某火炮电液随动系统校正分析

在某型火炮电液随动系统数学模型的基础上，分析串联校正与并联校正的特点，利用MATLAB软件中的动态仿真工具SIMULINK建立了某型火炮电液随动系统仿真模型。对火炮电液随动系统进行仿真和性能分析，获得了反映系统性能的仿真曲线，验证了该电液随动系统采用并联校正装置的正确性。     

Sb—Se系和Ge—Sb—Te系粉末材料热力学参数测试

利用DSC对Sb-Se系和Ge-Sb-Te系粉末热力学参数进行了研究，对于Sb-Se系合金，仅在温度为220℃左右时出现一个放热峰，而对于GeSb2tE4与GeSb4Te4合金，分别在140℃及200℃左右出现一个放热峰，加热速度不同放热峰出现温度略有差别。     

为何中国人钱多了反而更不安

人类自古就难以以个体形式生存,人际经济交易、感情交换历来是人类得以存活的主要保障形式。人类必须通过彼此间的利益交换,特别是在不同时间、空间之间的人际利益交换,来使生存概率最大化,来获得对未来生活保障（包括养老）的安全感。但是,人际交易,     

基于嵌入式思想的新型准集散式温室环境控制系统

结合集散式控制系统和集中式控制系统的特点,设计了一种基于嵌入式思想的新型准集散式温室控制系统.该系统通过嵌入式数据集中器采集底层环境控制器的数据,上传主控计算机,由计算机实现上层管理,内嵌多因子协调控制算法的底层环境控制器实现系统底层控制.该系统具有低成本、高可靠性的优点.     

美债危机是藏富于民使然

这次的美债危机给很多中国人一种负面的影响——美国这么富有的国家,怎么还会欠债14万多亿美元？其实,美国是真正藏富于民的国家,政府没有钱。美国财政部的数据显示,美国政府目前负债累累,账面上只有448亿美元。相比之下,苹果公司没有任何负债,账面上的资产高达463亿美元。如此比较起来,美国政府好像还不如苹果、高盛这样的公司财力雄厚。换一个角度理解,这恰恰表明了美国民间很富。我们千万不要把美国民间的财富,跟政府的财富混为一谈。     

抗血小板溶栓素对局灶性脑缺血/再灌注大鼠脑损伤的作用观察

目的: 观察抗血小板溶栓素(anti-platelet thrombolysin,APT)对缺血性脑损伤的保护作用并初步探讨其作用机制。方法: SD大鼠,随机分为假手术组(Sham)、模型组(缺血再灌注组)、阳性组(依达拉奉注射液)、APT高、中、低组。双侧颈动脉结扎,建立脑缺血模型,测定大鼠脑含水量,HE染色观察脑组织病理改变;线栓法建立大鼠脑缺血/再灌注模型,进行行为学评分,酶联免疫法(ELISA)及免疫组化测定脑组织中Toll样受体4(TLR4)、c-Jun氨基末端激酶(JNK)、Bax蛋白含量。结果: 与模型组比较,APT高、中剂量组可明显改善缺血再灌注后大鼠神经功能障碍症状,降低脑水肿程度,改善缺血后脑组织的病理改变,明显降低缺血后脑组织中TLR4、JNK、Bax蛋白表达。结论: APT对缺血性脑损伤有较好的保护作用,其机制可能与抑制脑组织中TLR4/JNK/Bax信号通路表达,从而抑制细胞凋亡有关。     

消弧柜的配置与选用

为消除6～35 kV电网中的弧光接地过电压,笔者提出了一种改进型消弧柜,称作B型消弧柜。当电网发生单相弧光接地时,这种消弧柜可以根据预先设定的运行模式,通过高压真空接触器直接将故障相接地以消除弧光接地过电压,或者仅仅动作于信号。对于大多数6～35 kV电网而言都可设置两台B型消弧柜,其中一台用作消弧设备,而另一台用作智能电压互感器柜,它们互为备用。实际运行结果表明:在选型、配置及使用正确的情况下,这种消弧柜可有效消除6～35 kV电网中的弧光接地过电压,因而可广泛地用作6～35 kV电网的消弧设备。     

基于STM32F105的动态自动称重系统设计

为了研制高精度的碳化硅砂子动态自动称重系统[1]装置,提出了基于STM32F105测量系统的方案.介绍了称重系统的工作原理,设计了系统的主控器电路、称重检测调理电路和电机驱动电路等硬件电路及PWM电机调速和数字滤波软件,并将称重结果显示在LCD上.试验结果表明,系统结构简单,工作稳定可靠,满足了碳化硅砂子的高精度动态称重要求.     

基于RK算法的弹箭仿真实时研究

依据计算机实时仿真与非实时仿真的定义和区别,介绍了弹箭实时仿真系统的组成。在此基础上分析了弹箭实时仿真的实时性,特别是对基于RK算法的弹箭实时仿真算法的特点进行了探讨。最后通过对RTRK4算法的比较,得出了弹箭系统仿真中具有最大稳定域的RTRK4算法实时性最好的结论。     

CaBi_4Ti_4O_(15)高温无铅压电陶瓷的B位高价掺杂改性研究

分别以V~(5+)、Nb~(5+)和W~(6+)离子对CaBi_4Ti_4O_(15)陶瓷进行B位取代,比较3种掺杂离子对CaBi_4Ti_4O_(15)陶瓷的烧结、介电和压电性能的影响.结果表明:3种离子的掺杂均能改善材料的烧结特性,提高瓷体致密度,同时降低高温电导率和损耗.V~(5+)掺杂可显著改善烧结性能,少量V~(5+)掺杂对居里温度影响不大,但可显著降低高温电导率和高温介电损耗.少量Nb~(5+)掺杂可有效提高材料的压电性能.W~(6+)掺杂对居里温度影响最为显著,使居里温度降低了30 ℃,但改性效果不如Nb~(5+)和V~(5+)明显.