应变数据采集系统进行了记录。试验结果表明:试件的密封性和焊缝强度满足试验要求,管体变形均属于弹性变形,其强度满足3 500 m水深的工作要求,验证了设计计算的正确性。     

LTE系统上行链路调度算法研究

长期演进(Long Term Evolution,LTE)已经成为4G无线技术标准。目前,LTE分组调度的下行链路调度被大多数研究者研究,上行链路的研究相对较少。针对上行链路调度无法保证实时业务分组在延迟期限内传输,存在公平性较差、分组丢弃多的问题。因此,提出了一种新的上行链路调度算法。该算法根据实时业务的延迟约束条件建立目标整数线性规划模型,再根据目标整数线性规划模型进行调度。实验结果表明,该算法能保证实时业务分组在延迟期限内传输,适用于实时业务,能确保公平性,最小化分组丢弃,具有较好的适用性。     

LCoS微显示驱动芯片表面形貌研究与改进

介绍了LCoS技术的特点与发展现状,LCoS性能的优劣与硅基片平整度有直接关系,着重进行了LCoS微显示驱动技术表面形貌的研究与改进.通过严格控制工艺步骤,降低台阶高度;合理设计版图布局,使台阶叠加在隔离像素区域的沟槽中,这样既能实现像素电极区域的局部平坦化,又因为沟槽不作为显示区域,对整体显示效果影响较小.     

带有半导体激光器寿命检测的驱动电源的设计

作者研制了一种带有半导体激光器(LD)寿命检测的驱动电源,该电源通过高精度的采样电路和分步调整方式,不仅可以达到恒功率控制,而且能够检测LD的工作寿命,具有寿命预告警、失效保护功能,从而保证LD工作的可靠性、连续性.     

激光防护塑料材料的研制

对激光吸收剂IR10 60、5 3 0、5 80的激光吸收进行了比较,并确定其在材料中的比例。以聚碳酸酯为基材,搀杂激光吸收剂IR10 60、5 3 0、5 80制备了防波长为5 3 0nm和10 60nm激光、眩光的激光防护材料,并对其光学密度、抗激光能量损伤、可见光透过率和物理性能进行了测试,分析了激光吸收剂IRl0 60、5 3 0、5 80在材料中所占比例对其力学性能的影响。结果表明激光吸收剂的加入能提高材料的抗冲击强度。且比例的多少对材料的力学性能没明显影响,所制得的激光防护材料完全可以满足防激光、眩光的要求。     

无线通信系统异构网络的自动邻区关联方法

主要提出一种宏小区与毫微微小区混合组网的异构无线通信网络,从而设计了一种用于异构无线通信网络中的基站间自动邻区关联的方法,并阐述了具体实施步骤。该方法支持异构网络中的基站自组织功能,基站能够在自动邻区关联的过程中正确地获得邻区基站的ID,从而成功构造邻区关系且无需人工配置,克服了已有方法存在的缺陷。同时,该方法无需修改空口信令,也不会增加空口信令开销。     

600 MW机组燃煤锅炉耦合生物质气再燃污染物排放研究

为了研究生物质气种类及再燃区过量空气系数对燃煤耦合生物质气再燃过程的影响,基于Fluent软件搭建燃煤锅炉耦合生物质气化炉再燃燃烧模型,对某电厂600 MW机组四角切圆燃煤锅炉耦合2台20 t/h生物质气化炉再燃过程进行数值模拟,研究了秸秆气、食物垃圾气及沼气分别在再燃区过量空气系数为0.7、0.8、0.9工况下对炉内...     

超级芳纶Ⅲ的特性简介

介绍彩芳Ⅲ的主要力学性能和耐热性,分别与俄杂环芳纶Armos和美对位芳纶Kevlar-49品牌比较,彩芳Ⅲ各项性能与Armos相近,但高于Kevlar-49.     

高氯容抗水性重整氢气脱氯剂及级配技术研究开发

经过组分调配和外观设计优化,采用一次滚球法、混捏挤条法制备了钠铝(Na-Al)系、钙锌(Ca-Zn)系、钙(Ca)系脱氯剂,采用XRF、XRD、氮吸附法对脱氯剂进行了表征.结果表明,部分原料氢氧化钙转变为碳酸钙形态;CLR404、CLR407、CLR408脱氯剂BET法比表面依次为195.219 m2·g-1、34.3...     

Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷

为研究Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷情况,用Co-60源对Pow-er MOSFET进行了总剂量的辐照实验,移位测试了器件的亚阈值曲线漂移情况,通过最大斜率线性外推法和亚阈值分离方法提取了开启电压、增益因子、迁移率、氧化物陷阱电荷和界面态电荷随辐照总剂量的漂移情况.研究结果表明:在1000krad(Si)辐照下器件开启电压漂移小于2V,迁移率退化小于20%,氧化物陷阱电荷和界面态电荷处于比较理想的状态,小于2×1011cm-2.