SiC埋层结构与C^＋注入剂量关系

采用ＭｅｔａｌＶａｐｏｒＶａｃｕｕｍＡｒｃ（ＭＥＶＶＡ）离子源的离子束合成法，往Ｓｉ衬底注入剂量为３．０×１０＾１７～１．６×１０＾１８ｃｍ＾－２的Ｃ＾＋制成ＳｉＣ埋层，Ｃ＾＋离子束的引出能量为５０ｋｅＶ，光电子能谱和红外吸收谱表明ＳｉＣ埋层的结构特征明显地依赖于剂量，采用ＭＥＶＶＡ离子源可以平均衬底温度低于４００℃时得到含有立方结构的ＳｉＣ埋层。     

用场效应法研究退火对a-Si∶H隙态密度的影响

本文用场效应法测量了不同退火温度时的 I_D—V_G 关系,示出了 a-Si:H 场效应管的特性。在 Ar 气保护下,经500℃退火的样品的场效应特性在负栅压方面有较大的改善,测得了从积累到反型的几乎整个 I_D—V_G 关系,发现在距迁移率边缘0.4eV 附近有 N(E)的峰值。     

最小重量振动梁设计的最优控制近似法

一、前言 近年来曾研究许多令人感兴趣的一因次动力结构的最优化问题。Sheu和prager,以及Niordson和Pederson对结构最优化的更为广阔方面写了非常好的观测论文。在参考文献3～5中可以找到有关动力约束问题的量测。实际研究工作量已被引向到服从于固定基本频率的重量最小化问题以及服从于重量的基本频率最大化有关问题(示例参阅参     

回流萃取理论及计算

本文提出了在萃取分离时,最大取料量P_(max)和最小回流量(L_(A B))min的新概念。从难分离物质分离的基本原理出发,结合萃取技术的具体特点,推导出了回流萃取分离双组分(A B)混合物的一系列计算公式。这些公式更适用于稀土元素的萃取分离。     

Agilent34401A在沉积物热导率测量仪中的应用

以Agilent34401A为核心器件设计了沉积物热导率测量仪,实现了对多通道高精度温度和实际加热功率的测量。Agilent34401A的6位半数字万用表分辨率为1/(1.2×106),接近通用ADC的24位分辨率,电阻测量的精度可以达到0.01Ω,完全满足该系统数据采集的精度要求,为保证测量精度,其远程控制采用RS-232接口和SCPI命令。利用VC6.0编程平台,实现控制指令的发送和温度曲线的显示。     

YWP—1型液压无级变速器的研制

一、概述液压无级变速器在本世纪初已有制造的记载,二次世界大战以后,在较多的领域内获得了采用,例如,在运输车辆和工程机械的行走部作为转动力传动。但由于当时液压无级变速器在效率及价格上不如机械无级变速器,因而     

天然气水合物泥浆制冷换热器的分析

天然气水合物泥浆制冷系统的换热器对于天然气水合物的开采非常关键。本文以天然气水合物自然状态下的存在条件为依据,分析研究不同类型的换热器,对钻探取样方法获取保真的天然气水合物岩矿心的影响,对相同换热面积的同轴套管式换热器和螺旋板式换热器在同种工况下的传热效率进行对比分析,采用传热计算、数值模拟和室内实验相结合的方法,证明在相同的换热面积和同种工况下,螺旋板式换热器的换热效率可以提高70%,在满足水合物钻探取样要求条件下,可以有效地节省资源。     

基于EPCglobal标准的多标签天线的RFID通信建模

本文针对采用多标签天线的多输入单输出RFID通信进行了研究。首先,基于超高频RFID传输的EPCglobal标准,建立了RFID通信的传输链路模型,并讨论了2种规格的后向散射数据编码/解码原理;然后,提出了RFID通信的信道模型,并讨论了基于所提出信道模型实现的2种信道结构及其与RFID通信相关的衰落信道模型,重点讨论了MISO系统中的前/后向链路的相关性及信道的空间相关性;最后,提出了实现多标签天线的RFID通信的分集技术和传播模型。仿真结果表明,分集增益不仅与信道模型和采用的编码方案有关,而且与前/后向链路的相关性及信道的空间相关性密切相关,即随着更鲁棒编码方案的采用和传输信道之间的空间相关性的增大而减小,随着前/后向链路的相关性的增大而增大。     

注塑工艺对煤基均聚聚丙烯S1003拉伸性能的影响

采用正交试验法,研究了保压压力、冷却时间、注塑速率、注塑压力等注塑工艺条件对煤基均聚聚丙烯S1003拉伸性能的影响。结果表明:注塑S1003的保压压力为9 MPa、注射压力为7 MPa、注射速度为120 mm/s,其他工艺条件按GB/T 2546.2—2003进行时,S1003的性能最佳。通过极差分析对注塑工艺的影响程度进行排序为:注射压力对S1003的拉伸屈服应力影响最大,保压压力对S1003的拉伸断裂应力影响最大,注射速度对S1003的断裂标称应变影响最大,冷却时间对S1003的拉伸性能影响不大。     

金属Sn氧化薄膜的真空退火与原位XPS测量

本文研究了在真空退火过程中金属Sn氧化薄膜表面L元素Sn和O的化学性质．利用X射线光电子能谱（XPS）的表面分析方法,发现在金属Sn氧化薄膜的表面上存在大量的吸附氧粒子（O^-和O^-_2）提高真空退火温度,吸附氧粒子的数量增加;同时吸附氧粒子的负电性变弱．当退火温度低于350℃时,吸附氧粒子数量的增加是起因于SnO₂→Sn₂O₃的转变;在这种情况下,可以观察到Sn2O3是相对稳定的金属Sn氧化物,继续提高退火温度,达到400℃时,Sn在金属Sn中的相对含量急剧增大,Sn在金属Sn中相对含量增加的原因与金属Sn的价态Sn³⁺→Sn⁰的转变相关在这个转变过程中伴随着O的释放和薄膜表面氧粒子的进一步堆积．与温度低于350℃时的退火条件相比,XPS的测量也发现,在400℃的退火温度下;SnO₂相对于Sn₂O₃反而成为比较稳定的金属Sn氧化物．还讨论了金属Sn氧化薄膜表面上吸附氧粒子的吸附状态以及吸附状态与退火温度的关系．