基于数学建模要求下先进的提拉法控制系统研制

提出了在开发一种先进的直拉法晶体生长控制系统中占据重要地位的设备及工艺特征的下位机模型;分析所采集到的实验数据,揭示出控制中的重要问题,由此开发了一种新的控制结构;该模型是建立在常规控制结构和提出新的控制结构性能对比的基础上。     

运营商选择"内容垄断"还是"手机定制"?

现阶段对于运营商来说,“垄断内容”虽然耗费巨资但并不是一个留住用户的好办法,而“定制手机”则优势颇多,值得具备实力和经验的运营商参与。     

中外战犹酣

时光荏苒,2004年即将远去。年底盘点国内外通信业,虽然市场仍处于缓慢复苏的艰难中,但“中外战犹酣”的局面却愈发令人瞩目。中国的数字集群市场正在群雄争战,而中兴通讯的GoTa技术和华为的GT800技术第一次作为中国自己的标准参与竞争。铁通和卫通对两种技术的试验表明了其性能的成熟,而GT800向TD-SCDMA的演进以及GoTa在国际化市场崭露头角也值得我们喝采。TD-SCDMA作为中国提出的3G标准之一,历经4年发展尤其在近年来TD-SCDMA产业联盟的引导之下,依靠国内外企业的共同努力取得了突飞猛进的发展。TD-SCDMA虽然在专利突破和产…     

一种SAR压制干扰区域扩展的方法改进

在分析正弦调频干扰和方位向间歇采样转发干扰信号的干扰原理和干扰效果的基础上,发现正弦调频在二维干扰的情况下能产生大面积多虚假目标,达到有效的对真实目标进行压制式遮盖;方位向间歇采样可以在方位向产生多点虚假目标。通过有效地结合两种干扰方法的优点,达到可沿方位向有效扩展干扰范围的效果。最后,利用仿真实验验证了理论的正确性。     

品牌赢信赖,集成创价值——专访浙江通博电子工程有限公司董事长周文宝

通博电子企业成立于1996年,从事专业演出扩声、公共广播、数字化酒店、楼宇音视频、数字会议系统、影音智能家居、AV集中控制、网络传输、专业音视频产品定制、高档酒吧娱乐中心影音工程,为国内广大用户、专业工程商、集成商、设计机构等提供定制的音视频系统整体解决方案。如今,通博电子已拥有自营进出口权的民营企业资质、中国演艺工程综合技术能力资质、建设部建筑智能化音视频专项资质,银行资信“AAA”级企业,并通过IS09001：2008国际质量体系认证。     

面向智能电网双向互动信息服务的通信组网方案设计

以建设智能电网对于智能用电的需求为出发点,研究了智能用电的关键技术以及智能用电新型服务,针对不同的用户设计了面向智能电网的双向互动信息服务系统以及通信组网方案。采用先进的双向互动通信技术、智能交互终端技术以及智能表计技术,为电网和用户之间的互动提供可靠的信息通道和网络支撑,并对应用层信息互动平台提出建设方案,构建了电网...     

检测三磷酸腺苷的交流阻抗型适体传感器

将一端标记具有可逆电化学行为的电活性基团二茂铁、另一端标记巯基的三磷酸腺苷(ATP)适体ss-DNA组装到薄膜金电极上,构筑了一种可灵敏检测ATP浓度的交流阻抗型适体传感器。首先研究了适体传感器的自组装方法,然后利用交流阻抗法研究了适体传感器在铁氰化钾(K3Fe(CN)6)和亚铁氰化钾(K4Fe(CN)6)混合溶液中的电极表面电子传递阻抗和被测物ATP浓度之间的关系,最后对自组装的阻抗型适体传感器的电化学特性进行了分析。实验表明:利用自组装的适体传感器检测ATP浓度时,适体传感器检出限低,线性检测范围宽,重复性好,其中检出限为0.5μmol/L,线性检测范围为0.5~100μmol/L,线性度为0.998 9,连续5次测量的相对标准差为1.5%。     

ZnO纳米管的制备及光学特性研究

ZnO nanotubes have been fabricated through a carbon thermal reduction deposition process. Structure characterization results show that the ZnO nanotubes have a single crystalline wurtzite hexagonal structure pref- erentially oriented in the c-axis. The diameters of ZnO nanotubes are in the range of 90-280 nm and the wall thickness is about 50-100 nm. Room-temperature photoluminescence measurements of the ZnO nanotubes exhibit an intensive ultraviolet peak at 377 nm and a broad peak centered at about 517 nm. The UV emission is caused by the near band edge emission while the green emission may be attributed to both oxygen vacancy and the surface state. Raman and cathodoluminescence spectra are also discussed. Finally, a possible growth mechanism of the ZnO nanotubes is proposed.     

题目：电子泄露有关的氮化镓蓝光发射二极管低温发光效率行为

The typical light emission efficiency behaviors of InGaN/GaN multi-quantum well （MQW） blue light- emitting diodes （LEDs） grown on c-plane sapphire substrates are characterized by pulsed current operation mode in the temperature range 40 to 300 K. At temperatures lower than 80 K, the emission efficiency of the LEDs decreases approximately as an inverse square root relationship with drive current. We use an electron leakage model to explain such efficiency droop behavior; that is, the excess electron leakage into the p-side of the LEDs under high forward bias will significantly reduce the injection possibility of holes into the active layer, which in turn leads to a rapid reduction in the radiative recombination efficiency in the MQWs. Combining the electron leakage model and the quasi-neutrality principle in the p-type region, we can readily derive the inverse square root dependent function between the light emission efficiency and the drive current. It appears that the excess electron leakage into the p-type side of the LEDs is primarily responsible for the low-temperature efficiency droop behavior.     

4-(3-烯)正丁基-2′氟-4″丙基-[1,1′,4′1″]三联苯的合成

丁烯类液晶具有黏度小、熔点低、清亮点高、低温稳定性良好的优点,对改进混晶的性能有着显著作用,是一类具有广阔前景的液晶单体。本文经过对接、酰化、酯化反应得到2-氟-4-溴-1-乙酸乙酯基联苯,与丙基苯硼酸偶联、还原、氯代得到4-氯甲基-2′-氟-4″丙基-[1,1′,4′1″]三联苯,再与3-氯丙烯的格氏试剂偶联,共7步反应得到目标产物4-(3-烯)正丁基-2′氟-4″丙基-[1,1′,4′1″]三联苯,总收率为21.7%。最后对化合物进行了IR、H1 NMR、GC-MS表征。