新型近红外超长余辉材料Zn3Ga4GexO9+2x:1%Cr3+的制备与发光性能研究

采用高温固相反应法制备了Zn₃Ga3.99Ge xO9+2x:1%Cr³⁺(x=1,2,3,4,5)新型近红外长余辉荧光粉, 利用X射线衍射(XRD)和荧光(PL)光谱分别对其晶体结构、PL性质和余辉性能进行了分析。结 果表明,Zn₃Ga3.99Cr0.01GexO9+2x实际上是Cr³⁺和Ge⁴⁺共同取代了ZnGa₂O₄尖晶石 结构中的部分Ga³⁺而形成的固溶体; 样品可以被近紫外光和蓝绿光有效地激发,发射出640nm波长范围的红光和近红外光,峰值位于695nm波长 附近,属于Cr³⁺的特征发射,对应于²E→⁴A₂的跃迁;余辉持续时间均超过300h。进一步分析了烧结温度对Zn₃Ga 3.99GexO9+2x:1%Cr³⁺(x =1,2,3,4,5)材料的发光和余辉性能影响,得到Zn₃Ga3.99Cr0.01Ge₁O₁₁ 的最佳烧结温度是1200℃,且随温度的升高, 样品的发光和余辉性能均得到提高。     

不同V/Ⅲ束流比对GaAs(001)面重构相的影响

GaAs表面在不同的V/Ⅲ束流比下会呈现不同的表面重构相.本文通过改变As4 BEP和Ga BEP的束流强度,获得不同As4 BEP和Ga BEP束流比下GaAs(001)从富As β2(2×4)重构相转变成富镓β2(4×2)重构相的RHEED衍射图样,然后利用球棒模型对衍射图样进行解释.     

热处理温度对Li2SrSiO4:Eu2+发光性能的影响

采用高温固相反应法制备一种白光发光二极管(LED )用黄色荧光粉Li₂Sr(1－x)SiO₄:xEu²⁺, 研究测试温度和退火温度对Li₂Sr(1－x)SiO₄:xEu²⁺荧光粉发光性能的影响。实验发现,对于 不同掺杂浓度的样品,在不同测试温度下,经过热处理后的样品与未处理样品相 比,激发和发射光谱强度得到普遍提高,原因是热处理后晶体结构的完整性得到 提高。在变温测试下,Li₂Sr(1－x)SiO₄:xEu²⁺的发光性能总体是随着测试温度升高而 下降,但在短波长(500～550nm)范围内的发光性能随着温度升高 而增强。分析表明,这与Li₂SrSiO₄基质材料的晶体结构和掺杂元素有关。     

用硫代硫酸钠从湿法炼锌渣中浸出银

研究了用硫代硫酸钠从某炼锌厂锌渣中浸出银。将锌渣球磨至0.245 mm以下,在液固体积质量比6∶1、硫代硫酸钠浓度0.4 mol/L、硫酸铜浓度0.3 mol/L、60℃、pH值8.5~9.5条件下浸出3 h,银浸出率超过87%。     

黄色荧光粉CaBi_2Ta_2O_9:Dy~(3+)的制备及发光性能

采用高温固相反应法制备了Dy3+掺杂铋层结构铁电氧化物CaBi2Ta2O9(CBTO)荧光粉。分别对样品进行了X射线衍射(XRD)分析、扫描电镜(SEM)测试和荧光光谱(PL)的测定。研究表明:荧光粉CBTO:Dy3+的最强激发峰为450 nm,与商用蓝光LED的发射光波长相匹配,发射带峰值位于574 nm,对应于Dy3+的电偶极跃迁4F9/2→6H13/2。分析了Dy3+摩尔分数对样品发光强度的影响,其最佳摩尔分数为7%,根据Dexter理论分析其浓度猝灭机理为电偶极-电偶极相互作用。分别研究了电荷补偿剂Li+、Na+和K+对CBTO:Dy3+发射光谱的影响,结果显示不同的电荷补偿剂均能不同程度地提高样品的发光强度。     

功率VDMOS器件的研究与发展

简要介绍了垂直双扩散功率场效应晶体管(VDMOS)的研究现状和发展历史.针对功率VDMOS器件击穿电压和导通电阻之间存在的矛盾,重点介绍了几种新型器件结构(包括沟槽栅VDMOS、超结VDMOS、半超结VDMOS)的工作原理和结构特点,以及其在制造工艺中存在的问题.对不同器件结构的优缺点进行了比较分析.对一些新型衍生结构...     

BaO-MgO二元系相图优化计算研究

在对BaO-MgO二元系热力学数据评估的基础上,采用Thermo-Calc软件对该体系相图进行优化计算.采用规则溶液模型,获得了较完整的BaO-MgO二元系相图和该体系较完整的热力学数据.还对该二元系的混合焓及组元活度进行了讨论.通过与实验数据进行比较,在富BaO端与实验结果基本吻合;在富MgO端,采用了最新的MgO熔点温度,获得了更加合理的液相线.     

B／P共掺杂呋喃树脂炭用作锂离子电池负极材料的研究

以添加8wt％磷酸的呋喃树脂为前驱体,经固化后混入不同含量的硼酸,升温至8500C炭化制得B／P共掺杂树脂裂解炭。采用热重分析考察固化后树脂的热失重,采用XRD和氮气物理吸附分别考察物相、微晶结构变化以及比表面积和孔结构的变化,同时采用恒流充放电技术对其充放电性能进行了研究。结果表明,B／P共掺杂使裂解炭的比表面积明显下降,孔洞数量减少,且随着B／P的增加,裂解炭中BPO4的含量增加;当B：P（at％：at％）=1．0时,树脂裂解炭的电化学性能得到了有效改善,首次可逆容量高达378．2mAh／g,较磷掺杂树脂裂解炭提高～30mAh／g,且循环50次后可逆容量保持率为86．8％。     

Li+掺杂浓度对Sr3ZnNb2O9:Eu3+荧光粉发光特性的影响

Li⁺作为电荷补偿剂可以提高Sr₃ZnNb₂O₉:Eu³⁺荧光粉的发光强度和热稳定性。本文通过高温固相反应成功制备了Sr₃ZnNb₂O₉:xEu³⁺,yLi⁺(0≤x≤0.5,0≤y≤0.5)荧光粉,为了鉴定和描述样品的物相、发光特性和热稳定性,进行了XRD和发光光谱测试。结果表明:Eu³⁺和Li⁺已经成功掺入到基质材料中,并取代Zn²⁺位点;Li⁺的最佳掺杂浓度为0.3(摩尔分数),浓度猝灭类型是在最近邻离子之间;掺杂Li⁺提高了荧光粉的热稳定性,活化能为0.193 eV,CIE色坐标为(0.651,0.349),非常接近国际照明委员会规定的标准色坐标。     

在RHEED实时监控下GaAs晶体生长研究

采用分子束外延技术,利用RHEED图像可研究GaAs表面重构方式和生长机制。报道了一种新型的分子束外延方法,在RHEED实时监控下,利用GaAs(001)基片同质外延GaAs。通过改变生长和退火的时间与温度(420、500、580℃),结合RHEED图像演变与GaAs表面平整度(粗糙化)的联系,得到表面原子级平整的GaAs样品。完成生长后对样品做EDS分析,确定样品为高纯度GaAs。利用这种方法,得到厚度约为4μm砷化镓晶体。