排序方式: 共有46条查询结果,搜索用时 0 毫秒
21.
22.
半导体照明中的非成像光学及其应用 总被引:28,自引:0,他引:28
以GaN基功率型发光二极管(LED)为代表的半导体照明光源,具有其他传统光源无法比拟的诸多优点,被公认为21世纪最有价值的新型光源。充分发挥功率型LED的优势,利用非成像光学进行面向实际应用的功率型LED封装光学系统设计,以高端半导体照明光源的制造为突破点,带动整个半导体照明产业的快速进步,已成为半导体照明技术发展的战略选择。回顾了非成像光学的历史、研究进展以及在半导体照明中的应用,并通过设计实例,介绍了面向功率型LED光线耦合、二维给定光分布以及三维给定光分布问题的非成像光学系统设计原理与解决方案。 相似文献
23.
面向投影仪的LED阵列单位Etendue光通量的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
基于各种结构LED芯片的出光特性,计算了得到的芯片及集成阵列实际的光学扩展量(Etendue),以此分析了面向投影仪光源的LED集成阵列在不同芯片间距和芯片厚度条件下的单位光学扩展量的光通量.结果表明,在面向LED投影仪的多芯片集成阵列光源中,使用剥离衬底的垂直结构芯片容易获得更高的单位Etendue光通量,从而有利于提高投影仪亮度.同时,对一种表面球形凹坑周期性微结构的倒装垂直结构LED芯片的集成阵列单位Etendue光通量进行了分析.在无封装的情况下,该结构芯片集成阵列的单位Etendue光通量较普通蓝宝石正装芯片和SiC倒装芯片的集成阵列分别高出164%和150%. 相似文献
24.
大功率LED结温测量及发光特性研究 总被引:5,自引:1,他引:5
介绍了基于正向电压法原理自行研制的大功率LED结温测试系统,结温定量测量精度可达±0.5 ℃.利用该系统对不同芯片结构与不同封装工艺的大功率LED热阻进行了测量比较,并对不同结温的大功率LED发光特性进行了研究.结果表明,不同结构芯片温度-电压系数K明显不同;采用热导率更高的粘结材料和共晶焊工艺固定LED芯片,会明显降低封装层次引入的热阻.结温对光辐射功率有直接影响,若保持结温恒定,光辐射功率随电流增大线性增加;若保持外部散热条件不变,热阻大的芯片内部热量积累较快,导致结温上升速度更快,光效随电流增加而下降的趋势也更为严重. 相似文献
25.
合成全息图利用多视差图像实现立体显示,并可通过分区曝光实现大面积制作。介绍了数字合成全息的原理及其实验系统,针对其制作过程中的两种图像采样方式,研究了图像的分割和重组原则。通过对单元全息图合成拍摄中图像重叠投影的分析,基于非成像光学理论设计制作了能实现这一功能的透镜,并借助光学软件对其进行了仿真。最后利用所设计的透镜进行了合成全息实验,结果表明,利用所设计的重叠投影透镜和适当的图像处理方法,能合成出轮廓清晰、立体感强的全息立体图。 相似文献
26.
采用旋涂和真空蒸发沉积工艺制备了结构分别为ITO/PVK:TPD/Alq3/Al和ITO/PVK:TPD/LiBq4/Alq3/Al的绿色和蓝色有机电致发光器件(OLED),并研究了空穴缓冲层CuPc对OLED特性的影响.结果发现:对于绿色OLED,CuPc的加入提高了器件的电流和亮度,改善了器件的性能;而对于蓝色OLED,CuPc的加入则加剧了载流子的不平衡注入,导致器件性能恶化.这表明空穴缓冲层CuPc对不同结构OLED的特性具有不同的影响,并通过器件的能级结构对此进行了解释. 相似文献
27.
28.
本文详细描述了MCP在SEM 中的应用,论述了具体接收器的结构和放大系统的结构性能,给出一系列实验参数及图像的对比结果,证明了MCP接收器完全可以在SEM 中高效可靠地替代原有的接收器。 相似文献
29.
30.
空穴缓冲层CuPc对有机电致发光器件特性的影响 总被引:4,自引:2,他引:4
采用旋涂和真空蒸发沉积工艺制备了结构分别为ITO/PVK:TPD/Alq3/Al和ITO/PVK:TPD/LiBq4/Alq3/Al的绿色和蓝色有机电致发光器件(OLED),并研究了空穴缓冲层CuPc对OLED特性的影响.结果发现:对于绿色OLED,CuPc的加入提高了器件的电流和亮度,改善了器件的性能;而对于蓝色OLED,CuPc的加入则加剧了载流子的不平衡注入,导致器件性能恶化.这表明空穴缓冲层CuPc对不同结构OLED的特性具有不同的影响,并通过器件的能级结构对此进行了解释. 相似文献