色噪声环境下强相关源的DOA估计

结合MMUSIC（Modified multiple Signal Classfication)算法和SWEDE（Subsapce Method Without Eigen DE composition)方法的优点提出了联合DOA估计方法，该法使得在色噪声环境下强相关信源DOA（Direction Of Arrival)估计成为可能。理论分析与仿真结果表明：联合DOA估计方法在明显降低运算复杂度的同时，无需空间噪声必须为白噪声的约束，更加贴近现实情况，而且有利于在线处理。     

基于局部形变模型三维人脸快速建模

针对传统三维形变模型计算量大,难以满足实时性的不足,提出一种实用、高效的三维形变模型,进行个性化三维人脸重建。首先,对三维人脸关键特征点定位,分割划片;然后,对每个分片分别建立形变模型并进行匹配恢复其局部形状信息;最后,把每部分进行无缝拼接,生成逼真的三维人脸。实验结果表明,该方法能够获得较好的建模精度,在短时间内可以通过单幅真实图像重建出逼真的三维人脸模型。     

无源UHF RFID电子标签模拟前端设计

提出了一种符合ISO/IEC 18000-6B标准的高性能无源UHF RFID电子标签模拟前端,在915MHz ISM频带下工作时其电流小于8μA.该模拟前端除天线外无外接元器件,通过肖特基二极管整流器从射频电磁场接收能量.该RFID模拟前端包括本地振荡器、时钟产生电路、复位电路、匹配网络和反向散射电路、整流器、稳压器以及AM解调器等.该芯片采用支持肖特基二极管和EEPROM的Chartered 0.35μm 2P4M CMOS工艺进行流片,读取距离大于3m,芯片面积为300μm×720μm.     

一种新的混沌编码脉压雷达信号

本文研究了一种新型混沌编码的脉冲位置和相位复合调制的脉冲压缩雷达信号.为了求解这种雷达信号的平均模糊函数,本文还提出了一种基于傅立叶变换的新方法.理论和仿真的结果都表明,这种雷达信号不但具有好的距离和速度分辨力,同时还具有优异的"隐身"能力和对抗敌方积极干扰的能力.     

多晶硅太阳电池酸腐表面织构的研究

采用酸腐多晶Si片的方法,获得了各向同性的表面织构.酸腐蚀液选取HF-HNO3混合溶液,并用H3PO4进行改良.分别利用扫描电镜(SEM)和光谱响应系统,分析了腐蚀后多晶Si片的表面形貌和反射率.结果表明,酸腐多晶Si表面分布均匀的蚯蚓状腐蚀坑,反射率很低,在等离子增强化学气相沉积(PECVD)Si3N4减反射膜后,反射率大大下降.     

一个基于J2EE Web应用的框架设计与实现

J2EE(Java 2平台企业版)是当前建立和开发各种Web应用的主流平台,MVC(模型-视图-控制)体系结构是当今设计交互式应用的事实标准.文中结合MVC在J2EE Web中的应用,通过电子政务系统开发实践,提出了一个具体的实现方案,描述了应用系统设计,给出了表示层、控制层、代理层、业务逻辑层、数据访问层和数据存储层等层次的明确划分,阐述了各层的功能作用以及层与层之间的关系,并针对具体业务给出了实现的部分具体内容,为在J2EE环境下开发结构良好、易于维护、易于扩展的Web应用提供了可行方案.     

电子商务与现代企业

电子商务的发展改变了传统的生产、营销、交易和消费模式，给现代企业的经营带来了影响。现代企业必须应用电子商务技术，调整自己的营销策略，开拓更大的市场空间，促进企业的发展。     

Fabry病肾脏的超微病理研究

结合临床资料对4例Fabry病进行光镜、电镜观察与分析,探讨Fabry病肾脏的超微病理变化及电镜在其早期诊断中的作用。光镜观察显示肾小球有轻微或呈不同程度局灶节段硬化,在肾小球脏层细胞和肾小管上皮细胞胞质内可观察到数量不等的圆形空泡。这些空泡在半薄切片甲苯胺蓝染色后呈清晰的蓝染颗粒。电镜下可观察到一种特征性的嗜锇“斑马小体”或洋葱皮样小体。小体主要位于肾小球脏层细胞,也可出现在系膜细胞、肾小管上皮细胞、肾问质细胞以及血管内皮细胞和平滑肌细胞胞质内。早期病例只在部分肾小球脏层上皮细胞胞质内观察到嗜锇“斑马小体”。超微病理变化可反应疾病病变程度,特别是可为临床早期诊断提供重要的形态学依据。半薄切片甲苯胺蓝染色在Fabry病诊断中有一定价值。     

一种双稳态电磁型射频MEMS开关的设计与测试

设计了一种低电压驱动的双稳态电磁型射频MEMS开关.与驱动电压高这几十伏的静电型射频MEMS开关相比,其驱动电压可低至几伏,因此应用时无需增加电荷泵等升压电路.开关可在磁场驱动下实现双稳态切换,稳态时无直流功率消耗.分析了工作磁场的分布特点,进行了结构设计仿真;并使用HFSS软件和粒子群算法进行了射频参数仿真、结构参数优化及主要结构参数显著性研究,得出了影响开关射频传输性能的主要结构参数;采用表面牺牲层工艺制作了原理样机并进行了射频性能参数的测试.结果表明,开关样机在DC～3 GHz工作频率区间内,插入损耗小于0.25 dB,隔离度大于40 dB.