新型绝缘体上硅技术的发展与展望

总结了最新发展起来的两种绝缘体上硅晶片制造技术，给出了绝缘体上硅新器件、新结构和新工艺研究进展，提出绝缘体上硅技术所面临的机遇和挑战。     

深亚微米pMOS器件的HCI和NBTI耦合效应与物理机制

研究了深亚微米pMOS器件的热载流子注入(hot-carrier injection,HCI)和负偏压温度不稳定效应(negative bias temperature instability,NBTI)的耦合效应和物理机制. 器件在室温下的损伤特性由HCI效应来控制. 高温条件下，器件受到HCI和NBTI效应的共同作用，二者的混合效应表现为NBTI不断增强的HCI效应. 在HCI条件下器件的阈值电压漂移依赖沟道长度，而NBTI效应中器件的阈值电压漂移与沟道长度无关，给出了分解HCI和NBTI耦合效应的方法.     

AlGaN基PIN光电探测器的模型与模拟

在漂移扩散方程的基础上建立了AlGaN p-i-n光电探测器的物理模型,分析了多种结构AlGaN p-i-n光电探测器的光谱响应,并讨论了AlGaN/GaN异质结界面极化效应对太阳盲区p-GaN/i-Al0.33Ga0.67N/n-GaN倒置异质结结构p-i-n光电探测器(inverted heterostructure photodetectors,IHPs)UV/Solar选择比(280rm与320nm响应度之比)的影响.结果表明:优化p层是提高器件光谱响应的有效途径;为获得较高的UV/Solar选择比,光伏模式(零偏压)为太阳盲区p-GaN/i-Al033Ga0.67N/n-GaN IHPs的最佳工作模式;在光伏模式下考虑极化效应影响时,Ga面p-GaN/i-Al0.33Gao.67N/n-GaN IHPs器件的UV/Solar选择比可达750,与Tarsa等人报道的三个量级的实验结果基本一致.     

VirMIC—一个基于Internet的IC虚拟制造环境

该文展示了一个Internet环境下的集成电路虚拟制造环境VirMIC,着重于系统的三个核心模块,即电路性能仿真与成品率优化模块、工艺线仿真与调度模块和产品决策模块,电路性能仿真与成品率优化模块,建立了一个基于OO-DCE的技术CAD环境,以这个环境为依托,通过协调效益和成品率进行了工艺流程的可制造性优化设计;工艺线仿真与调度模块,以一定的工艺流程和制造系统配置为基础,建立制造系统Petri网模型,从而进行系统性能仿真和生产调度,对制造系统的整体性能进行优化;产品决策模块以前两个模块为基础,对如何选择合作伙伴,如何在合作伙伴之间分配用户提交的制造负荷,为构成“虚拟企业”提供指导性信息,以上三个模块构成了Vir-MIC系统的功能核心。     

PEAS模型参数提取系统在双极数字集成电路分析中的应用

本文介绍了集成电路晶体管参数提取系统(PEAS)的特点和结构。利用与电路模拟程序兼容的参数提取系统,对8286双极数字电路中的 npn、pnp 和 SBD 晶体管进行模型参数提取,并利用电路模拟程序对8286电路进行分析。文章分析了所得结果,得出了很有意义的结论。     

小规模频繁子电路的规律性预提取算法

针对数字IC规律性提取算法复杂度过高的问题,提出一种逐级对根节点进行分类的算法.通过对频繁边的直接扩展,实现了小规模频繁子电路的快速提取;利用门级电路中小规模频繁子电路与大规模频繁子电路间的结构依赖性,解决了候选子电路生成时根节点组合爆炸的问题.实验结果表明,该算法能够降低根节点的数量,使支持度高的候选子电路得到优先提取,并显著地减少了规律性提取的时间.     

MOSFET栅电流分布的理论建模

小尺寸ＭＯＳＦＥＴ的强场性,场畸变性和漏区尺度比例的增大,使它的分布效应增强,更准确地描述小尺寸器件的栅电流需要分布模型。本文依据“幸运电子”概念,基于我们已创建的沟道和衬底电流的二维分布模型,建立了ＮＭＯＳＦＥＴ的电子和空穴栅电流的分布模型,空穴栅电流的分布模型是基于负纵向场加速的新的发射物理过程建立的,所建分布模型包含了更祥尽的热载流子向栅发射的物理过程,这将有利于ＭＯＳＦＥＴ热载流子的损伤的     

VLSI容错设计研究进展（1）——缺陷的分布模型及容错设计的？…

随着芯片面积的增加及电路复杂性的增强,芯片的成品率逐渐下降,为了保证合理的成品率,人们将容错技术结合入了集成电路。文中首先概述了缺陷及其分布,然后概述了容错技术,并详细地叙述了动态容错技术中的两个关键问题：故障诊断及冗余单元的分配问题。     

d-叉树k-FT结构的可靠性分析及冗余单元的分配

随着芯片面积的增加及电路复杂性的增强,系统的可靠性逐渐下降。为了保证有较高的可靠性,人们将容错技术引进了集成电路的设计中。文中分析了ｄ－叉对的ｋ－ＦＴ结构的可靠性,同时讨论了如何分配冗余单元才能使系统具有较高可靠性的问题。     

深亚微米槽栅PMOSFET短沟道效应的模拟研究

基于流体动力学能量输运模型，首先研究了槽栅器件对短沟道效应的抑制作用，接着研究了不同衬底和沟道杂质浓度的深亚微米槽栅PMOSFET对短沟道效应抑制的影响，同时与相应平面器件的特性进行了对比。研究结果表明，槽栅器件在深亚微米和超深亚微米区域能够很好地抑制短沟道效应，且随着衬底和沟道掺杂浓度的升高，阈值电压升高，对短沟道效应的抑制作用增强，但槽栅器件阈值电压变化较平面器件小。最后从内部物理机制上对研究结果进行了分析和解释。