回流萃取理论及计算

本文提出了在萃取分离时,最大取料量P_(max)和最小回流量(L_(A B))min的新概念。从难分离物质分离的基本原理出发,结合萃取技术的具体特点,推导出了回流萃取分离双组分(A B)混合物的一系列计算公式。这些公式更适用于稀土元素的萃取分离。     

YWP—1型液压无级变速器的研制

一、概述液压无级变速器在本世纪初已有制造的记载,二次世界大战以后,在较多的领域内获得了采用,例如,在运输车辆和工程机械的行走部作为转动力传动。但由于当时液压无级变速器在效率及价格上不如机械无级变速器,因而     

天然气水合物泥浆制冷换热器的分析

天然气水合物泥浆制冷系统的换热器对于天然气水合物的开采非常关键。本文以天然气水合物自然状态下的存在条件为依据,分析研究不同类型的换热器,对钻探取样方法获取保真的天然气水合物岩矿心的影响,对相同换热面积的同轴套管式换热器和螺旋板式换热器在同种工况下的传热效率进行对比分析,采用传热计算、数值模拟和室内实验相结合的方法,证明在相同的换热面积和同种工况下,螺旋板式换热器的换热效率可以提高70%,在满足水合物钻探取样要求条件下,可以有效地节省资源。     

基于EPCglobal标准的多标签天线的RFID通信建模

本文针对采用多标签天线的多输入单输出RFID通信进行了研究。首先,基于超高频RFID传输的EPCglobal标准,建立了RFID通信的传输链路模型,并讨论了2种规格的后向散射数据编码/解码原理;然后,提出了RFID通信的信道模型,并讨论了基于所提出信道模型实现的2种信道结构及其与RFID通信相关的衰落信道模型,重点讨论了MISO系统中的前/后向链路的相关性及信道的空间相关性;最后,提出了实现多标签天线的RFID通信的分集技术和传播模型。仿真结果表明,分集增益不仅与信道模型和采用的编码方案有关,而且与前/后向链路的相关性及信道的空间相关性密切相关,即随着更鲁棒编码方案的采用和传输信道之间的空间相关性的增大而减小,随着前/后向链路的相关性的增大而增大。     

注塑工艺对煤基均聚聚丙烯S1003拉伸性能的影响

采用正交试验法,研究了保压压力、冷却时间、注塑速率、注塑压力等注塑工艺条件对煤基均聚聚丙烯S1003拉伸性能的影响。结果表明:注塑S1003的保压压力为9 MPa、注射压力为7 MPa、注射速度为120 mm/s,其他工艺条件按GB/T 2546.2—2003进行时,S1003的性能最佳。通过极差分析对注塑工艺的影响程度进行排序为:注射压力对S1003的拉伸屈服应力影响最大,保压压力对S1003的拉伸断裂应力影响最大,注射速度对S1003的断裂标称应变影响最大,冷却时间对S1003的拉伸性能影响不大。     

金属Sn氧化薄膜的真空退火与原位XPS测量

本文研究了在真空退火过程中金属Sn氧化薄膜表面L元素Sn和O的化学性质．利用X射线光电子能谱（XPS）的表面分析方法,发现在金属Sn氧化薄膜的表面上存在大量的吸附氧粒子（O^-和O^-_2）提高真空退火温度,吸附氧粒子的数量增加;同时吸附氧粒子的负电性变弱．当退火温度低于350℃时,吸附氧粒子数量的增加是起因于SnO₂→Sn₂O₃的转变;在这种情况下,可以观察到Sn2O3是相对稳定的金属Sn氧化物,继续提高退火温度,达到400℃时,Sn在金属Sn中的相对含量急剧增大,Sn在金属Sn中相对含量增加的原因与金属Sn的价态Sn³⁺→Sn⁰的转变相关在这个转变过程中伴随着O的释放和薄膜表面氧粒子的进一步堆积．与温度低于350℃时的退火条件相比,XPS的测量也发现,在400℃的退火温度下;SnO₂相对于Sn₂O₃反而成为比较稳定的金属Sn氧化物．还讨论了金属Sn氧化薄膜表面上吸附氧粒子的吸附状态以及吸附状态与退火温度的关系．     

氮掺杂VCD金刚石薄膜的场电子发射研究

用微波等离子体化学气相沉积（ＭＰ－ＣＶＤ）方法生长氮掺杂金刚石薄膜,研究发薄膜场电子发射性能。实验结果表明,不同氮源气体流量下制备的榈均呈现连续而稳定的场电子发射,但发射性能对氮源气体流量有强烈的依赖性。随着氮源气体流量由０逐渐增大到０．５ｃｍ＾３（ＳＴＰ）／ｍｉｎ,发射的开启电压从１０５０Ｖ逐渐减小为１５０Ｖ,而当氮流量超过０．５ｃｍ＾３（ＳＴＰ）／ｍｉｎ时,开启电压则不断增大,当氮流量为３．０     

氢掺杂C_(60)薄膜的电导性质研究

本文报道了用微波等离子法制备氢掺杂Ｃ６０薄膜．直流电导测量表明,室温下掺杂的电导率要比未掺杂膜的大５个量级．经５７３Ｋ温度退火后,掺杂膜的电导接近,但仍要高于本征膜的电导率,说明仍有少量的氢留在薄膜中．     

硼掺杂富勒烯薄膜电学性质的研究

采用直流电弧放电方法利用硼碳复合棒成功合成了硼掺杂富勒烯,质谱和Ｘ射线光电谱等分析手段证实我们制备的硼掺杂富勒烯主要是以Ｃ５９Ｂ和Ｃ６９Ｂ形式存在;对硼掺杂富勒烯薄膜样品在４９３Ｋ进行了真空退火,并测量了电导率随温度的变化关系．发现硼掺杂富勒烯膜的电导激活能减小,室温电导率比未掺杂富勒烯膜高三个量级,同时硼掺杂富勒烯膜依然表现出明显的半导体特性     

氮离子注入CVD金刚石薄膜的场电子发射研究

对氮离子注入掺杂的微波等离子ＣＶＤ金刚石薄膜进行了场电子发射研究。结果表明,发射具有３特征,即当样品损伤层被击穿、发射体被激活后,稳定的发射建立起来,并表现出优异的发射性能,开启电压低（４５Ｖ）,发射电流大（１３０ｍＡ）。根据电介质的击穿模型和金属／电介质／真空的发射体模型对结果进行了讨论。