光学加工对GaAs窗口晶体断裂模数的影响

用四点弯曲法测量了GaAs晶体断裂模数 ,其结果表明加工方法是影响GaAs晶体断裂模数测量值的重要因素。切割加工的GaAs晶体的断裂模数最低 ,研磨加工GaAs晶体的断裂模数其次 ,机械抛光的断裂模数再其次 ,而机械抛光后再化学抛光的GaAs晶体的断裂模数平均值最高 ,其平均值约为 135MPa。光学加工表面损伤层及损伤层中的缺陷、裂纹和应力将导致GaAs晶体的断裂模数值下降。     

掺Si补偿Cu高阻n-GaAs单晶

用水平布里奇曼法(HB法)研制掺Si补偿Cu的n-GaAs高阻单晶.既要提高多晶背景纯度,减少总杂质含量(包括减少掺Cu量和掺Si量,单晶中Cu的质量分数要≤2.00×10-5,Si的质量分数要≤1.00×10-6),又要采用熔体Cu,Si双掺的方法生长单晶,将单晶切片,并划成圆片,然后分组放入炉内在确定温度下和一定时间内进行退火.研制中发现Cu主要集中在晶体表面,导致同一晶片的上部呈p型高阻,而中下部呈n型低阻,退火可使Cu在晶片中均匀分布.     

在艺术与技术之间——2010上海世博会庆典广场设计

上海世博会庆典广场位于世博会浦东展区世博轴的尽端,由于其所处位置的独特性,建设的重要性、特殊性等原因,对设计方案的艺术性和技术性提出了高标准的要求。庆典广场中的"水镜"是整个景观设计的核心内容,也是设计的重点和难点。从方案设计的创新与景观特色入手,阐述了庆典广场的设计亮点和要实现这些设计亮点而采取的特殊工程措施。这些工程技术和工程措施在展现景观设计的技术性和科学性方面有较高的借鉴意义。     

化合物半导体材料的光电应用现状

在整个化合物半导体工业中，光电子工业一直占主导地位。本文概述了化合物半导体材料在发光二极管(LED)、激光二极管(LD)、太阳电池(SC)和光探测器(PD)方面的应用现状及发展趋势。以高亮度LED为基础的固态光源由于有着巨大的经济效益、能源效益和环境效益从而有很好的发展前景。量子结构光电器件由于具有一系列独特性能，将越来越受到重视。     

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶材料发展动态

介绍了Ⅲ Ⅴ族化合物单晶生长工艺包括LEC、VCZ、VGF/VB、HB的发展现状 ;欲生长大直径、高质量单晶 ,仍须对热传输和化学计量等问题进行深入研究。目前 ,全世界Ⅲ Ⅴ族半导体单晶产量约 80t,产值约 5亿美元。     

汾城镇古城保护与旅游开发修建性详细规划

列举汾城镇古城特色,详细地阐述了汾城镇古城保护与旅游开发修建性详细规划,对古城“三区一街一环”的发展格局进行了介绍,以促进古城的保护及开发。     

MLEC锑化镓单晶性能研究

首次报道了在水平磁场中采用ＬＥＣ工艺（ＭＬＥＣ）生长锑化镓单晶，磁场强度为０．０５～０．３２Ｔ（坩埚中心处），且连续可调，所用覆盖剂为等摩尔比的ＮａＣｌ＋ＫＣｌ混合物，覆盖厚度２～５ｍｍ，拉速０．３～１．５ｃｍ／ｈ。生长方向〈１００〉；对ＭＬＥＣ和ＬＥＣ样品进行质谱分析，研究磁场强度与晶体性能的关系，在非掺杂ＭＬＥＣ样品的ＰＬ谱中观察到明显的自由激子峰。这些结果表明，ＭＬＥＣ样品中电学参数的纵向分布比ＬＥＣ晶体更均匀；ＭＬＥＣ样品中（重掺碲）７７Ｋ电子迁移率高于ＬＥＣ晶体；施加磁场时某些杂质的并入量减少     

掺锌（100）GaSb单晶的生长

采用LEC方法研制出掺锌(100)GaSb单晶;用霍尔测量法算出的锌掺杂浓度计算得出锌的有效分凝系数keff约为0.84±0.01,沿晶体生长方向随着锌浓度的提高,位错密度缓慢增加,数值约为(2～3.2)×103cm-2,当掺锌浓度大于3×1019cm-3以后,GaSb发生简并,载流子浓度随掺锌浓度的增加缓慢提高.采用重掺锌母合金作掺杂剂,可减少锌的损失,较好地控制掺杂浓度.