伟大的电能无线传输技术

无线电能传输技术近在眼前可能在不远的将来,用户就有可能摆脱使用充电器充电、更换电池以及接插家电设备电源线等麻烦。利用无线方式将电能传输到所     

薄膜晶体Si太阳电池的潜力

如果效率和成本这两个“目标”能够达到，薄膜晶体Si太阳电池有可能替代目前在光伏市场上占主导的多晶Si太阳电池。[第一段]     

半导体的“闪光面”

半导体工业中的绝大多数活动都是围绕着硅开展的；但也没有忽视其它的半导体。美国西北大学量子器件中心（CQD）主任MRazeghi教授指出：“化合物半导体类似于食物中的盐”，它们中的每一种材料都具有其它材料所不具备的重要性。[第一段]     

锗：从直拉晶体生长技术的首次应用到大直径无位错晶片

锗是工业上第一个重要的半导体。具有良好半导体性质的第一个Ge晶体由Purdue大学研制茁莱并由贝尔实验室于1947年用它制出第一只晶体管。Ge是研究半导体性质的“模板”。贝尔实验室的Teal和Little于1948年首先用直拉技术生长出Ge单晶。近年来，在新型晶体管和光电应用方面，Ge又引起了人们的重视。     

在Si衬底上生长高性能Ⅲ-V族器件

日本NTT公司和台湾国立交通大学合作利用si衬底研制出一种AiGaSb／InAs HEMT结构，其迁移率高达27300cm^2／V．s，该种结构将用于逻辑电路，它把Ⅲ一V族结构的高迁移率和si衬底的低成本、高硬度和大直径结合起来了。[第一段]     

一种新型压电陶瓷极化装置

采用压电陶瓷变压器作为极化装置的高压发生源，并对以往极化装置作一体化配套改造与完善，研制出一种性能优于国内外同类装置水平的新型压电陶瓷极化装置。该装置具有体积小、重量轻、不怕短路、功能齐全、不需采取特殊防护措施、操作方便安全、价格低、稳定可靠等特点，可在压电材料与器件的研制及生产中推广使用     

FD—EISA—SCSI主适配器

描述了ＦＤ－ＥＩＳＡ－ＳＣＳＩ主适配器在高档微机４８６系统Ｉ／Ｏ中的功能、主要指标、结构及工作方式，以及在设计中解决的一些主要问题。