正常和异常血清吸收光谱的实验研究

生命科学是当今科学研究的一个重要领域,本文针对血液检测这一研究课题,采用日本岛津紫外-可见近红外分光光度计研究了正常血清、高血糖血清、高血脂血清的吸收光谱的异同,并探讨了正常血清与异常血清在某些波段上吸光度的不同,发现正常血清和高血糖血清的吸收光谱没有太大差别,不能用吸收光谱来判断血清中的血糖是否超标;高血脂血清和正常血清相比,随着血脂浓度的提高,血清的吸光度增大.尤其是在416nm处的吸光度,提出了利用血清在某些波段上的吸收率来判断血清中血脂是否异常的方法,为医学应用提供了新的分析方法.     

厦门国际马拉松赛电视直播导演指令发布系统的设计与应用

本文主要介绍调频副载波(SCA)的原理、副载波接收器的设计以及导演指令发布系统在厦门国际马拉赛事中作为电视直播通讯保障备用系统的应用。     

血清微弱发光的实验研究与应用

采用微弱发光检测系统,研究了血清的微弱发光。测试了健康人、高血糖和高血脂病人血清样品的微弱发光,探讨了血清的发光强度随血清中血糖和三酰甘油浓度变化的规律,并用编制的软件,实现了血清微弱发光图像的定量分析。实验结果表明,血糖浓度增加会导致血清的发光强度单调递增,微弱发光图像的灰度值增加;三酰甘油血清发光图像的灰度值也随着血脂浓度的增加而变大。与血糖相比,血清发光强度随三酰甘油浓度变化的效果不是十分明显。因此,可以采用血清的发光强弱来判断血清中血糖含量是否超标,此方法可有效地分析血清中血糖是否异常。     

草酰氯激光诱导荧光的压力增强效应

用准分子激光器泵浦的染料激光器做光源,研究草酰氯(COCl)_2)的激光诱导荧光。发现随添加气体 Ar,N_2或 C_2H_4分压增大,(COCl)_2的荧光线性增强,给出了动力学模型,对荧光增强效应做了解释。     

对播控系统中播出工作站的思考

以矩阵为主控、视频服务器为核心的多频道、多工作站控制模式的数字播出系统，是目前数字化技术在播控系统中的运用。本文从播出工作站的角度，来探讨网络化、数字化播控系统如何做好安全播出。     

快速城市化下城市综合体的触媒效应特征探析

我国当前快速城市化的进程推动了城市综合体的加速发展,使其成为城市化深度发展和城市经济发展进入一个新阶段的表征。本文首先对城市综合体的概念内涵及类型特点进行了重新诠释,认为在当前城市发展阶段下,城市综合体可以作为城市发展的重要触媒;并指出活性、修改性和选择引导性是衡量城市综合体触媒性的三个主要指标,触媒性及其强弱决定了城市综合体对周边环境及城市整体影响效应的特征和强度;进而揭示出城市综合体的触媒效应在效果上具有正负两面性,在空间上具有梯度性和指向性,在时间上具有阶段关联和动态变化的特征。本文旨在为合理导控城市综合体的触媒效应,科学指导城市开发建设、塑造健康的城市形态提供参考。     

热处理温度对碳基复合吸波材料电磁性能的影响

在聚丙烯腈(PAN)聚合液中加入Fe,用去离子水凝固成膜后,分别加热至600、700和800℃制备了3种电磁损耗型碳基复合吸波材料。通过X射线衍射仪(XRD)对不同热处理温度下的复合材料进行物相分析,推断Fe在热处理中的反应过程。比较3种复合材料的介电常数和磁导率。结果表明,随着热处理温度的升高,复合材料的介电常数增加,其对电磁波损耗能力增强。     

碳纤维增强受电弓滑板的性能表征

采用改性酚醛树脂为粘结剂,连续碳纤维和短切纤维为增强相,铜为导电相,石墨为润滑相,利用热压技术制备碳纤维增强受电弓滑板.对试样进行电阻测试、冲击试验以及磨损试验,利用SEM对冲击断面和磨损形貌进行观察.结果表明,连续碳纤维增强滑板的冲击性能和耐磨性明显优于短切纤维增强滑板;碳纤维含量对滑板的机械性能影响较大;纤维与树脂...     

不同增强体对SiC涂层性能的影响

采用3种工艺,以石墨为基体制备SiC抗氧化涂层,通过引入不同组分优化涂层相结构并对其性能进行研究。分别测试了不同制备工艺下的试样在1400℃下的抗氧化性能。通过分析试样氧化前后表面及侧面的SEM图以及涂层XRD衍射结果,研究涂层形貌、相结构及氧化机理。实验结果表明,同时引入SiC晶须及MoSi2的涂层在1400℃下氧化10h,氧化失重不超过1%,表现出良好的抗氧化性能;SiC晶须的存在能够减少涂层微裂纹的产生,减少渗Si过程中Si对基体的腐蚀;MoSi2和Mo的加入均能提高涂层质量并表现出较好的自愈合能力。     

SiC晶须制备工艺的研究

实验以高含氢硅油(H-PSO)为原料, 在石墨材料表面制备SiC晶须, 利用“正交试验法”以结晶率为指标, 研究热处理温度(T)、保温时间(t)、保护性气氛流量(f)和基体孔隙率(P)这四个因素对SiC晶须生成的影响。通过扫描电镜、透射电镜、拉曼光谱及X射线衍射等测试手段, 分析了SiC晶须形貌及结构特点。实验结果表明, 热处理温度是影响SiC晶须生成最重要的因素, 其影响程度远远大于其他参数, 其次是气流量、孔隙率和保温时间。安全流量范围内, 较高的气流量使SiC晶须生成反应充分进行; 较小的孔隙率有利于SiC晶核的长大; 高的热处理温度及长的保温时间能促进SiC晶须的继续生长。SiC晶须是以SiC晶相为核, 以硅的氧化物为壳的核壳结构。