碳纳米纤维制备的研究进展

讨论了碳纳米纤维与碳纳米管的本质区别;介绍了多种碳纳米纤维制备的研究方法和化学气相沉积(CVD)法制备碳纳米纤维的研究进展;并对各种制备方法的优缺点进行了评述;同时讨论了影响气相生长碳纳米纤维的各种因素.     

双偏压辅助HF-PECVD沉积纳米金刚石薄膜工艺参数的AFM分析

采用双偏压辅助热丝一等离子增强化学沉积系统制备了纳米金刚石薄膜.采用AFM、SEM、Raman等考察了不同工艺条件对纳米金刚石薄膜形貌、粗糙度、内部结构等的影响.结果表明,热丝温度降低,所形成薄膜的晶粒尺寸变大,薄膜表面高低起伏较大,粗糙度也随之增大;随着射频输出功率的增大,等离子体轰击基底的能力增强,但过大的功率会使构成薄膜的晶粒变大;随着偏压的不断增大,氢离子体对薄膜表面的刻蚀程度逐渐增大,从而有利于形成纳米金刚石薄膜.     

温度对无铅焊锡膏活性剂与Sn0.3Ag0.7Cu反应规律的影响

以MPEG400为溶剂,将定量锡块放入添加不同活性剂的溶液中加热保温,保温时间为1 h,考察锡块的质量变化,以研究不同温度下活性剂与焊锡材料的反应程度,进而用SEM进行反应形貌验证。实验结果表明,苹果酸在150℃以后与Sn0.3Ag0.7Cu焊锡材料反应强烈;丙二酸在100℃时与Sn0.3Ag0.7Cu焊锡材料的反应强于其他温度,125℃以后,随着温度的升高,反应反而减弱;三乙醇胺与Sn0.3Ag0.7Cu焊锡材料之间有微弱反应,随温度升高,反应强度增大。探讨温度对无铅焊锡膏用活性剂与Sn0.3Ag0.7Cu焊锡材料之间反应规律的影响,对助焊剂的研究具有重要指导意义。     

硅纳米管的水热法合成与表征

采用水热法成功合成了新型的硅纳米管一维纳米材料,并采用透射电子显微镜、选区电子衍射分析、能量色散光谱及高分辨透射电子显微镜对合成的硅纳米管进行了表征.研究表明硅纳米管是一种多壁纳米管,为立方金刚石结构,生长顶端呈半圆形的闭合结构,由内部为数纳米的中空结构,中部为晶面间距约0.31nm的晶体硅壁层,最外层为低于2nm的无定形二氧化硅等三部分组成.     

硅纳米线的掺杂工艺与检测

掺杂硅纳米线有可能成为一种重要的硅纳米电子器件材料。因而,硅纳米线的掺杂工艺与检测很重要。半导体的掺杂工艺主要为扩散法,而硅纳米半导体线的掺杂检测方法主要包括电流-电压法、拉曼光谱、光致发光(PL)光谱、X-射线光电子能谱(XPS)及近边X-射线吸收精细结构光谱(NEXAFS)等。该文介绍了可引入到硅纳米线研究的现有半导体的掺杂工艺及检测方法,并就硅纳米线的掺杂工艺及检测的最新进展做作了详细的讨论。     

cdma2000系统中Walsh码的优化分配算法

Walsh码是码分多址系统中一种重要的正交扩频码。随着 3G系统的发展 ,高速率数据业务的引入 ,对有限Walsh码资源的需求日益增加 ,因此合理的管理和分配成为必然。本文以cdma2 0 0 0系统中Walsh码的使用为例 ,分析了Walsh码的工作原理和使用现状 ,提出了一种动态分配的优化算法。     

硅纳米线的表征、性能及应用

硅纳米线是近年来发展起来的一种新型的纳米半导体材料.电镜、X射线光电子能谱(XPS)、拉曼光谱、近边X射线吸收精细结构光谱(NEXAFS)、能量色散X射线分析(EDS)等方法是表征硅纳米线的有效手段,由于硅纳米线具有特殊的光致发光、场发射、电子输运等性能,可以实现在纳米传感器等多种纳米电子器件及合成其它纳米材料的模板方面的应用.本文综述了硅纳米线的表征、性能及应用的最新进展.