流程工业MES中物流平衡报表的开发

从流程工业CIMS的三层结构模型(ERP/MES/PCS)出发,分析了物流平衡和数据校正在炼化企业综合自动化尤其是生产执行系统(MES)中的重要作用,并简要介绍了数据校正软件APC-DataPro的原理和功能。在数据综合集成和处理之后,通过数据校正软件对物流数椐进行了校正,并基于数据校正结果生成了物流平衡报表。该物流平衡系统已在某炼化企业生产执行系统中得到了应用,取得了良好的效果。     

八碳芳烃临氢异构化反应动力学模型

针对某实际工业异构化装置,在已开发的八碳芳烃临氢异构化反应网络的基础上,将系统中的八碳环烷烃和八碳链烷烃作为一个集总组分,提出新的六组分异构化反应网络,由此建立了适用于工业生产的八碳芳烃临氢异构化反应动力学模型.考虑结焦对催化剂活性的影响,提出了一种经验形式的催化剂失活函数,能够合理地描述催化剂失活过程.采用四五阶Runge-Kutta法对模型方程进行数值求解,基于多套稳态平衡数据采用差分变尺度优化算法(BFGS)对动力学参数进行估计,进而在不同操作条件下对模型进行验证.结果表明估计值与工业标定值相当吻合,达到了工业应用的模拟精度要求.     

EVAC对PE基木塑微发泡复合材料性能影响的研究

使用乙烯-乙酸乙烯酯塑料(EVAC)作为改性剂,通过锥形双螺杆成型机制备了聚乙烯(PE)基木塑微发泡复合材料.研究了EVAC用量对复合材料力学性能的影响,并且运用扫描电子显微镜观察了复合材料断面的微观形貌.结果表明,PE基木塑微发泡复合材料的拉伸强度、弯曲强度、冲击强度均随FVAC用量的增加而增大,EVAC可以提高PE...     

JX-300系统通用模糊控制器的实现及应用

介绍了基于ＪＸ－３００ ＤＣＳ系统实现通用模糊控制器的设计方法、参数整定方法及在工程实际中的应用。     

小容量硅铁炉冶炼对硅石物理性能的选择

本文在1800kVA矿热炉使用不同硅石冶炼硅铁的试验基础上,提出了小型硅铁炉冶炼对硅石物理性能的选择标准,并进行了简要的理论分析。     

EEPROM和SRAM瞬时剂量率效应比较

对一种256 kb EEPROM电路AT28C256和一种256 kb SRAM电路HM62256开展了"强光一号"瞬时剂量率效应实验,测量了存储器的闩锁效应、翻转效应等。HM62256的翻转阈值为9.0×106 Gy(Si)/s,闩锁阈值高于5.4×107 Gy(Si)/s。AT28C256的闩锁阈值为2×107 Gy(Si)/s,存储单元翻转阈值高于3.0×108 Gy(Si)/s。对于SRAM,其翻转阈值远低于闩锁阈值;而对于EEPROM,在瞬时辐照下,闩锁阈值远低于存储单元的翻转阈值。基于两种存储器的数据存储原理,分析了SRAM和EEPROM瞬时剂量率效应差异的原因。     

基于动态潮流的非线性规划法求解电压稳定裕度

电力系统电压稳定裕度是评估电力系统安全稳定性的重要指标。鉴于常规非线性规划法求解电压稳定裕度时,未计及负荷增长过程中各发电机组有功出力的增长方式,计算结果过于理想。结合动态潮流思想,提出一种考虑发电机有功出力增长方式约束的动态非线性规划法模型。在模型中,以结合实际选定的发电机有功出力增长方式来分担系统全部有功不平衡功率,使得利用动态非线性规划法求得的电力系统负荷裕度结果更加贴近实际,不受平衡点选择的影响。IEEE-30节点测试系统和辽宁电网实际系统的算例结果表明,利用动态非线性规划法计算的电力系统电压稳定裕度结果较常规非线性规划法更具合理性和实用性。     

人乳头状瘤病毒感染与外阴营养不良相关性的研究

目的：探讨人乳头状瘤病毒(HPV-16)感染与外阴营养不良的关系。材料和方法：28例外阴白斑和外阴营养不良石蜡包埋的组织，7例外阴营养不良的新鲜组织，来自哈尔滨医科大学附属第一医院病理科舜口黑龙江省医院病理科，采用免疫组化sABC法和电镜技术进行检测。结果：临床诊断为外阴营养不良，光镜下28例病理分型，11例为增生型营养不良型，HPV-16阳性表达100％；3例为萎缩硬化性苔癣和14例混合性营养不良型，HPV阳性表达减弱或无表达。免疫组化显示，HPV-16高表达于增生的棘细胞和基底细胞内，电镜下在棘细胞和基底细胞核内可见到清晰的病毒颗粒。结论：研究结果指出，外阴营养不良的增生型营养不良类型与HPV-16感染关系非常密切，外阴癌前病变在一定程度上和人HPV病毒感染有关。     

筒仓改建高级旅馆

美国俄亥俄州阿克伦市库维卡·奥茨公司将36个粮食筒仓改建为具有260个客房的高级旅馆。筒仓平面不改变,直接作为客房,因而客房平面为圆形,约42平方米,比第一流旅馆的客房面积大40％。筒仓约高37米,壁厚约18厘米,是于1932年采用滑模施工方法建造的。     

商用CMOS工艺SRAM脉冲中子辐射效应实验

为研究互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺静态随机处理内存(SRAM)脉冲中子辐射效应机理,对SRAM翻转效应进行了蒙特卡罗模拟。该模拟基于脉冲中子辐照下SRAM翻转是单粒子翻转的叠加的假设,计算了单位翻转和伪多位翻转在总翻转数中的百分比。在西安脉冲反应堆上对3种特征尺寸商用SRAM开展了脉冲工况实验研究,得到了单位翻转和伪2位翻转数据,结合模拟结果分析了SRAM在脉冲中子作用下的翻转机制。