基于ICP的金属钛深刻蚀

MEMS应用领域的扩展要求开发硅材料之外其他新型材料的三维微细加工技术．为此,对金属钛这一新型MEMS体材料的三维加工进行了探索．金属钛不仅延展性和导电性好,且断裂韧度高、高低温特性以及生物兼容性好．采用电感耦合等离子体源（inductively coupled plasma,ICP）技术对金属钛进行三维深刻蚀,采用不同刻蚀掩模、氯基刻蚀气体,研究了线圈功率、平板功率和Cl2流量对刻蚀速率和选择比等工艺参数的影响,并对Ti深刻蚀参数进行了优化,得到0．91μm/min的刻蚀速率,可实现光滑表面和陡直侧壁．     

高灵敏度微机械薄膜的设计、模拟与优化

许多高性能微传感器和微执行器的实现都离不开高灵敏度的薄膜。使用微机械加工方法制备的薄膜一般有着不可忽视的残余应力。残余应力极大地降低了膜的机械灵敏度。文中提出的纹膜结构 ,可在不改变工艺条件的前提下 ,显著地降低残余应力的不良影响 ,大幅度增加膜的灵敏度。理论分析的结果表明 ,纹膜几何参数的设计是提高灵敏度的关键。文中提出了一种简单实用的纹膜制造工艺 ,并结合此工艺设计出若干实际的结构 ,利用有限元分析 (FEA)工具对结构进行了进一步的模拟和优化 ,得到了各项设计参数的最优值。优化后纹膜的灵敏度较平膜提高了一个数量级 ,可用于各种高性能 MEMS器件的制作     

基于MOEMS技术的一种F-P光开关的设计与制作

研制了一种用于WDM光通信系统的多层介质膜Fabry-Perot腔结构式光开关,面积为1.5mm×1.5mm.光开关采用多层复合膜消除内应力,防止产生过度变形;中心的十字复合梁有利于提高机械灵敏度,降低驱动电压.体硅腐蚀出的硅杯既减小了光开关的插损,又便于端面输入输出光纤的精确对准与固定,有效降低封装成本.制成的开关转换电压为20V,关态隔离度为87%,开态插损为0.15dB.其结构和工艺简单,易于与IC工艺相结合形成规模生产,如增加膜的层数便能制成基于F-P干涉仪结构的滤波器.     

多相输电线电磁暂态行波分析

本文利用经典方法严格地求解了描述多相输电线电磁特征的矩阵偏(?)分方程,给出解析表达式。在求解中考虑了与频率有关的参数。在该解析式中,通过输电线参数和故障距离确定所有不同频率的行波因素。从而有利于分析行波保护和与行波保护有关的问题(?)。根据数学解答和物理现象,提出一种行波保护的判据。本文考虑了有损耗输电线的参数频率特性。文中给出了一些概念。为核对所得结果采用了G.W.Swiftn论文中的一个实例。最后在附录中用数学方法验证了所得结果的正确性。     

美国标准-6导弹性能与发展特点

标准-6导弹是美国正在研制的新一代标准导弹,用于应对未来不断发展的空中威胁.简要描述了标准-6导弹的发展背景,阐述了标准-6导弹的发展现状,重点论述总结了其性能特点,并对发展特点进行了深入研究分析.     

电容式射频微机械谐振器芯片级测试技术

针对用电容式射频微机械谐振器芯片级测试时信号微小、寄生效应严重、从而使得激励和检测困难的问题,本文对基于固支梁的微机械谐振器的电学测试理论和技术进行了研究.利用机电类比的方法得到了包含寄生参数的谐振器的等效电路并利用安捷伦的ADS电路仿真软件进行模拟.根据电路仿真结果分析了谐振器寄生参数对测试结果的影响,并在此基础上搭建了经过良好电磁屏蔽设计的谐振器单端口电学测试平台.使用合适的偏置,对谐振器进行了芯片级测试.得到了一个8.6 MHz谐振器的幅度——频率响应特性曲线,其结果与设计值相符.     

用于压电和电容微麦克风的体硅腐蚀相关研究

用溶胶-凝胶法制备的锆钛酸铅压电薄膜的微麦克风和纹膜电容式微麦克风都是基于微电子机械系统技术的硅基单片微麦克风。在其工艺制作过程中,在表面硅微加工之后进行体硅的湿法腐蚀,由此产生了硅片的正面保护和体硅腐蚀的控制等新的工艺问题。从各种正面保护方法和体硅腐蚀自停止技术两方面对这一问题进行了研究和解决。保持了微麦克风具有20~40 mV/Pa的开路灵敏度,并且使圆片级成品率达到70%以上。     

纹膜结构微麦克风的动态特性:使用EDA/CAD工具进行Top-down设计

综合使用通用电路模拟软件 PSPICE和有限元分析软件 A NSYS对一种硅基微麦克风进行了系统模拟 .得到了各项参数的优化值 ,优化后的微麦克风在音频范围内具有平直的响应 .在此基础上 ,提出了一种 Top- down的优化设计方式以准确预测系统的行为 ,分析了各组件的相互作用及其对系统性能的影响     

用于MEMS的选择性形成多孔硅技术的研究

提出了一套采用扩散工艺在低掺杂的硅衬底上选择性形成多孔硅牺牲层,并制作了MEMS器件结构的工艺流程,进行了工艺流水.对得到的结果进行了详细的讨论.对于KOH溶液释放多孔硅牺牲层技术进行了研究.