煤矿采掘技术的改造思路

随着我国社会经济的发展,对各行业发展也提出了新的要求。综合我国煤矿采掘技术发展的现状,已经无法完全适应新形式下我国市场经济发展的需求,对煤矿采掘技术进行改造是煤矿采掘技术发展的必然。文章将通过介绍我国煤矿采掘技术的现状来探讨对我国煤矿采掘技术的改造思路。     

彩色喷墨打印耗材的国产化进程

本文扼要综述近年来国内彩色喷墨打印系统的发展概况。应用范围的迅速扩展和耗材（专用墨水和喷墨胶片、纸）相对较高的价位极大地促进了彩色喷墨耗材的国产化。作者勾画了国产彩喷耗材料的现状，分析了其迅速增长的背景，归纳了一系列市场份额和价位的统计数据，剖析了产品质量状况，并指出了其发展趋向。     

高纯冶金硅除硼的研究进展

硼是多晶硅太阳电池的受主元素,影响太阳电池的光电转换效率和稳定性.硼在硅中的物理性质很稳定,通过定向凝固、真空熔炼等方法很难去除.主要介绍了冶金法除硼的研究进展,包括吹气造渣除硼、等离子体除硼、合金定向凝固除硼工艺.同时,介绍了本实验室采用冶金法除硼的最新实验结果.     

AlGaAs/GaAs太阳电池抗辐照性能的研究(英文)

The changes of performence of AlGaAs/GaAs heteroface solar cell after 1 -MeV electron irradiation has been studied by the experimental and numerical fitting. Using an improved damped least square method, the spectral response and dark J-V characteristic of the cells are fitted according to the various theoretical formulas. From the fitting calculation, a number of materials, structural and electric parameters of the cell are obtained. The experimental data and calculated results show that the critical irradiation flux of the cell is about 2.2×1014 cm-2, the damge constant KL for the minority carrier diffusion length in n-GaAs layer due to irradiation is found to be larger than that in p-GaAs, layer, they are about 7.0×10-3 and 2.2×10-7, respectively, the degradation of the minority carrier diffusion length in p-GaAs layer and the increase in the recombination velocity at interfaec are the majar reasons for the cell performence degradation. The cell with a shallow junction has higher irradiation resistance than the one with a deep junction. Based on the studies, the method for improving the irradiation resistance of the cell is discussed.     

光伏法测量AlAs/GaAs超晶格子带间光跃迁

采用电容耦合法,在18—300K温度范围内测量了AlAs/GaAs超晶格的光伏谱.在100K以下,光伏曲线反映了台阶式二维状态密度分布,可观测到6个信号峰.采用Kronig-Penney模型计算势阱中导带和价带子带的位置和带宽,共有3个导带子带,6个重空穴子带和3个轻空穴子带.根据宇称守恒确定光跃迁选择定则,对6个峰进行指认.实验结果与理论计算的结果基本相符合.     

Al_x Ga_(1-x)AS:Te的光致发光和DLTS研究(英文)

Photoluminescence (PL) and DLTS data are presented for Te-doped AlxGa1-xAs crystals in which carrier concentrations at 300K vary between 1 ×1016 and 1×1017cm-8 and compositions cover the range of 0.1相似文献   

1－MeV电子辐照对Al_xGa_（1－x）As／GaAs异质面太阳电池性能的影响

对ＡｌｘＧａｌ－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质面太阳电池经ｌ－ＭｅＶ电子辐照前后的性能变化进行实验研究和数值拟合分析．讨论了电池性能衰退的主要原因，并提出了如何提高ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质面太阳电池的抗电子辐照能力的方法．     

摩擦系数对高副接触磨损影响的有限元模拟

为研究摩擦系数对高副接触磨损的影响,利用有限元方法,采用ANSYS软件建立了圆柱和平板相接触的磨损预测模型．根据改进的Archard磨损模型计算磨损量,采用移动接触边界节点的方法来模拟材料的去除过程,并与实验数据进行了对比,证明了模型的合理性．利用该模型,研究不同的摩擦系数对磨损量、接触压力、滑移量、正应力、剪应力的影响．仿真结果表明,较小的摩擦系数会产生较大的接触压力和滑移量,从而使磨损量增大．较大的摩擦系数会加速疲劳的产生．     

Si N~+/P/P~+太阳电池的数值模拟与分析

提出了单晶硅N /P/P 太阳电池的物理模型,采用数值模拟方法对其在AM1.5太阳光入射下的电池特性进行了模拟计算,分析了基区少子扩散长度和基区厚度对短路电流密度和转换效率的影响,着重分析了基区少子寿命对转换效率等电池特性的影响.模拟结果表明,在综合考虑了各种损耗机制的前提下,转换效率等电池特性都随基区少子寿命和少子扩散长度的增加而增大,并且从电池输出特性与基区少子寿命的关系曲线上可以方便地获得少子寿命所对应的短路电流密度、开路电压、填充因子和转换效率的值,为实验提供有力的理论依据和参考.