50/100GHz AWG型光学梳状滤波器的设计与制备

以Si基SiO2平面光波导为基础,设计并制备了50/100GHz AWG型光学梳状滤波器.制备得到的AWG型光学梳状滤波器可以覆盖1520～1585nm的波长范围,共有160个信道.功率输出不均匀度＜0.5dB,插入损耗＜8dB,相邻通道的串扰＞13dB,在距离中心频率最远的信道,输出频率偏离ITU标准15GHz.分析了影响器件串扰和信道频率偏移的原因,并提出了相应的解决办法.     

表面应力诱导InGaN量子点的生长及其性质

为了得到高性能的GaN基发光器件,有源层采用MOCVD技术和表面应力的不均匀性诱导方法生长了InGaN量子点,并通过原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光(PL)谱对其微观形貌和光学性质进行了观察和研究.AFM和TEM观察结果表明:InGaN/GaN为平均直径约30nm,高度约25nm的圆锥;InGaN量子点主要集中在圆锥形的顶部,其密度达到5.6×1010cm-2.室温下,InGaN量子点材料PL谱强度大大超出相同生长时间的InGaN薄膜材料,这说明InGaN量子点有望作为高性能有源层材料应用于GaN基发光器件.     

高纯氮化镓外延材料的制备

用ＭＯＶＰＥ方法在蓝宝半底上生长了高纯氮化镓外延材料。     

洋葱状富勒烯的CCVD法制备及其形貌特征

采用催化化学气相沉积法（CCVD）制备了洋葱状富勒烯（OFs)，借助高分辨透射电镜（HRTEM）观察和分析了其形貌结构。结果发现，以负载Co^2 的Y型沸石为催化剂，C2H2为碳源，反应温度为700℃时，单位催化剂产炭率的质量分数为66%，其中洋葱状富勒烯的收率可达产炭率体积分数的20%以上，并认为OFs的生长机理为的由内到外逐层石墨化的气固（VS）模式。     

短时退火对纳米层片结构低碳钢加工硬化的影响

通过准静态拉伸测试、显微硬度测试研究短时退火对含碳量为0.10%(质量分数)的纳米层片结构低碳钢加工硬化的影响,利用扫描电镜观察微观结构和断口形貌。结果表明:短时退火处理使轧制态10号钢试样软硬微区组织不均匀性增加,增强了加工硬化能力。随着退火温度升高,晶粒长大,层片结构不明显,导致加工硬化能力减弱。     

波矢方向对二维光子晶体能带及应用的影响

利用平面波法分析了由介电常数为13和1的两种介质分别构成圆形柱和背景组成的三角晶格、蜂巢状晶格和正方晶格,波矢偏离周期性平面对它们能带分布及应用的影响。波矢偏离周期性平面分量增加,对色散曲线的影响表现在:波矢在周期性平面内形成的带隙逐渐减小,甚至消失;低频端出现不存在模式区域,并且该区域逐渐变宽;出现新的简并能级,原有的简并能级简并解除或消失;能带趋于平坦化;易于在低阶能带间形成绝对带隙等。波矢偏离周期性平面时,对三种晶格形成带隙情况分析得到:三角晶格和蜂巢状晶格形成的绝对带隙比正方晶格形成的绝对带隙宽,能更有效地减小发生自发发射的概率;三角晶格绝对带隙的宽度在泄漏模区域比蜂巢状晶格要宽,所以三角晶格比蜂巢状晶格更适合用作反射镜等。     

三维介孔分子筛微观结构及X射线模拟

介孔分子筛因具有大而均一的孔道、高比表面积及相对良好的热稳定性现已广泛地用于催化、吸附、分离等领域。自1992年Mobil公司合成出M41S系列介孔分子筛以来，HMS，MSUH和SBA系列不同结构的介孔分子筛相继合成。由于立方结构分子筛具有三维孔道、笼结构，且可通性较高的孔、笼在反应中不易堵塞，故相对于一维孔道结构的分子筛，其应用前途更加广阔。     

钙钛矿型多晶薄膜太阳电池(2)

<正>2013年,瑞士联邦理工学院Graetzel M小组提出用溶液旋涂两步法,依次在纳米多孔Ti O2薄膜上沉积Pb I2和CH3NH3I,以合成钙钛矿CH3NH3Pb I3多晶薄膜,显著改善了薄膜的均匀性,使电池效率跃升到15.0%[5]。同年,英国牛津大学物理系Liu Mingzhen等[6]采用双源共蒸发技术制备CH3NH3Pb I3-xClx     

钙钛矿型多晶薄膜太阳电池(3)

<正>2014年5月在国内钙钛矿太阳电池学术会上,武汉大学物理学院方国家小组报道,其研制的CH_3NH_3PbI_3-xCl_x钙钛矿电池效率达到16.02%[10]。钙钛矿电池与传统商业电池叠层已取得初步进展。美国加州斯坦福大学McGehee M小组报道,其研制的钙钛矿/CIGS叠层电池效率达到18.6%。他们的CIGS电池效率已达17%,叠层电池效率提高不多的原因,可能是由于钙钛矿电     

3d过渡元素掺杂对TiAl合金力学性能及电子性质的理论研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算研究Cr、Mn、Fe和Co元素掺杂TiAl体系的择优占位取向、晶体结构、延性和电子性质。结果发现:金属元素掺杂可以改善材料的立方度,从而提升材料的塑性,浓度对Co元素影响不大,轴比稳定在1以上;掺杂后体系B G增大,且随浓度的增加而增大,材料的延性有很大提升,Co元素对于增强TiAl延性效果显著。分析Co元素掺杂体系的电子性质发现,掺杂元素利于抑制Ti-Al键相互作用,从而降低金属脆性,提升延展性,掺杂浓度升高,延展性进一步提升。