天津感光材料公司的发展历程

本文较详尽地介绍了我国轻工感光材料行业的老字号天津感光材料公司在新中国成立后的发展历程,及其为我国感光材料工业的发展所作的贡献。着重介绍了天感公司在发展我国军工感光材料和科技感光材料方面所做的卓有成效的工作。同时又介绍了天感公司在新世纪探索国有企业转制途径方面;坚持发展传统感光材料和数码影像材料两条腿走路方面所做的工作及取得的成绩。     

多晶硅冶金法除磷的研究进展

磷是多晶硅中的一种主要杂质元素,目前国内外采用冶金法除磷的工艺主要包括酸洗除磷、合金定向凝固除磷和真空除磷工艺.其中,酸洗除磷工艺可以很有效地去除磷杂质,但仍未达到太阳能级多晶硅小于0.1×10-4%(质量分数)的要求.采用合金定向凝固工艺可以去除80%以上的磷杂质,但目前对凝固后硅中残留溶剂金属的去除方法还有待进一步的研究.通过真空感应熔炼实验已将磷含量从15×10-4%(质量分数)降低至0.8×10-5%(质量分数),并对除磷的热力学条件进行了初步探索.     

Si N~+/P/P~+太阳电池的数值模拟与分析

提出了单晶硅N /P/P 太阳电池的物理模型,采用数值模拟方法对其在AM1.5太阳光入射下的电池特性进行了模拟计算,分析了基区少子扩散长度和基区厚度对短路电流密度和转换效率的影响,着重分析了基区少子寿命对转换效率等电池特性的影响.模拟结果表明,在综合考虑了各种损耗机制的前提下,转换效率等电池特性都随基区少子寿命和少子扩散长度的增加而增大,并且从电池输出特性与基区少子寿命的关系曲线上可以方便地获得少子寿命所对应的短路电流密度、开路电压、填充因子和转换效率的值,为实验提供有力的理论依据和参考.     

某型动车组钢弹簧磁粉探伤线性缺陷分析

某型动车组钢弹簧在磁粉探伤时发现线性缺陷,理化检验结果表明钢弹簧内侧的凹坑缺陷及其引起的应力集中效应导致表面萌生微裂纹,微裂纹可以用修磨和抛丸的方法消除并通过疲劳试验验证。     

开管扩锌InP的液结光伏谱和少子扩散长度

用电化学液结方法测量了在４７０℃于氢气氛下开管扩锌ＩｎＰ样品的载流子浓度分布、不同深度的光伏谱和少于扩散长度。结果表明：在扩散区形成浓度为１０１７～１０１８ｃｍ－３较平坦的空穴分布；少于扩散长度由衬底的８～１０μｍ降至表面的０．２９μｍ以下；若轻微腐蚀去严重损伤的样品表层，将较大地提高新表层的少子扩散长度。     

650nm光纤通信研究的现状与进展

从宽带光接入网现况和存在的问题入手,重点介绍了“最后一公里”的瓶颈,提出了用650nm光纤通信的解决方案,介绍了其主要器件和关键技术,并评述了国内外650nm光纤通信的研究与进展。     

标准CMOS工艺下Si光电探测器的模拟与设计

设计了与标准CMOS工艺兼容的硅双光电探测器,并从理论上计算和分析了其绝对光谱响应.0.5μm CMOS工艺条件数值模拟结果显示,在无抗反射膜情况下该探测器在400～900nm波长范围内响应度都在0.2A/W以上,尤其是在短波长处效果比一般的探测器要好.还就反向偏压以及CMOS工艺中介质与钝化层等因素对探测器响应度的影响进行了讨论.     

Nd:YAG连续激光诱导下InP的Zn掺杂

Nd:YAG连续激光辐照在表面蒸有Zn薄膜的n-InP片上,用激光诱导的方法实现Zn在InP中掺杂。形成PN结。用电化学C-V方法和扫描电子显微镜对辐照后的样品进行分析研究,给出激光辐照功率、辐照时间等工艺参数对结深、浓度分布影响.在n-InP片表面得到受主浓度分布均匀、高掺杂（～1019cm-3）、浅结（～1μm）的P-InP。初步分析其掺杂机理是激光诱导下所形成的合金结过程。     

一种Turbo码的编码算法仿真实现

对Turbo码的编码的基本原理及编码中的关键元件和技术做了介绍,其中包括交织器的原理,最主要的是对Turbo码在CDMA2000中的编码进行了Matlab仿真,在Turbo码编码的设计仿真过程中对交织器和抽取器进行了算法的实现,模块的封装,计算结果与理论值较接近,有助于对Turbo码的进一步研究.