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42.
介绍了一种采用磁控溅射AlN介质作为绝缘层的的SiC衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT.器件研制中采用了凹槽栅和场板结构.采用MIS结构后,器件击穿电压由80 V提高到了180 V以上,保证了器件能够实现更高的工作电压.在2 GHz、75 V工作电压下,研制的200μm栅宽AlGaN/GaNMIS-HEMT输出功率密度达到了14.4 W/mm,器件功率增益和功率附加效率分别为20.51 dB和54.2%. 相似文献
43.
44.
采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制出了一种单片集成850nm光接收机前端,它包括金属-半导体-金属(MSM)光探测器和分布放大器.探测器光敏面积为50μm×50μm,电容为0.17pF,4V偏压下的暗电流小于17nA.分布放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz~16GHz范围内,输入、输出电压驻波比均小于2;噪声系数在3.03~6.5 dB之间.光接收机前端在输入2.5和5Gb/s非归零伪随机二进制序列调制的光信号下,得到较为清晰的输出眼图. 相似文献
45.
介绍的泡显影液法T-TOP剥离工艺,是一种简单的金属剥离方式,它在普通光刻工艺流程中加入浸泡显影液环节,通过调节烘烤温度,制作出利于剥离的T型胶剖面,并配合正确的剥离操作,最终实现完好的金属互联。该方法相对来说,工艺简单、易于操作、经济实用。 相似文献
46.
GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)以其输出功率密度大、工作电压高和输出阻抗高等特点,在微波通信、雷达等领域有着广泛的应用前景,将成为下一代高频固态微波功率器件. 相似文献
47.
通过研究基于临时键合与解键合工艺的GaN、InP等材料无损剥离和晶圆级柔性集成等关键技术,提出了解决当前柔性化合物半导体器件普遍存在的转移后器件性能退化严重和大面积批量制造困难等问题的方案,制备出100 mm(4英寸)柔性GaN HEMT器件和75 mm (3英寸)InP HBT器件。其中,柔性GaN HEMT器件的饱和电流衰减仅为8.6%,柔性InP HBT器件的电流增益截止频率和最高振荡频率分别达到了358 GHz和530 GHz。表明采用本文介绍的柔性化方法制备的柔性电子器件在高频大功率等领域具有较好的应用前景。 相似文献
48.
数字衰减器在现代通信系统和电子设备中有着广泛的应用.GaAs MMIC数字衰减器由于其体积小、重量轻、低功耗、可靠性高、一致性好、抗辐射性能好等显著特点而更受欢迎.南京电子器件研究所业已研制出一种X波段GaAs MMIC数字衰减器,并获得优异电性能. 相似文献
49.
采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制了一种光接收机分布式前置放大器.该放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz~16GHz范围内,输入、输出电压驻波比(VSWR)均小于2;带内噪声系数在3.03~6.5dB之间,平均等效输入噪声电流密度约为14.6pA/ Hz ;在输入10Gb/s非归零(NRZ)伪随机二进制序列(PRBS)信号下,放大器输出眼图清晰,具有12ps的定时抖动和166mV峰峰电压. 相似文献
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光纤通信系统中,前置放大器用于检测光电探测器输出的微弱电流,40Gb/s光通信系统对前置放大器的基本指标要求为带宽、跨阻增益和等效输入噪声电流。南京电子器件研究所在国内首次利用0.2μm的GaAs低噪声PHEMT工艺成功地研制了前置放大器芯片,单管栅宽为60μm,放大器的静态工作点为5V/60mA。测试结果显示:前置放大器3dB带宽超过40GHz,跨阻增益为46dBQ, 相似文献