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本文阐明微波网络中功率波、可交换功率、功率波反射系数和广义散射参数等的物理概念,并加以推广。通过若干应用实例说明上述工具对处理微波有源网络(特别是包含负阻电路)问题的有效性。 相似文献
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反馈型介质腔稳GaAs FET振荡器 总被引：1，自引：0，他引：1
本文给出反馈型介质腔稳GaAs FET振荡器较严格的分析模型。导出振荡条件下FET的S参数与反馈电路参数间的关系式、振荡频率以及频率温度稳定度等的关系式。依此研制成两种X波段DRO,均获得良好的频率—温度特性。 相似文献
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本文报导我们对光控介质谐振器稳频MESFET振荡器的研究状况，包括被控介质谐振器模型的建立、电磁分析和实验研究。采用有限元法，借助Ansoft三维仿真软件分析从实际振荡器结构中提取出的叠层DR模型。应用二维阻抗边界条件处理光照下光敏材料的光学效应，得出明晰的物理概念，使复杂问题简化，并较好地验证了实验结果。 相似文献
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讨论有源相控阵中接收系统的噪声测试问题。在推广了IRE噪声系数定义的基础上 ,采用Y参数法可测得在特定条件下各通道接收组件、子阵组件或整个接收阵的有效输入噪声温度。讨论中可设定各通道接收组件的有效输入噪声温度和增益均不相同 ,并考虑了功率合成网络的损耗、不等功率合成和两层功率合成网络等情况 相似文献
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本文介绍C波段低噪声场效应晶体管放大器的初步研制结果。采用国产CX-50型砷化鎵场效应晶体管。通过对晶体管S参数和噪声参数的测试进行电路设计。制成两级级联放大器作为接收机低噪声前端,实现了实验室內5厘米频段的指标是:(包括前置限幅器、隔离器和后置接收机噪声在内的)系统噪声系数4.0分贝,放大器增益14分贝。文中并简介放大器承受射频脈冲功率的实验情况,以及与单脈冲雷达使用有关的若干指标的初步测试结果。 相似文献
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近半个世纪以来相控阵雷达在全球的应用愈来愈广,近几年来所看到的突破,导致以往不可能的性能。这可由被称为单片微波集成电路（MMIC）的GaAs微波集成电路的开发作例证,它们使制造重量轻、体积小、高可靠性和较低价格的有源电子扫描阵列（AESA）成为可能。这种开发已使现在有可能制造一种成本低的35GHz导弹搜索相控阵,其价格为30美元／单元（包含所有电子设备的阵列总价格除以单元数）。由于集成可使整个T／R模块置于一个芯片上。由Moore定律预测的发展使之可制作具有多种优点的数字波束形成。本文描述这些发展,并涉及以下方面：GaN和SiC芯片的潜力,它们可提供较之GaAs芯片高十倍的峰值功率,瞬时带宽达33：1的阵列,低成本的SiGeT／R模块和低成本的MEMS（微电-机械系统）阵列。由MIT林肯实验室演示的多输入-多输出（MIMO）实际雷达应用,它可使两个雷达相干组合,实现灵敏度9dB的提高。MIMO并有可能在超视距（OTH）范围内最佳消除杂波,并于空载雷达允许在接收机中自适应控制发射天线波瓣。 相似文献
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本文利用开波导法对屏蔽情况下不对称放置的环形介质谐振器进行了区域划分,并将Itoh和Rudokas模型加以推广,用这种模型来分析环形介质谐振器中的电磁场,采用两种数学处理方法来求解其谐振频率,并编制了有关程序。将计算结果与已发表文献上有关数据比较,误差分别小于3.3%和1.2%,随后对传输型介质谐振器稳频振荡器电路作了分析。从导出的有关公式可知,振荡器频率,稳定度,效率等与振荡器,介质谐振器的参数及介质谐振器与微带线的耦合系数有关。最后实验试制了-2.64GHz的传输型振荡器,其输出率功可达20mW。在-30℃～+50℃温度变化范围内,其频率稳定度为1.8ppm/℃。电压推频系数为1.95MHz/V。 相似文献
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作者Stephen A.Maas博士出版Artech House美国 1986年本书较全面地论述微波、毫米波混频器和混频器电路的理论、分析、设计和系统应用。叙述深入浅出,易为人理解;从基本的混频器入手,进而讨论古典混频器设计方面的变易,直至较深的理论。本书的一个侧重面是研究FET混频器的殴计与分析,全书主要内容包括:混频器概述,其中包括二极管混频器和FET混频器,并评述用于混频器的各种器件 相似文献