AZO/N+-Si欧姆接触的研究

文章介绍了AZO/N+-Si欧姆接触特性的研究和AZO/N+-Si欧姆接触的制备新方法。实验发现AZO/N+-Si的退火温度和时间对其欧姆接触特性有很大的影响,在最优的退火温度和时间条件下,测得最小比接触电阻为7.32×10-4Ω.cm2。它满足多晶硅太阳能电池的要求,可用于高效率硅太阳能电池透明电极的制备。     

低成本多晶硅片表面织构的研究

采用化学腐蚀液织构了经磷吸杂处理后的多晶硅片。利用SEM分析了化学腐蚀后多晶硅表面形态,并通过反射谱测试分析了多晶硅片表面的陷光效果。实验结果表明：经酸腐蚀后的样品表面分布着均一的“蚯蚓状”的腐蚀坑,且反射率较低。在400-1000nm波长范围内,反射率可达22．75％;生长了SiN,薄膜后,反射率减小至8．33％,比原始硅片的反射率低20．96％。     

掺氮类金刚石薄膜的电化学C-V研究

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法携带N2或NH3制备掺氮的类金刚石(DLC∶N)薄膜,对不同掺杂方法得到DLC∶N薄膜进行电化学C-V测量.I-V和C-V曲线表明,不论是采用N2或是NH3进行掺杂都得到n型的DLC薄膜,掺NH3的样品载流子浓度能达到更高.根据样品的电化学C-V测量结果并结合X射线光电子能谱,详细研究了DLC∶N薄膜载流子浓度的纵向分布,发现在靠近薄膜与衬底界面处附近即生长初期N的掺杂浓度分布较高.     

移动通信基站电源防雷工程解决方案

介绍了防雷基本原理和防雷器的种类和作用，以及在实际应用过程中，移动通信系统基站部分电源的防雷工程解决方案。     

多晶硅太阳电池的一维模拟计算

提出了多晶硅太阳电池的一维物理模型,并对其在AM1.5太阳光照下的电池的短路电流密度Jsc、开路电压Voc、填充因子FF和转换效率η进行了模拟计算,重点分析了多晶硅晶粒尺寸和电池厚度对n /p结构的多晶硅太阳电池性能的影响.模拟中主要引入载流子的有效迁移率和有效扩散长度两个物理量.模拟结果表明,电池效率在厚度50μm以内随厚度的增加而增大,当厚度大于50μm以后趋于饱和;当晶粒尺寸在100 μm以内时,电池特性随晶粒尺寸的增加而显著提高,晶粒进一步增大时效率趋于饱和,此时背面复合速率的影响变大.     

一种基于数据融合的蜂窝无线定位算法模型

本文基于数据融合的基本原理,利用TOA和TDOA测量数据并结合先验信息进行数据融合,然后通过定义可信度函数构造了一种基于移动台位置的动态定位算法,进一步提高了对移动台(MS)定位估计的准确性。最后仿真结果表明:这种融合算法模型在保证决策可靠的前提下,能得到更准确可靠的移动台估计位置,从而有效提高了决策输出的定位精度。     

某天然气管线腐蚀穿孔失效分析

为了解决某天然气输送管线的腐蚀穿孔失效问题,确定造成输气管道腐蚀失效的主要因素,采用扫描电子显微镜、EDS、XRD等分析方法,对某天然气输送管线失效位置进行了宏观形貌、微观形貌、材质及腐蚀产物等的分析研究.结果表明:失效管段处于低洼易积水处,局部腐蚀及穿孔主要发生在6点钟方向.通过元素成分分析和力学性能分析,确定管线材质符合标准要求.腐蚀产物分析表明:腐蚀产物中有硫化物和碳酸盐的存在,且含量较多,管道底部积水诱发的H2S电化学腐蚀和碳酸盐的沉积结垢引起的垢下腐蚀是导致腐蚀穿孔的主要原因.     

InGaAs/InP APD探测器光电特性检测

建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统。利用该系统对光敏面的直径为500 μm的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管(APDs)进行测试。测试结果表明,该APD器件在90%击穿电压下的暗电流为151 nA,在直径500 μm的光敏面上其光响应均匀性良好。提出一种测量雪崩二极管倍增因子的方法,只需利用普通的测量电流-电压的测试仪器,就可以获得开始倍增时的光电流,从而得到APD的倍增因子。通过该方法得到的InGaAs/InP APD器件最大倍增因子的典型值在10~100量级。     

分光光度法测定多晶硅中铁和铝

将多晶硅(硅粉)用氢氟酸和硝酸二次溶解,用高氯酸的二次冒烟去除氟离子对铝的干扰,用3 cm的比色皿解决铁低灵敏度带来的误差大的问题。使用分光光度法准确测定多晶硅中铁和铝的含量。研究了显色条件对显色反应的影响,确定最佳实验条件。结果表明,在pH3~5的乙酸-乙酸钠缓冲溶液中,铁与5 mL 0.25 g/L的1,10-二氮杂菲10 min后生成稳定的红色络合物,且在2~10μg/50 mL范围内服从比尔定律;在pH 5.5~6.1的六次亚甲基四胺缓冲溶液中,铝与5 mL 0.3 g/L的铬天青-S在15 min后形成稳定的紫红色络合物,且在4~16μg/50 mL范围内服从比尔定律。用分光光度法能准确测定纯度为99.99%多晶硅(硅粉)中铁和铝含量,并与ICP-AES法测试结果对比,相对误差在5%左右。     

UMG多晶硅片的少子寿命

利用微波光电导衰减方法,研究磷吸杂、热氧化以及氮化硅钝化后快速热退火等工艺对物理冶金法制备的UMG硅片少子寿命的影响。实验发现:磷吸杂可有效改善冶金法硅片的少子寿命,其优化的条件是950℃处理4h;经热氧化处理后,少子寿命有所下降;氮化硅钝化后快速热退火处理可提高少子寿命,其优化的条件为800℃退火30s。