排序方式: 共有60条查询结果,搜索用时 15 毫秒
21.
红外探测器的最新进展 总被引:2,自引:0,他引:2
首先,简述了红外光电探测器的发展历史以及分类,可分为室温探测器和低温探测器。然后对每种探测器所使用的材料进行了介绍,室温探测器介绍了氧化钒、无定型硅,低温探测器介绍了碲镉汞(HgCdTe)、量子阱和锡化物超晶格,以及它们在三代红外光电探测器方面的研究进展。最后,介绍了黑硅材料以及黑硅在探测器应用中的最新进展。 相似文献
22.
23.
24.
25.
26.
27.
28.
29.
30.
通过对InxGa1-xN掺杂不同组份的In来改变InxGa1-xN的禁带宽度,从而改变量子阱势垒高度,并研究其与发光二极管光电性能、效率下降之间的关系。通过仿真模拟实验研究了不同量子阱势垒高度与InGaN /GaN量子阱发光二极管的功率光谱密度、内量子效率、发光功率及复合率之间的关系。分析结果表明:(1) In含量与发光二极管的光电性能并非成线性关系。(2) 在电流密度较低时,In组份越小,光谱密度峰值越大,发光功率越大。(3) 在电流密度较大时,In组份越大,光谱密度峰值越大,发光功率越大。(4) 光谱蓝移与电流密度大小紧密相关,电流密度大的蓝移程度大,反之越小。因此,应该根据不同的电流密度来选择In组份的大小,从而提高发光效率。 相似文献