SVG在电网调度员培训仿真系统中的应用

讨论了电网调度员培训仿真(DTS)系统中的图形系统的转换，设计并实现了转换程序。分析了原有的图形系统，并采用较新的可升级的矢量图(SVG)图形格式，实现了从原有的图形系统到新的图形系统的转换。该转换程序用Java语言编写。使用新的SVG图形系统．与原有的图形系统一样实现了临沂电力仿真系统中的系统图和场站图的显示。转换后的新图形系统已运用于临沂DTS系统和南方DTS系统中。     

砷化镓单晶片抛光工艺研究

由于砷化镓及其它化合物半导体具有很重要的作用，目前对它们的工艺研究越来越多。本文主要介绍了一种比较成熟的ＧａＡｓ单晶片抛光工艺。     

砷化镓单晶片抛光工艺研究

由于砷化镓（ＧａＡｓ）及其它化合物半导体具有很重要的作用，目前对它们的工艺研究越来越多。本文主要介绍了一种比较成熟的ＧａＡｓ单晶片抛光工艺。     

浅谈燃煤烟气干法脱硫对电除尘器性能的影响

介绍了燃煤烟气经喷雾干法脱硫工艺后 ,烟尘性质的变化 ,对电除尘器的性能和运行的影响     

京汉香河小区规划与建筑设计

本文结合工程实例,从引言、总体规划、单体设计等方面进行探讨,提出设计要遵循自然,使小区内的建筑与环境相统一,达到天人合一。作为居住区的设计者,只有本着“以人为本”的原则,用真切的感情付出,才能创造出具有特定地域精神的,适应多种生活模式、多样化的新型居所。     

铁路旅客站房高架车道污染物扩散研究

以某铁路旅客站房高架候车层两侧的高架车道为研究对象,采用CFD数值模拟的方法,模拟计算了高架候车厅周围污染物的浓度分布,结合《环境空气质量标准》分析了高架车道污染物对车站落客区和高架候车厅新风取风口空气品质的影响。研究结果表明,静风工况下高架车道对新风口影响较大,污染物浓度随着高度增加而降低,其中高架候车厅主进站口附近 CO 浓度最高达到8.4mg/m3,能够满足卫生标准,两侧浓度偏高,某些区域浓度超标;主导风工况下,高架候车层周围CO浓度得到明显降低,室外空气对CO有较好的稀释作用,能够满足卫生标准。     

高压变频器在煤矿主扇风机节能改造中的研究与应用

介绍了高压变频调速的节能原理及在煤矿主扇风机的应用,通过对改造后较为长期的运行数据的分析表明,煤矿主扇风机经过变频改造后节能效果显著,具有明显的社会效益和经济效益。     

经阴道超声检查在75例剖宫产瘢痕处妊娠诊断中的效果分析

目的:探究经阴道超声检查在剖宫产瘢痕处妊娠诊断中的应用价值。方法:回顾性分析我院2011年3月-2013年8月门诊及住院部75例剖宫产瘢痕处妊娠患者的临床资料及超声检查资料。结果 :经阴道超声检查后发现,3例混合包块型误诊为不全流产,检出率96.00%。其中妊娠囊型72例,混合包块型3例。结论:经阴道超声检查在剖宫产瘢痕处妊娠诊断中有着极其重要的临床价值,可提高其检出率,在治疗方案的选择和治疗过程中动态观察方面有着重要的参考作用,值得临床应用及推广。     

基于模糊滑模控制的电子节气门仿真

电子节气门是一个非线性系统。本文建立了电子节气门模型,并将滑模控制和模糊控制结合起来,应用于电子节气门系统。在MATLAB平台上建立了仿真模型,仿真实验证明模糊滑模控制算法能够较好地实现对电子节气门的控制。     

Fabrication and characteristics of a 4H-SiC junction barrier Schottky diode

4H-SiC junction barrier Schottky(JBS)diodes with four kinds of design have been fabricated and characterized using two different processes in which one is fabricated by making the P-type ohmic contact of the anode independently,and the other is processed by depositing a Schottky metal multi-layer on the whole anode.The reverse performances are compared to find the influences of these factors.The results show that JBS diodes with field guard rings have a lower reverse current density and a higher breakdown voltage,and with independent P-type ohmic contact manufacturing,the reverse performance of 4H-SiC JBS diodes can be improved effectively. Furthermore,the P-type ohmic contact is studied in this work.