SOI光波导和集成波导光开关矩阵

报道了基于SOI (silicon-on-insulator）材料的光波导和集成波导光开关矩阵的最新研究进展. 给出了截面为梯形的脊波导的单模条件，设计制备了MMI (multimode interference）集成耦合器和基于Mach-Zehnder光波导干涉仪的热光型2×2光开关，开关转换速度达到了5～8μs，驱动功耗仅为140mW，是当前国际上同类型光开关中转换速度最快的. 在此基础上制备成功了4×4波导光开关矩阵，并实现了光信号在不同信道间的转换.     

关于我国电网调度自动化的发展——从SCADA到EMS的过程性探究

随着科技技术的不断进步,我国的电网调度自动化取得非常巨大的发展成就,带动了其他相关领域的产业进步。本文对我国电网调度自动化发展中从SCADA到EMS的过程进行深入探究,了解SCADA以及EMS的进步与发展,分析了当今我国电网调度自动化的特点,并以电网调度自动化的特点作为基本依据,提出了促进我国电网调度自动化水平进一步提高的相关建议。     

基于改进蝙蝠算法的红外光谱特征选择

特征选择是红外光谱定性与定量分析中的重要环节之一。为了解决传统特征选择方法可调参数多、收敛速度慢、精度低、易早熟等不足,对基本蝙蝠算法进行了离散化改进以适用于离散优化问题,同时结合Lvy飞行搜索策略,提出了一种新型的红外光谱特征选择算法。采用三个红外光谱数据集对提出的算法进行了验证,同时与遗传算法、模拟退火算法、无信息变量消除法等进行了比较分析。实验结果显示,该方法可以快速地搜索到全局最优值,能有效地提高波长选择的准确性和稳定性,被选择的波长物理、化学意义明确,采用选择的特征波段建立的定量模型优于用全谱建立的模型。同时,三个不同相态、不同光谱范围的数据集表明,所提出的算法具有较大的适用范围与实用价值。     

无线局域网技术概述

本文论述了近年来发展迅速的无线局域网技术，从技术特点、发展应用等方面介绍了相关的知识。     

ICP刻蚀参数对SOI脊形波导侧壁粗糙度的影响

研究了以C4F8/SF6/O2为刻蚀气体,利用ICP刻蚀技术制作SOI脊形光波导过程中,刻蚀参数与侧壁粗糙度的关系.实验结果表明偏压、气体比例、压强是影响侧壁粗糙度的关键参数,在低偏压、低C4F8/SF6比和较高压强下更容易获得低粗糙度的侧壁.通过优化刻蚀参数,获得了侧壁粗糙度和传输损耗相对较低的SOI脊形波导.     

热光Si共振腔型可调谐滤波器

报道了利用Si基键合技术和化学机械抛光工艺制作的垂直结构的Fabry- Perot可调谐滤波器,调谐机理为pn结正向注入电流引起的热光效应.调谐范围可达2 3nm,响应时间约为30 0 μs,并给出了获得更快响应和更低能耗的热光和电注入可调谐滤波器件结构改进方案.     

光纤与波导器件的联接技术

文中就如何增大耦合效率和工艺容差的问题作了具体的分析,在此基础上,评述了现 有的几种能够获得较低插入损耗的光纤和波导的固定联接技术。     

SiGe共振腔增强型探测器的制备

利用SOI材料的埋层二氧化硅的自停止特性,成功制作了具有高反射底镜的共振腔增强型SiGe探测器.底镜沉积于EPW腐蚀液腐蚀形成的背孔内,在1.2～1.5μm范围内,反射率高达99%.探测器的共振峰在1.344μm,光响应为1.2mA/W.与普通结构的探测器相比,文中所报道的探测器光响应有8倍的增强.     

国外可见光半导体激光器

概况1970年贝尔实验室首先研究出了室温下能连续工作的(GaAl)As/GaAs双异质结(DH)激光器。自那以来,半导体激光器得到十分深入、广泛的研究,一些应用研究也相应地开展起来。随着应用研究的深入发展,半导体激光器的研究分成两大方向进行,依波长划分,可分为长波长和短波长激光器。长波长(1～1.6微米)范围内,光在光纤中的传输损耗小,色散小,在光纤通讯中具有独一无二的优越性,因而近年来发展迅速。而短波长激光器中,     

液相外延生长的GaAs-Al_xGa_(1-x)As异质结的均匀性

通过改进外延工艺,大大提高了外延层的层厚和组分的均匀性。采用象衬显微镜,扫描电镜,光萤光等对表面形貌、层厚、组分等进行了分析,并对制成的条形激光器的电学和光学特性进行了测量。本文给出了这些研究结果。