有源吸声结构近场声学特性

有源吸声结构是近年来提出的吸收低频反射声的有效方案,对其近场声学性能的分析将为系统优化设计、次级源和误差传感器布放及控制目标选取等关键问题提供理论支持。本文在最小反射声功率条件下,对控制前后吸声结构近场观察面声强及吸声系数的变化进行了数值仿真。仿真结果从近场法向声强的幅值、辐射形式及空间分布等方面分析了有源吸声结构的近场声学特性,并从结构表面吸声系数变化的角度进一步加以验证。     

基于C/S体系结构的数据挖掘平台的设计

数据挖掘技术具有广阔的应用前景,研究和开发通用的数据挖掘系统,为各行业提供决策支持和信息服务是非常有必要的。DMAP是一个基于客户／服务器结构的数据挖掘平台,详细给出了其系统结构的设计以及各部分的主要功能。该平台集成了多种数据挖掘方法,具有良好的通用性和可扩充性。     

消力池导墙脉动壁压的正交分解与低阶近似

为进一步了解水流作用于消力池导墙上脉动压力的特性,通过模型实验获得了作用于消力池导墙上的脉动壁压信号,讨论了消力池导墙脉动壁压的统计特性。将正交分解与低阶近似方法引入到消力池导墙脉动壁压的研究中。实验与计算结果表明,作用于消力池导墙上的脉动压力强度的最大值与上、下游水位差有关,而且消力池导墙上脉动压力时均信号可以用正交分解进行描述。     

浅议大东湖水环境“联、动、和、谐”治理方略

基于武汉"六湖连通"构建的"大东湖"水网环境综合治理问题,定位"维系大东湖健康生命"的远景目标,通过认真总结江湖水沙关系以及江湖连通物理模型试验和数学模拟结果,依据江湖连通水网环境治理与发展必须遵循人与自然和谐的客观规律,提出大东湖水环境"联、动、和、谐"的综合治理方略。明确指出,连通六湖与长江所构建的大东湖的水环境治理,连通是"基"、联动是"本",大东湖"连通"还必须"联动",江湖连通实施"引江济湖",必须实现"外水多缓送、内水常驱动";长江外援水体入湖必须与大东湖内水高度融合;"长江—东湖—长江"循环水网环境综合治理,引用长江外部水环境驱动湖泊内部环境,必须构建"上下协作、内外贯通"的社会和谐氛围,才能做到"引好水、治好水、排好水"。     

几个初始聚类中心选取算法的比较研究

传统的k均值算法对初始聚类中心敏感。在实际应用中，找到一组初始中心点，从而获得一个较好的聚类效果并消除聚类结果的波动性对k均值算法具有重要意义。本文对文献提出的基于Huffman树构造的思想选取初始聚类中心、基于均值-标准差选取初始聚类中心、基于密度选取初始聚类中心、采用最大距离积法选取初始聚类中心等4个算法从算法思想、关键技术等方面进行了比较研究。     

光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术

介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术,包括:(1)光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术;(2)投影光刻和JBX-5000LS混合曝光技术;(3)接触式光刻机和JBX-5000LS混合曝光技术;(4)大小束流混合曝光技术或大小光阑混合曝光技术;(5)电子束与光学曝光系统混合光刻对准标记制作技术.该技术已成功地应用于纳米器件和集成电路的研制工作,实现了20nm线条曝光,研制成功了27n m CMOS器件;进行了50nm单电子器件的演试;并广泛地用于100nm化合物器件和其他微/纳米结构的制造.     

沙波波高随水流强度变化规律的探讨

基于河床与水流交互作用过程是一个动力学变化过程的事实,从微动量变化对比分析入手,建立了临界动量方程,从理论上探讨了沙波波高与相对水流强度间的函数关系.计算分析表明,公式所能描述的规律与室内外资料完全一致,能较好地反映沙波发生、发展以及消亡的全部变化过程.具有理论和实用价值.     

纳米级电子束直写曝光的基础工艺

电子束光刻技术具有极高的分辨率,其直写式曝光系统甚至可达到几纳米的加工能力.本文重点对不同的抗蚀剂、电子束/光学系统的混合光刻及邻近效应修正等技术进行了研究.     

泥沙的水下休止角与干容重计算

分析泥沙干容重及水下休止角的影响因素,并且从极限浓度和干容重的关系出发,推导出干容重的计算公式.运用散体沙的楔入堆积模型,推导散体沙的水下休止角计算公式,并结合干容重计算公式,计算散体沙的水下休止角.验证分析表明,公式计算结果与实测资料基本一致.     

光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术

介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术,包括:(1)光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术;(2)投影光刻和JBX-5000LS混合曝光技术;(3)接触式光刻机和JBX-5000LS混合曝光技术;(4)大小束流混合曝光技术或大小光阑混合曝光技术;(5)电子束与光学曝光系统混合光刻对准标记制作技术.该技术已成功地应用于纳米器件和集成电路的研制工作,实现了20nm线条曝光,研制成功了27n m CMOS器件;进行了50nm单电子器件的演试;并广泛地用于100nm化合物器件和其他微/纳米结构的制造.