高频高阻带抑制极窄带声表面波滤波器

该文介绍了一种双声通道纵向耦合结构的高频高阻带抑制极窄带声表面波滤波器。利用有限元仿真研究了AT石英材料上高声速的声表面横波与浅体声波的激励情况,并进行了浅体声波抑制研究。通过调节叉指换能器金属化比,大幅降低了浅体声波对滤波器阻带抑制的影响,并制作出中心频率为1 220 MHz,插入损耗为5 dB、1 dB带宽700 kHz、阻带抑制50 dB的低损耗高阻带抑制极窄带声表面波滤波器。     

一种窄带温补型声表面波滤波器

该文介绍了一种频率温度系数接近0的窄带温补型声表面波滤波器。该滤波器采用黑化的42°Y-X钽酸锂为衬底,温度补偿层材料采用二氧化硅薄膜,利用化学机械抛光二氧化硅薄膜法获得了平坦表面形貌。制作了温补型声表面波滤波器样品并进行了测试。测试结果表明,该温补型声表面波滤波器的中心频率约1 360 MHz,在-55～85℃内频率漂移仅约390 kHz,频率温度系数约-2×10~(-6)/℃,插入损耗约1.3 dB。     

SiN_x减反射层对组件抗PID能力影响

利用管式PECVD工艺,通过调整气体流量比,得到减反射性能较佳的双层SiN_x:H膜电池片,再对电池片封装成的光伏组件进行96 h、300 h的PID实验,得出较佳的抗PID工艺。实验结果表明,当折射率2.05时,电池片的抗PID效果较差,当折射率2.16时,抗PID效果显著;即减反射层工艺为达到较高的光电转化效率并同时满足抗PID效果,控制SiN_x膜电池片的折射率为2.16±0.02;即淀积1的较佳流量比NH3/SiH4为4.83,淀积2的较佳流量比NH_3/SiH_4为13.33,在此配比下电池片外观正常,电性能稳定性较好,同时组件抗PID测试300 h后衰减5%。     

QuEChERS-三重四极杆液相色谱质谱联用法快速筛查花生中52种农药残留

目的 基于QuEChERS 前处理方法,建立了HPLC-MS/MS快速筛查花生中52种农药残留的筛选和确认。方法 样品经0.1%甲酸乙腈提取,提取液经MgSO4、PSA和C18净化后,采用Waters C18(100 mm×2.1 mm×1.7 μm)色谱柱分离,在三重四级杆正离子反应监测（MRM）测定,基质标准曲线结合外标法定量。结果52种农药在0.001μg/mL~0.1μg/mL范围内线性良好,相关系数均大于0.998,方法的定量限（LOQ）1.0~5.0μg/Kg,通过实际样品加标回收试验,52种农药在10μg/Kg的加标回收率为76.6%~107.6%,相对标准偏差（RSD）为3.5%~12.3%,结论 该方法适用于花生中农药残留的筛查检测及定量分析。     

提高认知无线电频谱检测方案的研究

认知无线电的关键是快速且准确的频谱感知,协作频谱检测技术由于其良好的检测性能越来越受到人们的关注。由于无线通信信道中的多径衰落,阴影相关性制约着协作性能的提高,门限电平的选取也与协作用户的本地频谱检测结果有者密切关系。通过研究不同门限电平和阴影相关性对认知用户检测性能的影响,提出了一种多检测结果融合算法,仿真结果表明该方案具有良好的检测性能。     

苏里格气田东区水平井快速钻井技术

水平井在气田开发中的重要作用日显突出,水平井钻井施工周期直接影响到水平井投入生产的规模,在气田水平井开发建设中,提高水平井钻井速度,降低水平井钻井周期技术是一项必须作为长期重点研究的项目。     

车联网下基于RSU辅助AODV路由协议改进

目前,VANET网络中,针对AODV协议的改进仅仅考虑车载单元(OBU),没有将作为接入Internet起到网关作用的路侧单元(RSU)考虑进来。在本文中,我们针对这一实际情况,提出了基于RSU辅助AODV路由协议(ARSU-AODV)改进,以快速建立到目的节点的稳定路由。仿真结果表明,基于RSU辅助AODV路由协议改进降低了丢包率、端到端的延迟,具有一定的可行性。     

浅析银铜双金属一步法制备的黑硅多晶硅太阳电池的性能

为了研究银铜双金属一步法黑硅技术,对采用该方法处理后的黑硅多晶硅硅片进行测试,并以产线工艺为基础制备黑硅多晶硅太阳电池;使用测试仪等研究了黑硅多晶硅硅片的显微组织、界面结构、宏观形貌,以及黑硅多晶硅太阳电池的量子响应、电性能参数与光衰性能。结果表明,黑硅多晶硅太阳电池的电性能有显著提升,尤其是短路电流提升了221 mA,这主要是由于黑硅多晶硅太阳电池的短波段量子响应有显著改善;同时,黑硅多晶硅太阳电池的光衰特性优于常规多晶硅太阳电池。