一个具有隐私保护的数字产品匿名交易方案

密码及其相关技术是在电子商务中保护用户隐私的重要手段之一，基于数字签名技术，加密技术，以及匿名电子现金技术，提出了一种改进的数字产品网上交易方案，改进后的方案使用匿名的电子现金确保了用户在交易中的匿名性，进一步有效地保护了合法用户的隐私，此外，方案利用数字签名技术，以签名作为商家承诺，有效地解决了商家在交易中的恶意欺诈，如“以次充好，偷梁换柱”等问题。     

可切削生物活性微晶玻璃在模拟细胞外液中的界面行为

实验通过模拟细胞外液(PECF)浸泡、扫描电镜/能谱微区分析、薄膜XRD、红外反射光谱分析及原子吸收光谱分析等方法,研究了以氟金云母和氮磷灰石为主晶相的微晶玻璃在生理环境中表面生物活性反应过程和机理,认为微晶玻璃中残余玻璃相的Ca~(2+)、PO_4~(-3)溶出及溶液中Ca~(2+)、PO_4~(3-)及OH~-相对于羟基磷灰石的过饱和状态对于材料表面磷灰石层的形成具有重要意义。表面磷灰石层是由最初的无定形含水CaO—P_2O_5薄层晶化转变而成。     

固体径迹探测器

本文是一篇评述报告。主要内容是: (1) 潜伏径迹的显示方法。介绍了径迹显露的一般机制、各种蚀刻槽的设计、蚀刻剂的性质及应用、蚀刻参数对径迹显示的影响、非蚀刻显示以及体内径迹显示等。 (2) 各种径迹观测技术。着重介绍了火花放电、击穿计数器、径迹定位和扩大、各种积分测量技术和自动图象分析等。     

自导鱼雷区域射击法研究

针对如何有效打击只能确定初始位置及运动方向的匀速直航潜艇，提出了自导鱼雷对匀速直航潜艇射击的区域射击法，即采用与匀速直航潜艇运动方向相同的固定提前角进行射击，建立了鱼雷与潜艇的区域射击法对抗模型，通过实例计算分析了固定提前角的确定方法，验证了区域射击法对中近距离上向固定方向运动的匀速直航敌潜艇对抗的有效性。仿真结果表明，在500～4000m距离内，对向固定方向运动且速度小于20kn的潜艇，采用7^o～15^o的固定提前角射击，对潜艇的命中概率可达到0．8。     

ZN—10真空断路器开断高压感应电动机的过电压试验报告

随着我国电力工业的不断发展,近几年来,投入电网的真空断路器日益增多,并且陆续用于操作高压感应电动机,随之而发生的电动机绝缘事故有明显增加。为了弄清真空断路器开断高压感应电动机产生的过电压的机理,以便采取适当的限制措施,我们在浑江发电厂进行了ZN—10真空断路器开断6.0千伏、570千瓦球磨机电动机的试验。一、试验项目、方法及结线1.试验项目: (1)开断空载电动机的过电压试验;     

半水煤气除尘系统改造

介绍了新疆宜化煤气化造气炉旋风除尘工艺运行中存在的问题,改造的方案和措施,取得的效果。     

高电密自然循环离子膜烧碱生产工艺优化

介绍高电密自然循环离子膜烧碱生产过程中的各种工艺优化,总结了通过实际运行后产生的经济效益、节能减排、安全运行等方面的成果,并提出离子膜法电解工艺改造的其他建议。     

新运营者城域数据网建设策略

简要介绍了目前城域数据网络发展、现状和主要组网技术,分析了新运营者城域数据网在不同阶段需要解决的主要问题,并提出初期利用MSTP方式组建城域传输和数据网,最终将城域数据网分离独立组网的发展思路。最后介绍了新运营者在南方某省会城市初期合并建设MSTP城域传输网和数据网,以及演进为独立的城域MSTP传输网、NGN轻载数据网和纯数据网。     

利用磁控溅射在GaN/蓝宝石衬底上生长ZnO薄膜

Zinc oxide (ZnO) thin films were grown on n-GaN/sapphire substrates by radio-frequency (RF) magnetron sputtering. The films were grown at substrate temperatures ranging from 400 to 700 ℃ for 1 h at a RF power of 80 W in pure Ar gas ambient. The effect of the substrate temperature on the structural and optical properties of these films was investigated by X-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM) and photoluminescence (PL) spectra. XRD results indicated that ZnO films exhibited wurtzite symmetry and c-axis orientation when grown epitaxially on n-GaN/sapphire. The best crystalline quality of the ZnO film is obtained at a growth temperature of 600 ℃. AFM results indicate that the growth mode and degree of epitaxy strongly depend on the substrate temperature. In PL measurement, the intensity of ultraviolet emission increased initially with the rise of the substrate temperature, and then decreased with the temperature. The highest UV intensity is obtained for the film grown at 600 ℃ with best crystallization. oindent