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改性淀粉对石英-磁铁矿浮选体系的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
通过浮选试验、红外光谱分析研究了改性淀粉对石英和磁铁矿浮选体系的抑制性能及其机理。研究结果表明:改性淀粉是石英-磁铁矿分选体系的良好抑制剂之一;用GE-601作为捕收剂,可以实现反浮石英,达到理想的分离。 相似文献
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脉冲激光沉积制备ZnO薄膜及其发光性质研究 总被引:7,自引:7,他引:0
采用脉冲激光沉积(PKD)技术,在Si(100)衬底上制备出高度C轴取向的ZnO薄膜。通过测量X射线衍射(XRD)谱、扫描电镜(SEM)和光致发光(PL)谱,研究了衬底温度改变对薄膜结构和PL的影响。实验结果表明,当衬底温度从400℃升到700℃时,薄膜的(002)衍射峰半高宽(FWHM)变窄,紫外(UV)发光强度在衬底温度为500℃达到最强。这可能是当衬底温度为500℃时,ZnO薄膜的化学配比较好,说明化学配比对UV发光的影响要大于薄膜微结构的影响。改变衬底温度对薄膜的表面形貌也有较大的影响。 相似文献
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基于弛豫锗硅衬底上生长双轴应变硅技术、离子注入工艺以及选择性腐蚀方法,制备了8英寸(1英寸=2.54 cm)双轴张应变的绝缘体上应变硅(sSOI)材料。利用喇曼光谱分析、缺陷优先腐蚀以及透射电子显微镜(TEM)等方法表征了sSOI材料的应变度、缺陷密度以及晶体质量;制备了基于sSOI材料的n型金属-氧化层-半导体场效晶体管(n-MOSFET)以表征其电学性能,同时在相同工艺下制备了基于SOI材料的n-MOSFET器件作对比。结果表明,制备的sSOI材料顶层应变硅薄膜的应变为1.01%,并且在800℃热处理后仍能保持;应变硅薄膜厚度为18 nm,缺陷密度为4.0×104cm-2,具有较高的晶体质量;制备的sSOI n-MOSFET器件的开关电流比(Ion/Ioff)达到108,亚阈值斜率为69.31 mV/dec,相比SOI n-MOSFET,其驱动电流提高了10倍。 相似文献
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随着科学技术和经济的发展,世界各个国家纷纷制定关键矿产战略保障供应安全,萤石正是一项非常重要的战略性资源。在中国,单一萤石矿床品位不高且静态储量不足,而中国矿产资源禀赋特点之一就是共伴生矿产多,伴生萤石资源合理开发利用可有效地缓解资源紧张这一问题。据调查,萤石在稀土矿中广泛伴生,伴生萤石利用已成为稀土资源综合利用研究的重要方向。通过查阅诸多学者科研成果,从我国萤石资源储量、分布和特点着手,进而介绍了稀土尾矿中伴生萤石的资源分布和特点,确定了稀土尾矿富含大量伴生萤石。最后,针对稀土尾矿中矿物成分复杂、开发利用不够完善和萤石资源回收效率不足等问题,对目前我国稀土尾矿中伴生萤石资源的回收利用工艺与浮选药剂研究现状进行了简要归纳,总结了目前稀土尾矿中共伴生萤石资源开发利用中现有成果和存在问题,并提出了建议。 相似文献
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