半导体器件的遗传算法优化设计

以晶体管设计为例,将遗传算法应用在半导体器件设计领域从而替代传统的设计方法,即给出输入电学设计要求,便能在计算机模拟运算后输出满足要求的多组参数,从而为实现半导体器件的计算机辅助设计迈出一大步。     

基于ARM926EJ-S的MPEG-4软解码器的优化与实现

MPEG-4解码器的软件实现是嵌入式应用领域的热门研究课题。但是由于MPEG-4解码系统庞大的数据处理量和嵌入式微处理器处理能力不高的矛盾致使软解码的速度非常低。对此,根据MPEG-4软解码系统的特性及当前嵌入式领域主流微处理器ARM核的特点,研究了一种基于ARM9微处理器上实现MPEG-4软解码的算法优化方法和实现方案。详细介绍了优化的三个方面,包括软件结构优化;对数据处理较多模块编写ARM汇编函数替换;对关键模块寻找快速算法和并行处理算法等。实验结果表明优化后的算法在ARM9微处理器平台上对QVGA格式的MPEG-4码流播放速度由优化前的10 f/s提高到了37 f/s,完全实现了流畅播放,具备很高的实用价值。     

基于SOC的VC-1解码器软硬件协同设计及验证

提出了一种VC-1硬件解码器的SOC／ASIC设计方案,并在具体实现电路的基础上,重点讨论了软硬件协同设计方案及其验证策略的设计考虑。该设计方案已经通过基于FPGA的系统级验证。结果证明,设计方案完全可行。     

用于器件描述和电路仿真的新型多晶硅TFT直流模型

提出一种新型的多晶硅薄膜晶体管电流-电压物理模型，考虑了陷阱态密度的V形指数分布,运用Lambert W函数推出了表面势的显式求解方法,大大提高了运算效率,在电路仿真中发挥了重要作用，基于指数的陷阱态密度和计算的表面势,描述了亚阈值区和强反型区的漏电流特性。推导了完整、统一的漏电流表达式,包括翘曲效应，在很广的沟道长度范围和工作区内,模型和实验数据一致。     

MEXTRAM 504模型及其对SiGe HBT的模拟

针对传统SGP模型的不足，介绍了一种新型的BJT模型MEXTRAM 504及其等效电路．与传统模型相比，MEXTRAM显示了极高的准确度。由于特别增加了描述基区缓变和基区载流子复合的两个参数，使MAXTRAM适合模拟加入SiGe工艺技术的HBT，模拟曲线与Medici的模拟相当吻合，为射频器件设计和电路模拟奠定了良好的基础。     

薄膜SOI温度传感器中的少数载流子排斥效应

在薄膜SOI衬底上制备普通电阻结构的硅温度传感器,并具有令人满意的特性:即使在0 .1m A的低偏置电流下,器件的最高温度工作温度仍能达到5 5 0℃.实验结果分析说明,当硅膜足够薄时,普通电阻结构中可表现出较强的少数载流子排斥效应,大大提高了本征转折温度,从而提高器件的最高工作温度.同时,由于薄膜SOI温度电阻的结构对器件最高工作温度的影响不大,因而传感器的器件结构可以根据需要来选择.     

GTR的失效分析与快速保护

剖析了ＳＱＤ５０ＡＢ１００型ＧＴＲ功率模块的失效情况，分析了其二次击穿失效机理及引起失交的器件内部和外部原因，设计了一种快速有铲的ＧＴＲ过流保护电路。该电路使用效果显著，且自成单元，可灵活应用于各种场合。‘     

纳米时代的可制造性设计

集成电路产业在遵循摩尔定律发展进入纳米时代后，制造工艺效应对芯片电学性能的影响越来越大，使得在设计的各个阶段都必须考虑可制造性因素。介绍了可制造性设计中的分辨率增强技术、工艺可变性，以及建立可制造性设计机制中的多方合作问题。     

大屏幕TFT-LCD内部接口技术研究

内部接口技术是大屏幕TFT-LCD驱动关键技术之一,它不仅决定着整个驱动系统的硬件结构,而且其数据传输可靠性更是直接关系到显示效果的优劣。本文主要从电学参数、体系结构和传输协议3个方面介绍了以PPDS为代表的新一代内部接口技术,并与当前主流技术RSDS进行对比,分析其优缺点。     

嵌入式存储器内建自测试的一种新型应用

当今,嵌入式存储器在SoC芯片面积中所占的比例越来越大,成为SoC芯片发展的一个显著特点。由于本身单元密度很高,嵌入式存储器比芯片上面的其它元件更容易造成硅片缺陷,成为影响芯片成品率的一个重要因素。本文对采用MARCH-C算法的嵌入式存储器内建自测试进行了改进,实现了对嵌入式存储器故障的检测和定位,能够准确判断故障地址和故障类型,使嵌入式存储器故障修复更加快捷、准确,同时达到故障覆盖率高、测试时间短的目的。