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提出了一种应用于PWM降压型DC-DC变换器的高性能误差放大器。该误差放大器采用反馈结构,具有较大的动态范围,并可消除噪声影响,从而显著减小了DC-DC电源的纹波电压。另外,采用该误差放大器还有效地减小了电源启动时间。文中提出的误差放大器电路及PWM控制芯片的其他电路模块采用2.0μmBipolar工艺实现。仿真结果表明,误差放大器的开环和闭环增益分别为61dB和33dB,GBW为200MHz,SR为0.64V/μs。芯片测试结果表明,在输出电压为3.3V,负载电流为0.2A时,输出纹波电压的峰-峰值小于25mV。 相似文献
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43.
在设计数字信号处理器时我们经常要设计高性能的乘累加运算器,文章详细分析了乘累加运算器的结构,提出了其高性能设计方案并采用标准单元进行了实现,同时提出了DCT运算单元的高性能解决方案。 相似文献
44.
介绍了在同台微机同一分区上安装DOS和Windows 95/98两个不同操作系统的安装设置,介绍了当该双系统被破坏和瘫痪时如何恢复,以及如何利用GHOST克隆软件。 相似文献
45.
46.
中国宽带业务的发展面临诸多问题:内容建设严重滞后于网络建设、缺少盈利的“杀手”业务、服务水平尚未达到宽带需求、恶性竞争产生网络泡沫以及产业环境尚不完善等。要想改善现状,宽带接入建设应采取下列措施:借助政府力量、联合社会力量、准确定位市场、丰富接入手段以及加强技术培训等。 相似文献
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49.
对几种不同类型(TTL,CMOS,JFET-Bi,MOS-Bi)的典型星用运算放大器在不同剂量率(100,10,1及0.01rad(Si)/s)辐照下的响应规律及随时间变化的退火特性进行了研究.结果显示不同类型运放电路的辐照响应有明显差异:双极运放电路辐照剂量率越小,其损伤越大;CMOS运放电路对不同剂量率的响应并非线性关系,但不同剂量率辐照损伤的差异,可以通过与低剂量率相同时间的室温退火得到消除,本质上仍然是与时间相关的效应;JFET输入运放不仅有低剂量率辐照损伤增强效应存在,且辐照后还有明显的"后损伤"现象;PMOS输入运放的结果则表明,各辐照剂量率间的损伤无明显区别. 相似文献
50.