第1问

一种新观点认为,随着工业和信息化部成立、国务院信息化工作办公室“不再保留”,当前的中国电子政务建设进入“重要机构缺位”的时代,这对电子政务发展非常不利。从我国电子政务推进的历史和实践来看,非常需要一个“顶层、专管、超脱、强力”的领导和协调机构,并提出“尽早恢复国信办”等建议。对此,您如何评价？为什么？     

在数字世界中掌握先机——TI对DSP中国前景充满乐观

德州仪器公司(TI)的中国区董事总经理郭江龙近日在TIDSPS(DSP Solutions)研讨会上预言：“也许在不远的将来，你在西藏拉萨旅行时，会看到有人在使用数字相机；在中国的偏远地方也将通上ADSL(非对称数字用户环路)。”     

Xilinx:高端、低端FPGA新成果展示

全球新启动的FPGA设计项目超过10万项,表明电子设计师正在从固定逻辑转向可编程功能。2004年9月16日,FPGA付运量最大的厂商—赛灵思(Xilinx)公司在成立20周年之际,在海南三亚举办了题为“可编程系统设计”的亚太媒体峰会,展示了该公司在高端与低端FPGA产品上的最新成果。Virtex-4及设计工具正式出货会上,Xilinx宣布其密度最高的FPGA—Virtex-4产品线以及针对该产品线的全套设计工具正式出货,这标志着第一个利用90nm/300mm芯片制造工艺技术生产的多平台FPGA系列产品按时推出。Virtex-4系列是Xilinx的第二个90nm产品线(第一个为Spa…     

Infineon展示电源管理解决方案

3月中旬,在上海新国际博览中心举行的PCIMChina博览会上,世界第6大半导体公司——德国Infineon(英飞凌)展示了传动装置电力电子设备以及应用于消费电子、汽车和工业的电源管理技术和方案。本刊特别采访了Infineon汽车与工业电子部的三位专家:来自德国的Leo Lorenz博士,来自新加坡的李立扬经理,以及上海的现场应用工程经理沈彤先生。Infineon在IGBT模块及大功率半导体市场位居世界第二,主要源于技术的创新。例如,Infineon引以自豪的两款创新电力半导体产品:高压MOSFET(CoolMOS)以及绝缘栅双极晶体管(IGBT),都从工艺与制造上注入…     

气浮实验台位姿视觉测量方法

为了实现气浮实验台位姿的实时确定,提出了一种基于单目视觉的位姿测量方法。首先,设计了一种具有旋转、平移、缩放不变性且易于探测的圆形合作靶标;其次,结合靶标尺寸、形状以及安装位置,基于Blob分析快速识别合作靶标,保证了定位点提取的准确性;然后,提出一种在待识别区域内进行行、列扫描统计的靶标圆心测量算法,实现靶标圆心的快速、鲁棒提取;最后,结合计算机坐标系下的圆心位置以及视觉测量系统中坐标变换关系,解算气浮实验台的实际位姿。实验结果表明:该方法测量位姿精度较高,抗噪能力强,在处理1 600 pixel1 600 pixel图片的情况下,平均测量周期为53.086 ms （约19帧/s）,能够实现对气浮实验台位姿实时、精确、鲁棒的测量。     

TI看好微型投影和嵌入式投影

由德州仪器(TI)DLP(数字光学处理技术)产品事业部举办的2012 DLP创新论坛近日在京举行。TI高级副总裁兼DLP产品事业部总经理Kent Novak介绍了DLP的四大业务:影院、前投、微投以及嵌入式投影。     

发展3D NAND闪存的意义

首届IC咖啡国际智慧科技产业峰会于2017年1月14日在上海召开,长江存储集团公司CEO杨士宁介绍了对存储器市场的看法,及选择3D NAND闪存作为主打产品的战略思考.     

星载荷热控制辐冷板激光致热计算分析

卫星的温度变化直接影响着电子器件的工作性能,为了研究辐冷板的温升效应对电子器件温度的影响,通过分析辐冷板的散热机理和辐冷板工作特性,采用有限元分析软件,对简化后的辐冷板模型进行了激光辐照热效应计算分析。以脉冲激光作为辐射源,对辐冷板进行照射,通过对其表面温度场进行数值模拟,得到了在脉冲激光照射下的瞬态温度场分布,并对模拟结果进行了分析和研究。发现电子器件在没有散热的情况下温度将升高64.5 K,在最大工作状态时激光的照射将严重影响热管的工作性能,而且热管的非正常工作将使电子器件温度升高,影响电子器件正常运行,为星上温度影响电子器件性能实验奠定了理论基础。     

MiCrel电源管理为特色的模拟公司

在模拟市场,不仅有那些声名显赫的豪门巨子,还有一些富有特色的中、小公司,产品往往在某一技术上"一招鲜".最近,本刊采访了Micrel公司,了解了这家公司在高性能模拟市场的优势.     

2~3微米波段InP基无锑激光器和光电探测器

介绍了我们基于InP衬底采用无锑材料体系开展的2~3μm波段激光器及光电探测器方面的持续探索,包括采用赝配三角形量子阱方案的2~2.5μm波段I型InGaAs多量子阱激光器、采用虚拟衬底异变方案的2.5~3μm波段I型InAs多量子阱激光器、以及截止波长大于1.7μm的高In组分InGaAs光电探测器等,这些器件结构均采用GSMBE方法生长,其中2.5μm以下波长的激光器已实现了高于室温的CW激射并获实际应用,2.9μm波长的激光器也在热电制冷温度下实现了脉冲激射,含超晶格电子阻挡势垒层的截止波长2.6μm InGaAs光电探测器暗电流显著减小,此类光电探测器材料已用于航天遥感焦平面组件的研制.