4 Gbps低功耗并串转换CMOS集成电路

为满足传输数据的高速低功耗的要求,文章设计了一种半速率时钟驱动的二级多路选择开关式的10：1并串转换器。第一级为两个5：1的并行串化器,共用一个多相发生器。多相发生器由五个动态D触发器构成。第二级为一个2：1的并行串化器。采用半速率时钟、多路选择开关结构降低了大部分电路的工作频率,降低了工艺要求,也降低了功耗。通过调整时钟与数据间的相位关系,提高相位裕度,降低了数据抖动。采用1．8V 0．18μm CMOS工艺进行设计。用Hspice仿真器在各种PVT情况下做了仿真,结果表明该转换器在输出4Gbps数据时平均功耗为395μW,抖动18s^-1．     

三值“阈”门和T门集成电路的实现

本文介绍了一种结构简单、适于集成化的三值“阈”门电路,并设计了一个多功能三值T门集成电路。给出了它们的研制结果、逻辑操作波形以及线性“与或”门三值运用时的瞬态特性分析结果。实验表明:我国提出的多元逻辑(DYL)电路结构在实现多值集成电路方面同样有广阔前景。     

多晶硅TFT模型的研究进展

全面介绍了多晶硅薄膜晶体管(TFT)紧凑模型的现状和应用前景,简单说明了多晶硅TFT特有的电学特性,这是多晶硅TFT建模的基础,重点介绍了基于阈值电压和基于表面势的多晶硅TFT紧凑模型的研究进展,并对这些模型进行了评述,其中RPI模型是基于阈值电压的TFT模型的典范.虽然TFT模型已经有所发展,但成熟度还远远不够.最后提出了改进多晶硅TFT模型的方向和策略,包括二维器件模拟的应用、基于表面势模型的发展、多晶硅材料特性的应用、统一模型的发展、短沟效应的建模和参数提取等.     

一种采用模糊逻辑控制的数字温控系统

本文介绍了一种采用模糊逻辑控制和多点温度设定的新型数字温控系统。该系统硬件主要由单片机、热电阻和A／D转换芯片等构成，其特点是通过软件编程实现模糊逻辑控制和多点式线性逼近的方法，使得升温过程更加均匀、精确，升温曲线更接近线性。     

基于陷落电荷效应的非晶硅TFT的开态电流模型

对非晶硅薄膜晶体管,提出基于陷落电荷和自由电荷分析的新方法。考虑到带隙中指数分布的深能态和带尾态,给出了基于阈值电压的开启区电流模型。定义阈值电压为栅氧/半导体界面处陷落于深能级陷阱态的电荷与陷落于带尾态的电荷相等时所对应的栅压。电流模型中,引入一陷落电荷参数β,此参数建立了电子的带迁移率与有效迁移率之间的关系。最后,将电流模型同时与Pao-Sah模型和实验数据进行比较和验证,结果表现出很好的一致性。     

用于器件描述和电路仿真的新型多晶硅TFT直流模型

提出一种新型的多晶硅薄膜晶体管电流-电压物理模型.考虑了陷阱态密度的V形指数分布,运用Lambert W函数推出了表面势的显式求解方法,大大提高了运算效率,在电路仿真中发挥了重要作用.基于指数的陷阱态密度和计算的表面势,描述了亚阈值区和强反型区的漏电流特性.推导了完整、统一的漏电流表达式,包括翘曲效应.在很广的沟道长度范围和工作区内,模型和实验数据一致.     

基于FPGA的四通道视频缩放引擎的研究及设计

设计了一种可实现4路视频信号缩放和帧率转换的电路架构.视频信号依次经过缩小模块、帧率转换模块以及放大模块,有效地减少了帧率转换对存储器带宽的需求.帧率变换模块采用输入和输出自适应调整的算法,同时在缩小模块采用加权均值算法,而放大模块则采用四点双三次插值算法.在满足视频放大质量要求的基础上,避免了采用过于复杂算法而消耗过...     

从PCI接口的综合验证方法

当今流行的先进的验证技术有很多,本文综合使用了OVL(OpenVerificationLibrary)断言验证、总线功能模型BFM(BusFunctionModule)层次化验证和FPGA(FieldProgrammableGateArray)硬件加速仿真这三种验证技术,搭建一个从PCI(PeripheralComponentInterconnect)接口的验证环境.实验表明,该验证环境增强了验证的可重用性、可控性,极大地减少了仿真的工作量,提高了验证的效率.     

基于遗传算法的模糊隶属函数的选择

确定合适的隶属函数对模糊控制效果有重要影响,是应用模糊控制的基础,也是难点之一。作者应用遗传算法对模糊温度传感器信号处理过程中的隶属函数进行选择,阐述了基本原理和具体实施过程,最后用一具体的实例来说明该优化算法在模糊隶属函数选择中的应用。结果表明：该方法简单实用,具有较为理想的效果。     

高聚物压电膜的改进Mason分析模型

在压电方程中引入复数是弹系数，推导出考虑损耗的高聚物压是膜厚度振动模式改进Ｍａｓｏｎ模型。在传输线和受控源形式等效电路的基础上提出用ｎ级Ｔ型网络等效有损传输线，将其转化为适宜ＰＳＰＩＣＥ环境下实现的模型。将ＰＺＴ压电元件作为特例，并对ＰＶＤＦ－ＭＯＳＦＥＴ超声传感器采用本模型等铲电路用ＰＳＰＩＣＥ进行了模拟分析，得到与实验测量相一致的结果。