SmDyFeCo磁光薄膜的制备和性能研究

本文采用射频磁控溅射方法制备了ＳｍＤｙＦｅＣｏ非晶磁光薄膜。研究了氩气压、溅射功率对ＳｍＤｙＦｅＣｏ薄膜性能的影响。实验表明，反射率随氩气压升高而降低。矫顽力随氩气压升高而逐渐增大，达到一定值时克尔回线反向，随后矫顽力又逐渐减小。高气压下的矫顽力温度特性较低气压下的矫顽力温度特性要好，但氩气压进一步升高，磁光克尔回线矩形度变差。本征磁光克尔角随氩气压升高而增大，到达最大值后又逐渐减小。反射率随溅射     

利用EGR技术生成薄膜

半导体制造工艺中的薄膜生长,迄今广泛应用的是热CVD法(Chemical VaporDeposition)和等离子CVD法,而这些方法是在高温状态下进行的,因此,对那些衬底耐热性较差或者经高温处理其性能和可靠性要降低的器件来说,利用这些方法有一定的困难。为了提高大规模集成电路、超大规模集成电路的性能、集成度和成品率,迫切需要一种能在低温下形成高质量薄膜的薄膜生长新技术。     

国外染整助剂的发展概况

染整加工是增加纺织品花色品种、提高商品档次、赋于织物美感和附加价值的重要手段,如1985年日本染整工业创造的附加价值率为46.7％,高于纺织工业其它部门。根据有关方面的统计数字表明,助剂与纤维世界平均消费水平为7∶100,1985年世界纤维的总产     

黑钨矿的组成与其可浮性

黑钨矿含Fe、Mn比例不同时,可浮性存在差异,但原因一直不大清楚。本文研究Mn/Fe比不同的黑钨矿的浮选、吸附行为,动电现象以及受活化作用的情况。并用溶液化学平衡计算讨论Mn、Fe离子与药剂作用的差别。捕收剂在黑钨矿上的化学吸附与Mn离子有更为密切的关系,Mn/Fe比较高的黑钨矿吸附捕收剂的能力较大,可浮性较好;Mn~(2+)离子的活化作用比Fe~(2+)离子强。     

利用双端口RAM实现CPU间高速并行通信

本文介绍双端口ＲＡＭ的特性及使用方法，并给出了利用双端口ＲＡＭ芯片实现８０９８单片机与ＰＣ机间高速数据交换的应用实例。     

紧耦合网络接口并行性研究

高效的网络接口已成为多机系统中的重要技术之一。文中通过对当前各种接口类型的分析认为，紧耦合应是网络接口的方向；同时，不同类型信息的串行处理是网络接口进一步提高性能的瓶颈。为此，对不同信息间的并行性进行分析后，提出了并行网络接口的概念结构，并对其性能进行了评价。     

电流密度对声电沉积生物活性透钙磷石涂层结构和形貌的影响

通过声电沉积工艺在碳／碳复合材料表面制备了生物活性透钙磷石涂层，采用SEM、FFIR、XRD研究了超声场中电流密度对涂层组成结构和形貌的影响。发现在一定工艺条件下，随电流密度增加，涂层的平均晶粒尺寸减小，致密度增加；当电流密度小于l0mA／cm^2时涂层形貌为片状，l0mA／cm^2-26mA／cm^2时为粒状，32mA／cm^2时为花菜心状。且涂层中透钙磷石晶体的择优取向也发生变化，择优晶面依次为(021)、(111)、(220)。同时还讨论了涂层微观结构变化机理。     

晶种及杂質对鋁酸鈉溶液分解速度的影响

本文主要是研究晶种、晶种量、杂质对铝酸钠溶液分解速度的影响。对比试验研究得出之结果与文献所载试验之示例认为,影响铝酸钠溶液分解速度的主要有以下几个因素:1.使用不稳定的活性氢氧化铝晶种能更好的促进分解。活性晶种有以下几种制作方法:高硷浓度和高过饱和度析出法;炭酸气析出法;添加酸性铝盐析出法。2.同一结晶形态及表面状态的晶种,粒细、表面积大的氢氧化铝品种能更有效地促进分解。3.使用同一表面状态、同一粒度的晶种时,晶种量愈多,分解速度亦愈快,但使用的晶种有一限量,晶种的活性愈大,用量愈少。4.对氟化铝、氯化铝等析出促进剂的作用进行了研究,并发现其析出物粒度异常小。5.溶液中杂质多对分解有阻碍作用,但唯有炭酸钠能促进分解。     

氢氧化铝析出反应在氧化铝生产中的重要性

本文论述了氢氧化铝析出反应中析出量以及分解产物的质量对氧化铝生产的影响,并推断出最适宜的分解条件:(1)分解初温60～65℃,(2)碱的浓度150～200克/升,(3)分解时间——分解设备允许的最大时间,(4)晶种添加量——换算成氧化铝量50～70克/升。但此最适宜的分解条件会由于原料成本,设备情况而有某些差异。