电场辅助离子迁移过程中离子迁移深度模型

考虑了焦耳热导致的玻璃基片温度升高效应,建立了玻璃基片上电场辅助离子迁移（FAIM）过程中离子迁移深度的计算模型。该模型首先通过求解玻璃基片的热平衡方程获得玻璃基片温度随时间的变化规律,在此基础上获得流过玻璃基片的电流密度以及电荷通量密度随时间的变化规律。最后利用电荷通量密度与离子迁移深度的正比关系计算离子迁移深度。利用该模型获得的模拟结果与实验结果的比较显示,在集成光学器件制作的实验参数下,利用该模型所获得的离子迁移深度变化的规律与相应的实验结果接近。分析表明,由于模型中考虑到了焦耳热导致的玻璃基片温度的升高,该模型用于研究FAIM 过程中的迁移深度具有更好的普适性。     

基于CFD的电力工程仿真设计研究

为了研究当前电力工程设计中复杂的流动、传热问题,采用计算流体动力学(Computational Fluid Dynamics,简称CFD)技术分别针对火电机组小机排汽、直接空冷以及烟道等三个系统进行了研究,详细阐述了计算目的、计算域和边界条件的设置,得到了各系统内部流场的流动特性。从各方面的应用可以看出,CFD仿真技术在电力工程设计领域存在着广阔的应用前景。     

有机聚合物热光开关的研究进展

对热光开关的研究现状进行了综述，并提出一种推挽式全内反向型新结构。     

全收缩及其与广义收缩之间的关系

首先给出全信念收缩运算的一个反例，证明全收缩运算之附加假设与基本假设不协调，从而说明全收缩假设系统的不协调性，其次通过地全收缩运算假设系统的修改，消除了导致原系统不协调的直接因素，证明若一个全收缩函数满足修改后的各条假设，则该函数一定为最大选择收缩函数，并证明了在非平衡的情形下其假设系统仍不协调；最后给出了满足基本假设的广义收缩函数与全收缩函数之间的互可定义性，说明可以用广义收缩函数部分代替全收缩     

1 ×8MMI型玻璃基光功分器的研制

针对Ag+ - Na+离子交换形成的渐变折射率分布,分析了多模干涉(MM I)型功分器的 工作原理。在K9玻璃衬底上设计并制作了掩埋型1 ×8MM I功分器。测试结果表明,这种结构在具有结构紧凑、制作容差性大等优点的同时,其功分均匀性也很好,小于0. 5dB。     

基于ATM的宽带无源光接入网的研究

以ＡＴＭ为基础的无源光网络（ＡＴＭ－ＰＯＮ）是未来实现宽带、多业务综合接入的重要技术手段。本文分析了ＡＴＭ－ＰＯＮ（ＡＰＯＮ）系统的基本结构和各个组成部分、所支持的业务、实现系统所需要解决关键技术及实现方法，同时对系统设计是所需考虑的一些重要问题进行了探讨。     

玻璃基硅光波导的研制

采用硅-玻璃键合和选择性腐蚀技术研制出了玻璃上硅(SOG)光波导材料。所研制出的光波导材料表面质量主要取决于所用绝缘体上硅(SO I)材料。当所用SO I材料为基于SIMOX技术的材料时,表面RM S粗糙度为3nm左右,自相关长度为100nm左右。采用SOG材料所制作出的脊型光波导的传输损耗与相应的SO I材料上制作出的光波导相当。这种光波导材料既具有SO I材料的众多优点,还可以在器件制作中同时实施硅的下界面处理,同时它采用玻璃作为波导的下限制层,得到较厚的下限制层。     

论思想政治教育话语的转换与主导

思想政治教育理论与实践相结合的学科属性,决定了其学科话语与实践话语的对立统一.思想政治教育话语转换是思想政治教育理论与实践的新节点,要分析和探寻话语体系转换的内在规律和外部挑战,掌握教育的主动性和主导权,提高教育的现实针对性和实际成效.     

五层非线性平板波导TE模的特性

文章提出了分析中间层为非线性介质结构的五层平板波导TE模的解析方法,推导出了这种结构下普遍适用的色散关系式,给出了各层介质中的场分布和功率分布的解析式,并根据这一模型,就对称结构的五层非线性平板波导结构的模式特性进行了实例计算与讨论。     

位置数为2的多模干涉耦合器相位关系分析

根据多模干涉耦合器的自映像原理,分析了位置数为2的多模干涉耦合器相位关系.相位关系与输入场位置有关,得出位置数为2的多模干涉耦合器相位关系表达式.用导模传输分析法验证了相位表达式的正确性,为一维和二维限制的多模干涉耦合器的设计提供了理论基础.