基于广义S变换的高斯领域时频滤波方法

针对S变换时频滤波局部时频区域选择问题,提出了一种高斯邻域阈值滤波方法。首先,利用S变换的二维时频特性,构建时频分辨率可调的广义S变换,提高分析信号的时频分辨率。然后根据不同时频分布类型,定义了3种不同的高斯邻域时频滤波模型。针对不同模型高斯邻域,对信号中S矩阵高斯邻域内的时频数据采用局部阈值处理,保留有用信息,通过广义S反变换得到滤波后的信号。仿真与实验结果表明,广义S变换高斯邻域时频阈值滤波方法具有较高的滤波精度,该滤波模型能有效减小滤波均方差。     

能源消费革命是必由之路

与主要发达国家不同,正处在工业化、城镇化发展阶段的我国,同时遭遇能源安全、生态环境以及气候变化问题,因此必须创新发展思路。以能源消费革命控制能源消费总量,是一条必由之路。近日,习近平总书记在中央财经领导小组第六次会议上提出,面对能源供需格局新变化、国际能源发展新趋势,保障国家能源安全,必须推动能源生产和消费革命。     

银硅纳米颗粒用于制备晶体硅太阳电池超高效陷光的研究

研究了制备硅纳米结构的方法,与之前的方法相比,本研究中的AgSi纳米颗粒能控制形成硅纳米结构的直径和深度,同时不需要光刻、反应离子刻蚀等高成本的复杂工艺.实验结果表明,将制备的硅纳米结构作为晶硅电池的绒面,在300～ 1000nm的波长范围内获得了低达5％的反射率;电池的表面复合与电极接触需要改进.     

基于InP-DHBT的20 GHz的超高速比较器

采用截止频率fT为170 GHz的InP-DHBT工艺,我们设计并制作了一个超高速主从电压比较器。整个芯片的面积（包括焊盘）是0.75?1.04 mm2,在-4V的单电源电压下消耗的功耗是440mW（不包括时钟产生部分）。整个芯片包含了77个InP DHBTs。比较器的尼奎斯特测试到了20GHz,输入灵敏度在10 GHz采样率的时候是6mV,在20 GHz的时候是16 mV。据我们所知,这在国内还是第一次在单片上集成超过70个InP DHBTs的电路,也是目前国内具有最高采样率的比较器。     

选区发射在硅基纳米线阵列太阳电池中的应用

创新地提出了采用“二次选区发射法”在纳米线阵列的顶部形成高掺杂区,提高了半导体一侧的掺杂浓度,实验结果表明：“二次选区发射法”能有效提高纳米线太阳电池的串联电阻,使最终电池的转换效率提高。此外,还通过测试从电池内部机理角度着重讨论了选区发射法对于提高电池光伏特性的原因,为纳米线阵列太阳电池转换效率的提高打下基础。     

用于高效硅太阳电池的原子层沉积Al2O3表面钝化特性研究

系统研究了采用热-原子层沉积技术生长的Al2O3对p型晶体硅的表面钝化特性.Al2O3膜层的钝化质量通过采用微波光电导衰减的方法证明Al2O3介质层可提供优异的表面钝化效果.此外,通过采用C-V技术和椭圆偏振光谱测试技术对Al2O3介质层的表征证明,除了薄膜层中的负固定电荷,Al2O3介质层的H的含量在钝化效果中起着关键作用.     

一种f_t为176GHz、大电流多指结构的InGaAs/InP异质结双极晶体管

针对毫米波电路对大电流、高截止频率器件的要求,利用平坦化技术,设计并制作成功了结构紧凑的四指合成InGaAs/InP异质结双极晶体管.实验结果表明发射极的宽度可减小到1μm.Kirk电流可达到110wA,电流增益截止频率达到176GI-Iz.这种器件有望在中等功率的毫米波电路中有所应用.     

一种改进了碰撞电离的超高速InP基SHBT SDD模型

从物理机制上分析了超高速InP/InGaAs SHBT碰撞电离与温度的关系,通过加入表示温度的参数和简化电场计算,得到一种改进的碰撞电离模型.同时针对自有工艺和器件特性,采用SDD(symbolically defined device)技术建立了一个包括碰撞电离和自热效应的InP/InGaAs SHBT的直流模型.模型内嵌入HP-ADS中仿真并与测试结果进行比较,准确地拟合了InP/InGaAs SHBT的器件特性.     

具有高速同步功能的12.5Gbps 1:16 解复用器集成电路

A 12.5 Gbps 1:16 demultiplexer (DEMUX) integrated circuit is presented for multi-channel high-speed data transmission. A novel high-speed synchronizing technique is proposed and integrated in this DEMUX chip. Compared with conventional synchronizing techniques, the proposed method largely simplifies the system configuration. The experimental result demonstrates that the proposed circuit is effective in two-channel synchronization under a clock frequency of 12.5 GHz. The circuit is realized using 1 μ m GaAs heterojunction bipolar transistor technology with die area of 2.3 × 2.3 mm².     

含InGaAsP的InP DHBT复合式集电区结构设计

为了降低InP DHBT的B-C之间的导带势垒,抑制电流阻挡效应,采用了一种含InGaAsP的复合式集电区结构.第一次从理论上分析了此种类型的复合式集电区各个参数对于DHBT性能的影响并给出了优化方案,为此类型的复合式集电区结构的设计提供了理论指导和设计参考.基于文中所述的理论,对文献中的数据进行了分析,得到了令人满意的结果.