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51.
介绍了一种高频感应加热电源的工作原理。建立了电路稳态工作的微分方程,推出了电压、电流的计算公式。运用Pspice电路仿真软件对主电路进行了分析,实验验证了该电路的优点。  相似文献   
52.
改进SSPD浪涌吸收能力的工艺研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
介绍了用于宽带快速信息传输系统的半导体瞬态浪涌保护器件(SSPD)在小的器件面积和小的器件电容情况下,提高SSPD浪涌吸收能力的工艺方法。理论分析和实验结果都说明,关键是减少基区总宽度,而在制备工艺中设法减少基区少子寿命的衰减也是有效措施之一。  相似文献   
53.
元器件的使用可靠性是整机可靠性的关键和基础.结合工作实践,对电路设计中元器件的使用可靠性、失效原因进行了分析、总结,并提出了提高电子元器件应用可靠性的建议.  相似文献   
54.
在低碳节能成为全球热门话题的背景下,采用LED背光源已成为当前液晶电视背光应用主流,以降低功耗为目的的动态背光调节技术应运而生。本文设计一款基于FPGA(现场可编程门阵列)的液晶电视动态LED背光调节系统,结果测试表明降低功耗最高可达48%。  相似文献   
55.
本文研究了DALI协议在照明控制系统中的应用,与正在兴起的LED照明相结合,实现智能照明。利用USB技术,使用户可以操作PC机实现对智能照明系统的控制,大大增加了操作的便利性。  相似文献   
56.
射频系统级封装是近年发展起来的实现射频电子系统的一种创新技术。对高速数据处理和高密度封装技术的特点及对射频系统封装的特殊要求进行论述.介绍了射频系统封装的基本技术和一种包含LAN、PPA、滤波器、天线开关等的射频系统级封装组件。论述了射频系统级封装的系统设计、仿真、测试的方法和步骤。  相似文献   
57.
在薄膜SOI衬底上制备普通电阻结构的硅温度传感器,并具有令人满意的特性:即使在0.1mA的低偏置电流下,器件的最高温度工作温度仍能达到550℃.实验结果分析说明,当硅膜足够薄时,普通电阻结构中可表现出较强的少数载流子排斥效应,大大提高了本征转折温度,从而提高器件的最高工作温度.同时,由于薄膜SOI温度电阻的结构对器件最高工作温度的影响不大,因而传感器的器件结构可以根据需要来选择.  相似文献   
58.
基于NI DAQ的功率LED热特性测量分析系统   总被引:1,自引:1,他引:0  
分析了功率发光二极管(LED)基于电学测量的热阻的测量方法,介绍了采用高性能数据采集卡构建了新型的功率LED热特性自动测量分析系统,实现对功率LED结温和热阻的精确、简便的测量.对几种典型功率LED样管的测试结果,与校正样品的标称值完全相符,并可对LED的瞬态热过程进行更深入分析.  相似文献   
59.
随着半导体制造技术的不断改善和工艺的不断升级,精确的模型参数对于代工厂和设计者尤为重要.而参数提取策略的选择是整个参数提取过程中的关键步骤.该研究以伯克利大学开发的SPICE Level-3 MOSFET和多晶硅薄膜晶体管模型为研究对象,以包括了短沟效应、窄沟效应、漏致势垒降低效应的MOSFET阈值电压方程和多晶硅薄膜晶体管统一漏电流方程作为研究出发点,然后分别讨论了模型中几个主要参数的提取方法,最后给出了参数提取的流程图.  相似文献   
60.
介绍了一种基于单片机的模糊逻辑控制和多点温度设定新型数字温控系统.该系统硬件主要由单片机、热电阻和A/D转换芯片等构成,通过软件编程实现模糊逻辑控制和多点式线性逼近的方法,使得升温过程更加均匀、精确,升温曲线更具有线性.该设计具有线路简单、精度高、响应快、显示直观、使用方便等特点.  相似文献   
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