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181.
182.
研究了SiC衬底(0001)面和(000-1)面不同的CMP抛光特性。分别采用pH值为10.38和1.11的改性硅溶胶抛光液对SiC衬底的(0001)Si面和(000-1)C面进行对比抛光实验。使用精密天平测量晶片抛光前后的质量,计算出CMP抛光工艺的材料去除速率。并使用强光灯、微分干涉显微镜和原子力显微镜检测晶片表面质量。发现采用酸性抛光液和碱性抛光液进行抛光,均有VC>VSi;而对于(0001)Si面,有VSi酸>VSi碱;对于(000-1)C面,有VC酸>VC碱。该结论对于探索最佳碳化硅的CMP抛光工艺具有较高价值。 相似文献
183.
185.
汤原县水政监察大队是经县编制委员会批准成立的,与县水政水资源办公室是一个机构两块牌子。其主要职责:一是依法对水事活动进行监督检查;二是依法对违反水法规定的行为作出行政裁决、处罚决定或采取其它行政处罚措施;三是依法对水利基层执法单位进行指导、协调、监督和检查。从1990年开展执法试点工作以来,水事案件受理查处一直遵循"分级、分条、分块"的管理原则,统一立案。分散查处。水行政执法各职能部fi要认真履行水政监察工作职能,依法行政,采取高度负责的工作态度,抓好管辖范围内的水事案件立案查处工作。为了切实贯彻这项原… 相似文献
186.
目的研究不同等离子体还原介质和还原时间对氧化铜还原的影响。方法采用等离子焰流扫描试样,应用扫描电镜观察还原后试样的表面微观形貌,通过X射线衍射仪分析试样处理前后表面相成分的变化。结果采用N2+热氨为气体介质,其还原产物为Cu4O3和Cu3O,相对于其他气体介质得到的还原产物Cu2O,能将Cu2+还原至更低的价态。还原时间为40 s时,主要还原产物为Cu3O,其氧含量低于Cu O,随着时间延长,亚稳相Cu3O逐渐转变成较稳定的Cu2O;当还原时间为100 s时,析出Cu单质。结论 N2+热氨是还原性较强的气体介质。氧化铜中铜离子价态随还原时间增加而降低,同时伴随亚稳定相Cu3O向Cu2O转变现象。还原过程中高能电子对Cu O颗粒有加热熔融作用,激发态的活性粒子发挥主要的还原作用。 相似文献
187.
目的提出一种镁合金微弧氧化膜层的退除工艺,提高镁合金的二次利用率。方法以硝酸、氟化钾、柠檬酸、十二烷基苯磺酸钠(SDBS)及缓蚀剂为组分配制退膜液,设计正交试验,以退除速率、表面粗糙度作为评判标准,优化退膜液配方。分析退膜液中各组分的作用,研究退膜过程中退膜量与时间的关系,讨论膜层厚度与腐蚀率、表面粗糙度的关系。采用优化的退膜液对镁合金微弧氧化膜层进行退除,观察表面宏观及微观形貌。结果退膜液各组分针对退膜速率和退膜后镁合金基体表面粗糙度的极差由大到小均依次为:R硝酸R氟化钾R柠檬酸RSDBSR缓蚀剂。对退膜速率和表面粗糙度影响最大的是硝酸浓度,其次是氟化钾浓度,柠檬酸、SDBS及缓蚀剂浓度的影响最小。在整个退膜过程中,膜层退除量与退膜时间并不呈线性关系。退膜开始阶段及完成阶段,膜层退除量大,退膜速率高;退膜中期,膜层退除量与退膜时间基本呈线性关系,且退膜速率小于初始退膜速率。XRD分析显示,退膜后的镁合金表面无残余腐蚀产物。二次微弧氧化膜层的SEM图像显示,微孔结构致密,分布均匀,与一次微弧氧化的膜层无明显差别。结论镁合金微弧氧化膜层退除液的最佳配方为:硝酸90 m L/L,柠檬酸8 g/L,氟化钾35g/L,十二烷基苯磺酸钠5 g/L,缓蚀剂6.5 g/L。该退膜液退膜效果良好,对镁合金基体损伤小,退膜速率快,成本低廉,可用于不合格镁合金零部件微弧氧化膜层的多次退除返修。 相似文献
188.
GaN氢化物气相外延(HVPE)生长过程中,衬底表面的温度分布对其生长质量有着重要影响。我们采用计算机模拟,研究了GaN生长过程中所使用的不同结构石墨基座上的温度分布。根据所得不同结构下基座上的温度分布,选择衬底上温度分布最均匀的结构与普通实验使用的基座结构进行实验对比。结果发现,在实际的大流量载气的GaN生长中,采用优化的圆弧凹面结构石墨基座实验组的GaN晶体外延层的生长速率、生长质量和均匀性等比普通方法生长的更好。本文得到的不同HVPE生长环境下的基座结构优化设计方案,为HVPE炉体的设计和氮化物生长具有很好的指导意义。 相似文献
189.
190.
为提高TiAl基合金的耐磨性及抗高温氧化性,利用渗氮在TiAl基合金表面形成氮化物,以提高耐磨性;渗碳形成致密且与基体结合牢固的碳化物层,提高抗高温、抗氧化性;将二者结合,采用辉光离子碳氮共渗的方法,研究了渗层的相结构组成、不同工艺参数对TiAl基合金离子碳氮共渗后渗层厚度以及表面硬度和耐磨性的影响.结果表明:TiAl基合金共渗层是由碳氮化合物层与过渡层组成的复合相结构;随共渗温度的升高和时间的延长,渗层厚度增加;与未经共渗处理的试样相比,表面硬度及耐磨性显著提高.X射线衍射结果显示,渗层主要由TiC,TiN,AlTi3,Al2O3等组成. 相似文献