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将CsTi2NbO7与异丙醇钛混合后与尿素在空气中煅烧制备出CsTi2NbO7@N-TiO2核壳杂化材料,用XRD、SEM、TEM、UV-Vis DRS和XPS等手段对样品进行了表征。结果表明,N掺杂使TiO2带隙变窄和吸收边红移,实现了可见光响应。杂化、核壳结构和N掺杂的协同作用不仅使CsTi2NbO7@N-TiO2杂化核壳结构材料具有较强的可见光吸收特性,异质结面的存在还导致光生载流子分离和迁移效率增强,从而提高了可见光降解亚甲基蓝(MB)的光催化活性,其反应速率常数约为CsTi2NbO7的5.8倍。同时,这种材料还具有良好的光催化循环稳定性。 相似文献
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微机电系统和集成电路中常用的热氧化SiO2是各向同性材料,研究了其在单轴应力场中介电常数的变化规律。依据介质在自由和束缚两种边界条件下受到单轴应力作用产生的应变不同,从电动力学基本关系出发推导了各向同性电介质两种边界下的介电电致伸缩系数计算公式,表明介电电致伸缩系数是与电介质的初始介电常数、杨氏模量和泊松比有关的常数。计算得到热氧化SiO2薄膜在自由和束缚条件下的介电电致伸缩系数M12分别为-0.143×10-21和-0.269×10-21 m2/V2。搭建了基于三维微动台的微位移加载系统,测量了在单轴应力下微悬臂梁SiO2薄膜电容的变化,测量得到热氧化SiO2薄膜的M12为(-0.19±0.01)×10-21 m2/V2,表明实际SiO2薄膜介质层的边界条件处于自由和束缚之间。 相似文献
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详述了新一代智能变电站对二次设备的技术要求,提出在目前常见的电气主接线形式下,监控系统设备、电能计量设备、故障录波设备及同步相量测量单元(phase measurement unit,PMU)设备的集成方案,进一步探讨了监控系统的功能。按照双母线接线和3/2接线形式的继电保护配置情况分别对继电保护设备的集成方法进行了介绍,通过对监控系统、继电保护等二次设备集成方案进行比较,给出了推荐的集成方式,考虑到采样测量值(sample measuredvalue,SMV)报文占用带宽的计算、二次设备装置背板光纤端口安装密度、屏柜空间等影响设备集成的制约因素,提出了设备集成时应重点注意的技术问题。 相似文献