EFDA泵浦源半导体激光器驱动电源的设计

设计了一种EFDA泵浦源半导体激光器的驱动电源,采用由PC机和单片机构成的上下位机的控制结构,具有恒定功率和恒定电流两种控制模式.该驱动电源具有激光器保护电路,电流精度和光功率控制精度分别为0.15％和0.2％.     

交流主动磁轴承电主轴线性二次型最优控制

针对交流主动磁轴承电主轴,提出采用线性二次型最优控制理论设计磁轴承控制器。阐述了一种交流主动磁轴承支承的电主轴结构和工作原理,建立了电主轴系统的状态方程。在介绍线性二次型最优控制理论的基础上,采用线性二次型最优控制理论设计了5自由度交流磁轴承电主轴分散和集中参数控制器,并用Matlab软件对集中和分散控制器进行仿真和性能比较。仿真实验结果表明,交流主动磁轴承电主轴转子在20 000 r/min以下运行,采用线性二次型最优控制理论设计的分散控制器,能够实现转子稳定悬浮,交流主动磁轴承电主轴能够按理想的指标运行,并且具有良好的动、静态性能。     

半导体激光器可靠性评估系统设计

介绍了一种基于单片机控制的可预置工作电流值、工作温度值的半导体激光器可靠性评估系统的软、硬件设计方法.该方法以89C51单片机为核心部件,通过闭环反馈控制系统对工作电流、工作温度进行比较、调整,提高系统精度.该可靠性评估系统可实时显示工作电流及工作温度值.     

一种0.18μm全集成锗硅BiCMOS功率放大器设计

本文提出了一种用于多模前端集成电路的全集成功率放大器,该功率放大器采用0.18μm锗硅BiCMOS工艺设计,所有匹配网络及元件全部片上集成。利用负载牵引测试技术,得到了最佳功率放大级器件尺寸,并对版图进行了优化,最终的测试结果显示：该功率放大器在2.4GHz处最大输出功率达到24dBm,在5dBm功率输入时,得到输出1dB功率压缩点,为21dBm,此时功率附加效率为18%。该功率放大器全部片上测试,没有任何邦定线及片上匹配,可用于多模片上系统的功率模组集成。     

半导体激光器老化测试智能控制系统

本文介绍了一个能对半导体激光器进行老化测试的智能控制系统。相对于已有系统,该系统采用一个经过MAT-LAB优化设计的半导体激光器驱动电路,电路结构更为简单。控制系统能够同时在恒定电流老化筛选和恒定光功率老化筛选模式下,对多个半导体激光器进行老化测试。该系统的实验表明,工作稳定,性能良好。     

半导体激光器老化测试智能控制系统

本文介绍了一个能对半导体激光器进行老化测试的智能控制系统.相对于已有系统,该系统采用一个经过MATLAB优化设计的半导体激光器驱动电路,电路结构更为简单.控制系统能够同时在恒定电流老化筛选和恒定光功率老化筛选模式下,对多个半导体激光器进行老化测试.该系统的实验表明,工作稳定,性能良好.     

A fully monolithic 0.18 μm SiGe BiCMOS power amplifier design

A fully monolithic power amplifier(PA) for multi-mode front end IC integration is presented.The PA is fabricated in an IBM 7WL 0.18μm SiGe BiCMOS process with all the matching networks integrated on a chip. After load-pull test to find the best power stage size and layout optimization,the measured results show that the PA can obtain a 24 dBm maximum output power at 2.4 GHz,the output 1 dB compression point is 21 dBm at 5 dBm input,and the PAE is 18%.This PA is complete on-chip tested without any bonding wires and on-board matching, targeting fully power module integration in multi-mode system on chip.     

下一代移动通信LTE中功率放大器芯片设计

基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种应用于下一代移动通信3GPP LTE TDD2.6 GHz频段(Band38)的射频功率放大器(PA)芯片。射频功率放大器采用共发射极3级级联的全差分结构,提高了输出电压摆幅,减小了功率晶体管的集电极电流,且降低了寄生的键合线电感。在预放大级和中间放大级、功率级中分别设计了电阻偏置和有源偏置两种偏置电路以提高线性度性能,并通过MOS开关管实现功率控制功能。测试结果表明:在2.57～2.62 GHz工作频段内,正向增益S21大于30.5 dB,输入回波损耗S11和输出回波损耗S22分别均小于-13 dB,功率增益大于31 dB,输出1 dB压缩点功率达28.6 dBm,功率附加效率为18%。     

ASIC集成电路设计全流程实践教学改革

<正>通过对实践课程进行改革,构建基于“摩尔实训云”ASIC集成电路设计全流程实践平台;通过服务器远程登录,将实践教学从课内延伸到课外,打破了以往实践课堂教学的不足;通过实施“工期化”课程创新管理和考核模式,提升学生自主学习能力。     

UHFR FID阅读器中SiGe BiCMOS功率放大器的设计

设计了一种工作在860～960 MHz频段内,用于UHF RFID阅读器的单芯片射频功率放大器(PA).概述了PA适用的UHF RFID通信标准和采用的0.18μm SiGe BiCMOS工艺技术,分析了PA匹配电路和自适应偏置电路的设计方法,给出了PA芯片的电路结构和芯片测试结果.