全文获取类型
收费全文 | 361篇 |
免费 | 27篇 |
国内免费 | 139篇 |
专业分类
电工技术 | 21篇 |
综合类 | 19篇 |
化学工业 | 26篇 |
金属工艺 | 9篇 |
机械仪表 | 18篇 |
建筑科学 | 28篇 |
矿业工程 | 12篇 |
能源动力 | 5篇 |
轻工业 | 51篇 |
水利工程 | 18篇 |
石油天然气 | 3篇 |
无线电 | 249篇 |
一般工业技术 | 35篇 |
冶金工业 | 4篇 |
自动化技术 | 29篇 |
出版年
2024年 | 7篇 |
2023年 | 16篇 |
2022年 | 17篇 |
2021年 | 14篇 |
2020年 | 12篇 |
2019年 | 18篇 |
2018年 | 22篇 |
2017年 | 6篇 |
2016年 | 11篇 |
2015年 | 10篇 |
2014年 | 25篇 |
2013年 | 27篇 |
2012年 | 25篇 |
2011年 | 20篇 |
2010年 | 19篇 |
2009年 | 32篇 |
2008年 | 36篇 |
2007年 | 22篇 |
2006年 | 16篇 |
2005年 | 21篇 |
2004年 | 20篇 |
2003年 | 21篇 |
2002年 | 14篇 |
2001年 | 25篇 |
2000年 | 37篇 |
1999年 | 8篇 |
1998年 | 3篇 |
1997年 | 2篇 |
1996年 | 5篇 |
1995年 | 1篇 |
1992年 | 2篇 |
1991年 | 2篇 |
1990年 | 1篇 |
1985年 | 1篇 |
1982年 | 1篇 |
1981年 | 7篇 |
1978年 | 1篇 |
排序方式: 共有527条查询结果,搜索用时 171 毫秒
81.
基于Web的煤矿安全管理系统设计 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了运用Web Services技术对煤矿安全管理信息系统进行设计,介绍了软件框架的搭建与各个功能模块的设计以及数据库的设计,为煤炭工业的健康发展及企业的安全生产提供了重要的技术支撑。 相似文献
82.
83.
光互连是突破传统微电子IC性能瓶颈的重要技术手段,对推进"后摩尔时代"微电子技术的发展和高性能计算技术的实现具有关键性意义。本文在归纳总结不同层次光互连结构特点的基础上,对片上光互连(on-chip or intra-chip optical interconnects)所涉及的若干种无源光子集成器件的设计制备及性能特点进行了分析介绍,这些器件包括SOI亚波长光子线波导、SOI光子晶体波导、MMI分束/合束器、微环/微盘谐振腔滤波器、光子晶体微腔耦合滤波器、光子晶体反射镜等,是硅基片上光互连的基本构成单元。本文对这些关键性光子集成器件的国内最新研究进展进行了报道。 相似文献
84.
以CCl4为除水剂,采用炉料浸泡处理工艺制备40GeO2-30SiO2-12Al2O3-6BaO-6CaO-6MgO光学玻璃,研究该工艺对锗酸盐玻璃的红外透过性能以及析晶行为的影响.结果表明,锗酸盐玻璃中OH吸收峰位于3 338 /cm(3.0 μm)附近,通过Gauss分解将其分解为5个单峰并分别对其进行分析,认为锗酸盐玻璃中羟基振动频率的红移是由氢键强度变弱引起的.红外光谱分析表明,采用普通工艺制备的锗酸盐玻璃OH吸收系数为1.71/cm,而处理后玻璃OH吸收系数减少至0.25/cm.对样品的DTA与XRD分析表明,采用新工艺制备的玻璃中由于残留氯离子的存在,起到成核剂的作用,降低玻璃的析晶温度,提高玻璃的析晶速率.氯化物的引入使得玻璃中晶粒形貌由岛状转变为板状,提高玻璃的析晶程度. 相似文献
85.
反应离子刻蚀工艺仿真模型的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
以SF6/N2混合气体对Si反应离子刻蚀工艺研究为例提出干法刻蚀计算机工艺模拟的方法:在分段拟合优化工艺条件下采用人工神经网络该当建立干法刻蚀仿真模型,可以预测绘定射频功率、总气流量下刻蚀速率和纵横比,并且以仿真实验数据训练模型学习,模型具有通用性,与设备无关。 相似文献
86.
根据对日本九所研究所和大学的实地考察,综述了这些研究机构在光电子器件方面的研究和开发进展,这些光电器件主要包括多波长光源和滤长可选择光源、电吸收调制器与分布反馈激光器的集成、泵浦用大功率激光器、大功率GaN激光器和平面光波回路等。同时,介绍了日本半导体光电产业的发展现状和趋势。 相似文献
87.
利用 Si H4 和 Ge H4 作为源气体 ,对 UHV/CVD生长 Si1- x Gex/Si外延层的表面反应机理进行了研究 ,通过 TPD、RHEED等实验观察了 Si( 1 0 0 )表面 Si H4 的饱和吸附、热脱附过程 ,得出 Si H4 的分解应该是每个 Si H4 分子的 4个 H原子全部都吸附到了 Si表面 ,Si H4 的吸附率正比于表面空位的 4次方 ,并分析了 Ge H4 的表面吸附机制 .在此基础上建立了 UHV/CVD生长Si1- x Gex/Si的表面反应动力学模型 ,利用模型对实验结果进行了模拟 ,二者符合得很好 相似文献
88.
利用SiH4和GeH4作为源气体,对UHV/CVD生长Si1-xGex/Si外延层的表面反应机理进行了研究,通过TPD、RHEED等实验观察了Si(100)表面SiH4的饱和吸附、热脱附过程,得出SiH4的分解应该是每个SiH4分子的4个H原子全部都吸附到了Si表面,SiH4的吸附率正比于表面空位的4次方,并分析了GeH4的表面吸附机制.在此基础上建立了UHV/CVD生长Si1-xGex/Si的表面反应动力学模型,利用模型对实验结果进行了模拟,二者符合得很好. 相似文献
89.
采用 UHV / CVD系统 ,在 Si衬底上生长了具有渐变 Si1 - x Gex 缓冲层结构的弛豫 Si0 .76 Ge0 .2 4虚衬底和 5个周期的 Si0 .76 Ge0 .2 4/ Si多量子阱 .在渐变 Si1 - x Gex 缓冲层生长过程中引入原位退火 ,消除了残余应力 ,抑制了后续生长的 Si Ge中的位错成核 .透射电子显微照片显示 ,位错被有效地限制在组份渐变缓冲层内 ,而 Si Ge上层和 Si Ge/Si量子阱是无位错的 .在样品的 PL 谱中 ,观察到跃迁能量为 0 .96 1e V的 型量子阱的无声子参与 (NP)发光峰 .由于 型量子阱中电子和空穴不在空间同一位置 ,较高光功率激发下引起的高浓度载流子导致能带弯 相似文献
90.