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51.
对由制造商网络直销渠道和零售商传统渠道构成的双渠道供应链系统进行研究。首次在建议零售价背景下研究了批发价格模式选择问题,运用制造商主导的Stackelberg博弈,得出了供应链各成员的价格均衡策略。综合考虑零售商谈判能力和和消费者对渠道的偏好度,对比分析了不同批发价谈判模式下的制造商利润、零售商利润和供应链利润。结果表明,制造商可通过建议零售价调整市场价格;从供应链总体或者零售商角度,以直销价格为基准确定批发价格是最优的;制造商倾向于单独确定批发价格,但当零售商谈判能力较弱,且网络渠道基本市场份额偏大时,也可接受以网络直销价为基准确定批发价格。  相似文献   
52.
为响应教育部关于资助总经费5,000万元在全国一批高校内设立100个人才培养模式创新实验区,推进人才培养模式的综合改革,5月22-23日,"北工大—赛灵思软件工程(嵌入式系统方向)联合人才培养模式创新实验区"开园仪式以  相似文献   
53.
旅行商问题(TSP)是组合优化问题的典型代表,针对TSP的求解提出一种离散型细菌觅食(DBFO)算法.该算法通过结合2-opt算法设计了一种适合处理离散型变量的趋化算子,将细菌觅食算法推广到了离散情形.同时,结合TSP的特点,在迁徙算子中引入基因库的思想来指导新个体的生成,提高了算法的搜索效率.通过对TSPLIB标准库中22个实例进行仿真实验.实验结果表明,该算法能够有效求解城市规模500以下的TSP,与混合蚁群算法和离散型萤火虫群算法相比,具有更好的全局收敛性和稳定性.  相似文献   
54.
概述了焦化公司通过对制冷水与制冷循环水管的改造,从而节省了部分设备并降低了电耗,减轻了工人的劳动强度。  相似文献   
55.
由于家庭与办公联网的日趋普遍,设备间实现高速、低成本、无障碍互联的需求日渐增强,因此对“连接”解决方案的全面性与兼容性提出了新的挑战。3月7日,TI在京介绍了连接解决方案的发展趋势。2005年,全球接口IC的市场销售总额将达到30亿美元, 产品应用涉及消费类电子、工业与计算机领域,这一充满商机的市场早已成为众多半导体厂商角逐的目标。TI拥有全面的“连接”解决方案, 涵盖1394(1394a、1394b)、USB2.0(USB全速、USB高速、兼容USB1.1规范 ),PCI、数字视频接口(DVI)、UART、以及未来无线接口等。TI新近推出IEEE 139…  相似文献   
56.
NXP已经和正在采用ARM所有用于MCU/DSC的Cortex—M系列芯核开发芯片。新动向有:1.过去NXP的8051内核8位MCU曾风靡市场,但现在NXP已经逐步转向Cortex—M0,因NXP认为M0在占位尺寸、效率、低功耗方面比8051具有优势;2.Cortex—M3 MCU定位16位和32位MCU和DSP,已大量推出产品;  相似文献   
57.
将电流体动力学(EHD)主动强化换热技术应用到微槽换热器中是解决化工、能源领域散热问题的一种有效手段。参考自适应理论建立了一维轴向无量纲分析模型,并将库仑力、介电电泳力和电致伸缩力都引入进了模型中,研究EHD效应对三角形毛细微槽热沉内液体干涸特性的影响。研究发现,电场能有效提升微槽内液体干涸长度。三角微槽内液体的干涸高度以及自适应长度都随着电场强度的增加而增加。本文也得到了不同电场强度下三角微槽内液体曲率半径沿轴向的变化,发现随着电场强度的增加,相同截面上的液膜曲率半径增加,且离微槽入口越远的位置,曲率半径增加幅度更大。  相似文献   
58.
随着多元文化的蓬勃发展,当代大学生的理想信念、行为方式、价值取向等方面也受到了一定的影响。在多元文化的冲击下,高校思想政治教育面临着严峻挑战。如何在多元文化背景下对大学生的思想政治教育进行改革优化,已成为当前高校思想政治教育的一个工作重点。本文在分析高校思想政治教育在多元化背景下所面临挑战的基础上,对多元文化背景下思想政治教育工作开展过程中所应遵循的基本原则及思想政治教育的创新举措进行了深入研究。  相似文献   
59.
以4,4'-二氨基二苯醚(ODA)和均苯四甲酸二酐(PMDA)为单体,以聚苯胺-二氧化钛(PANI-TiO_2)为掺杂物,用原位聚合和超声振荡法制得聚酰胺酸/聚苯胺-二氧化钛溶液,经热亚胺化制得聚酰亚胺/聚苯胺-二氧化钛(PI/PANI-TiO_2)复合薄膜。采用FTIR、SEM、TG-DTG、介电常数、电子万能试验机等对复合薄膜的结构、形貌和性能进行了表征与测试。结果表明:PI/PANI-TiO_2薄膜的热亚胺化完全,PANI-TiO_2粒子在PI基体中分布均匀。掺杂10%(以反应制得PI的质量为基准,下同)PANI-TiO_2的PI/PANI-TiO_2复合薄膜的综合性能优于纯PI,其拉伸强度由纯PI的14.8 MPa提高到43.8 MPa;初始分解温度由纯PI的435℃提高到518℃,800℃时的残炭量达到57.7%;介电常数由3.38提高到3.86,介电损耗由0.0013提高到0.0040。  相似文献   
60.
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