电子束曝光高斯分布束斑的Monte Carlo模拟

经地严格论证，提出一种计算简便，易于软件实现的电子束束斑直径定义方法，在此基础上运用Monte Carlo方法对高斯分布电子束斑进行模拟，给出模拟电子数分别为5000，20000，50000，100000时的模拟结果。     

回眸五十年的艰辛 细微之处见业绩我国制版光刻技术的发展轨迹

自从1958年世界上出现第一块平面集成电路开始算起,在短短的四十年中,微电子技术以令世人震惊的速度,创造了人间奇迹。Intel公司推出0.25微米工艺的550MHz的奔腾Ⅲ微处理器,存储器也比预测提早一年跨进千兆位时代(GBit,0.18微米工艺技术),甚至都已研制出运算速度极高的光子计算机芯片。加工尺寸也从当初数十微米的加工精度进入现在的深亚微米、百纳米以至纳米级超精细加工精度,这一切都离不开光掩膜制造技术和光刻技术的进步。     

AlGaN/GaN异质结极化行为与二维电子气

AlGaN/GaN异质结及其相关器件因其优越的电学特性成为近几年的研究热点.2DEG作为其特征与材料本身的极化现象关系密切.本文主要从晶体微观结构角度介绍AlGaN/GaN异质结极化现象的产生、机理和方向性,着重讨论极化对异质结界面处诱生的二维电子气的影响.极化不仅可提高2DEG的浓度,而且还能使其迁移率得到提高.     

纳米级电子束直写曝光的基础工艺

电子束光刻技术具有极高的分辨率,其直写式曝光系统甚至可达到几纳米的加工能力.本文重点对不同的抗蚀剂、电子束/光学系统的混合光刻及邻近效应修正等技术进行了研究.     

可制造性设计在纳米SOC中的应用和发展

随着图形特征尺寸的不断缩小、集成度的不断提高,集成电路已进入纳米系统芯片(SOC)阶段,摩尔定律依靠器件尺寸缩小得以延续的方式正面临着众多挑战。分析了纳米SOC中影响性能和良品率的关键效应及相应的措施。从半导体产业链的发展演变指出了可制造性设计(DFM)是纳米SOC阶段提高可制造性与良品率的解决方案。与光刻性能相关的分辨率增强技术(RET)是推动DFM发展的第一波浪潮,下一代的DFM将更注重良品率的受限分析及设计规则的综合优化。综述了DFM产生的历史及发展的现状,并对其前景进行了展望。     

微光刻与微/纳米加工技术

介绍了微电子技术的关键工艺技术——微光刻与微/纳米加工技术,回顾了中国制版光刻与微/纳米加工技术的发展历程与现状,讨论了微光刻与微/纳米加工技术面临的挑战与需要解决的关键技术问题,并介绍了光学光刻分辨率增强技术、下一代光刻技术、可制造性设计技术、纳米结构图形加工技术与纳米CMOS器件研究等问题。近年来,中国科学院微电子研究所通过光学光刻系统的分辨率增强技术(RET),实现亚波长纳米结构图形的制造,并通过应用光学光刻系统和电子束光刻系统之间的匹配与混合光刻技术及纳米结构图形加工技术成功研制了20～50nm CMOS器件和100nm HEMT器件。     

基于高效太阳电池的光诱导镀技术

介绍了光诱导镀(light-induced plating,LIP)应用于太阳电池的背景、发展历史及其工作原理。论述了光诱导镀技术对太阳电池性能的影响,并重点探讨了光诱导镀技术对太阳电池前表面电极接触性能的改善效果。同时,还讨论了光诱导镀技术应用于铝背表面场(Al-BSF)和激光烧制接触(laser fired contact,LFC)两种高效太阳电池上所取得的成果。当接触电阻成为串联电阻中的主要成分时,光诱导镀能够降低接触电阻、提高填充因子,从而提高电池的效率。光诱导镀特别适合于改善串联电阻较大的电池,利用光诱导镀也可以重新优化电池的烧结条件,得到更高的电池效率。     

电子束光刻技术与图形数据处理技术

介绍了微纳米加工领域的关键工艺技术——电子束光刻技术与图形数据处理技术,包括:电子束直写技术、电子束邻近效应校正技术、光学曝光系统与电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术、电子束曝光工艺技术、微光刻图形数据处理与数据转换技术以及电子束邻近效应校正图形数据处理技术。重点推荐应用于电子束光刻的几种常用抗蚀剂的主要工艺条件与参考值,同时推荐了可以在集成电路版图编辑软件L-Edit中方便调用的应用于绘制含有任意角度单元图形和任意函数曲线的复杂图形编辑模块。     

SAL601负性电子束抗蚀剂纳米级集成电路加工

讨论了采用SAL601负性化学放大电子柬抗蚀剂进行电子束曝光应用于纳米级集成电路加工的实验方法与工艺条件。经过大量实验总结，通过变剂量模型对电子束曝光中电子散射参数进行提取，应用于邻近效应校正软件，针对集成电路曝光图形进行邻近效应校正。校正后的曝光图形经过曝光实验确定显影时间及曝光剂量，最终得到重复性良好的，栅条线宽为70nm的集成电路曝光图形。