孔板流量计新标准改进了气量计算

用孔板流量计新标准计算气体的体积，比用以前的美国或国际标准计算体积更准确。对于未经处理的气体，这种效果可能是显著。预计该标准可以改进不确定度0．1％～0．5％。     

提高采收率的工程：包括井口设计,完井和采油作业（一）

本文详细说明了注入井和采油井的井下工况。即温度、压力、酸性以及腐蚀性液体和气体条件。并用示意图说明五种提高采收率的工艺技术。     

不同AlGaN层厚度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的静态特性

利用金属有机化合物气相外延技术研究了Al Ga N/ Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的外延生长及器件制作,重点比较了具有不同Al Ga N层厚度的HEMT器件的静态特性.实验发现具有较薄Al Ga N隔离层的结构表现出较好的器件特性.栅长为1μm的器件获得了6 5 0 m A/ m m的最大饱和电流密度和10 0 m S/ mm的最大跨导.     

不同Mg掺杂浓度的GaN材料的光致发光

研究了用低压金属有机物化学沉积方法生长得到的具有不同Mg掺杂浓度的GaN样品薄膜,经不同温度退火处理后的发光特性.实验发现随着退火温度的升高,不同掺杂浓度的Mg∶GaN材料的光致发光谱蓝带峰能量相差变小,经850℃退火后蓝带集中在2.92eV附近.利用Mg∶GaN材料内部补偿模型对此现象进行了分析,同时认为对于掺杂浓度较高的样品,850℃为最佳的退火温度.     

T′算法在域GF(2)上的性能研究

代数攻击算法XSL是域GF(2)上求解大规模的多元多项式方程组的有效算法,分析发现XSL中的T′算法不能达到其希望的结束条件Free=T或Free=T-1。给出T′算法的一个真实结束条件和2个变量选择原则,并在原T′算法的基础上增加概率算法和以较大概率估计变量取值。结果表明改进后的T′算法可以简化方程组求解。     

GaN基绿光LED材料蓝带发光对器件特性的影响

分析比较了在不同外延生长条件下GaN基高In组分绿光LED材料室温和低温10K下光致发光谱中蓝带发光峰,研究了外延结构中p型层蓝带峰发光特性对材料晶体质量和器件电光转换效率的影响.结果表明:通过优化p型层的外延生长条件,可有效降低和消除其蓝带发光峰较之多量子阱主峰的相对强度,有利于提高LED器件特别是高In组分绿光LED器件在同等注入电流条件下的发光功率.     

高转化自由基本体聚合的数学模拟——三段聚合模型Ⅲ.临界转化率的通用关联式

基于Turner提出的准则 ,确定了关联临界转化率X1 的关系式。并利用前文[6 ] 中获得的X1 值进行关联 ,得到了甲基丙烯酸甲酯和苯乙烯本体聚合时 ,计算X1 的通用关联式。利用文献[6 ,1 3] 中获得的X2 对聚合温度进行关联 ,得到了计算X2 的通用关联式。计算了转化率与时间的关系 ,并与文献数据进行了比较。结果表明 ,两者较为一致。     

断陷湖盆陆相层序中体系域四分性探讨──泌阳断陷下第三系核桃园组为例

断陷湖盆中一个完整陆相层序的体系域具四分性,即低水位体系域(LST)、水进体系域(TST)、高水位体系域(HST)及水退体系域(RST),该四分体系域具显着的几何构型特征,它们分别由低位加积小层序组、退积小层序组、高位加积小层序组及进积小层序组构成.陆相层序四分体系域是一个沉积基准面旋回所引起的可容空间旋回性变化的沉积响应.对于断陷湖盆的一个完整陆相层序,其体系域划分原则为:湖相厚层泥岩代表高水位体系域,它是水退体系域和水进体系域的分界;初始湖泛面之上为水进体系域,其下为低水位体系域.断陷湖盆中一个完整的陆相层序自下而上依次由下列层序单元构成;层序界面(SB)→无湖岸上超的低水位体系域→湖岸显着上超的水进体系域→由沉积速率缓慢的垂向加积型湖相泥质岩构成的高水位体系域→湖岸显着退却的水退体系域→层序界面(SB).     

柴达木盆地北缘构造格局及在中、新生代的演化

柴达木盆地北缘地区,由北向南可划分为祁连山断褶山系、柴北缘逆冲推覆构造带、前陆滑脱拆商带及前陆盆地低应变区等四个构造带,且断褶构造的形成时间有自北向南逐渐变新的趋势。综合研究表明,印支旋回和三叠纪末的印支运动,是柴北缘前陆盆地北部边界——南祁连断褶山系的强化、定型时期,奠定了山前前陆盆地发育的基本格局：燕山旋回及白垩纪末的燕山运动对柴北缘逆冲推覆构造带的影响最为强烈,并使下第三系沉降-沉积中心向盆内迁移,且在这一带有构造圈闭雏型形成;喜马拉雅旋回在柴达木盆地有两次规模较大的构造运动,渐新世末的构造运动对柴北缘前陆滑脱拆商带影响最强,并使上第三系沉降-沉积中心进一步向盆内推移,且在这一带形成有关的构造圈闭;上新世末的构造运动是一次最强烈的构造运动,使柴北缘地区各断褶构造带基本定型。