半导体激光器老化测试智能控制系统

本文介绍了一个能对半导体激光器进行老化测试的智能控制系统。相对于已有系统,该系统采用一个经过MAT-LAB优化设计的半导体激光器驱动电路,电路结构更为简单。控制系统能够同时在恒定电流老化筛选和恒定光功率老化筛选模式下,对多个半导体激光器进行老化测试。该系统的实验表明,工作稳定,性能良好。     

红色AlGaInP激光器的特性及热特性分析

设计和制备了λ＝680nm的红色AlGaInP/GaInP应变量子阱激光器. 制得的未镀膜20μm脊型条形红色激光器的输出功率达到100mW,斜率效率0.56W/A,垂直和平行远场发散角分别为31°和9°. 未镀膜4m深腐蚀器件的功率可达10mW, 斜率效率为0.4W/A,峰值波长为681nm,峰值半宽为0.5nm. 不同腔长器件的特性显示器件的内损耗为4.27/cm,内量子效率达45%. 对不同腔长的器件进行了变温测试,得到器件的特征温度为120～190K.     

实现半导体白光LED的新途径

光子再生LED技术、隧道再生LED技术、多量子阱和量子点白光LED技术，是避开国际专利冲突，从而获得白光LED的新方法。     

双有源区隧道再生半导体激光器温度场分布研究

针对隧道再生半导体激光器,建立了内部的热源分布模型,分析了三种封装方式对芯片内部温度分布的影响;模拟结果表明加电后几微秒的时间内,芯片内温度场分布主要由隧道再生结构的热特性决定,与封装形式关系不大;在几微秒到几十或一百毫秒的时间范围内,有源区的温度上升很快;几百毫秒以后,器件温度达到稳态,有源区的平衡温度主要决定于载体的散热特性.稳态时靠近衬底的有源区温度高于靠近热沉的有源区的温度,但两有源区的温差很小,芯片内最高温度出现在靠近衬底有源区的脊形中心.     

磁场类型对金属凝固机理的影响研究综述*

利用磁场辅助制备的合金综合性能优异,广泛应用在工业生产、交通运输、航空航天等领域。不同磁场参数环境下合金硬度、耐磨性等服役性能有所差异,作用机理复杂多变。对新工艺驱动下不同磁场对金属凝固过程的作用规律进行总结, 弥补目前磁场辅助金属表面加工方法的研究短板,对金属表面工程发展有重大意义。归纳科研人员在不同磁场环境对金属表面加工的研究探索,分析对比金属材料在不同类型磁场环境下的晶核形核和生长过程差异,总结金属凝固过程在不同磁场下的变化规律,如晶界形貌改善、形核率提高、晶粒细化等。从晶粒微观形貌和合金宏观性能表现两方面出发,分析磁场作用下熔体内部传热传质变化,揭示稳恒磁场、脉冲磁场和交变磁场对金属凝固影响的作用机理,讨论不同参数的磁场对熔体作用效果差异,如磁场对熔池内部流动扰动、熔体内带电粒子受到的洛伦兹力等。综上,晶粒细化、合金性能提高是磁场作用下熔池传热传质变化和磁场作用力的综合体现。综合研究对比稳恒磁场、脉冲磁场和交变磁场对金属凝固的作用特点和作用机理,综述金属凝固领域当前热点问题,有助于统一磁场环境下金属凝固机理的争论,填补磁场环境下金属表面加工工艺的空白,对推进高性能金属表面制备研究有借鉴意义。     

非离子表面活性剂聚乙氧基衍生物-羟值的分析

本文报导了非离子表面活性剂聚乙氧基衍生物-羟值的一种新的分析方法.该方法突出的优点是短时间完成分析全过程,并获得与常规乙酸酐同样的分析效果,与标准样品进行比较实验,分析准确率可达98%以上.     

以季胺盐萃取光度法测定微量碲的研究

本文在氢溴酸介质中,以氯化三辛基甲胺（以下简称ＴＯＭＡ．ＣＬ）的二甲苯溶液为萃取剂,详细研究了微量碲的萃取分离和测定条件。在同一试液中,经两步萃取,分离后,用光度法测定样品中微量碲。此方法简便。仪器简单,实用性强,易于推广,选择性好,灵敏度高。     

反胶束法制备纳米氧化锌及其在葡萄糖生物传感器中的应用

采用琥珀酸-2-乙基己基磺酸钠/环己烷反胶束体系制备纳米ZnO,并以此ZnO为载体固定葡萄糖氧化酶,用戊二醛交联制作成葡萄糖氧化酶电极. 实验结果表明,此酶电极表现出对葡萄糖溶液浓度的优良响应,线性范围在1′10-5~3′10-3 mol/L,响应灵敏度约为6 mA/(cm2×mmol/L),表观米氏常数为2.57 mmol/L. 还研究了温度和溶液pH值对电极电流响应的影响.     

浅谈国内氯化石蜡-52的生产方法

国内氯化石蜡－５２生产方法分为热氯化法和催化光氯化法两种。本文对这种方法的技术状况及工艺流程作简单论述,并对其优缺点进行了分析。     

脉冲磁场强度对GH99镍基合金力学和微动磨损性能的影响

为研究不同磁场强度对镍基合金力学性能和耐磨性能的影响规律,在脉冲强磁场设备上对GH99镍基合金试样进行脉冲磁处理。通过观察显微结构,分析了GH99镍基合金的磨损机理和强化机制。结果表明：外加脉冲磁场可改善材料位错分布,减小试样表面残余应力的分散性;在磁场强度为10 T时残余压应力达到最大值（-223.45 MPa）,且此时材料拉伸断口的特征主要表现为韧性断裂,脉冲磁场处理合金产生亚结构位错胞有助于发挥细晶强化作用;在0~15 T范围内,随磁场强度增大,材料表面显微硬度和耐磨性能呈现先增强后减弱的规律,在脉冲磁场作用下合金材料内部的位错发生增殖致使位错密度增大,产生类似加工硬化现象,但磁场强度过大会导致位错塞积从而造成晶胞点阵畸变严重,出现材料性能恶化。